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ZigBee的相關應用及優(yōu)點分析
一、引言 長期以來，低價、低傳輸率、短距離、低功率的無線通訊市場一直存在著。自從Bluetooth出現(xiàn)以后，曾讓工業(yè)控制、家用自動控制、玩具制造商等業(yè)者雀躍不已，但是Bluetooth的售價一直居高不下，嚴重
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標準化無線網(wǎng)絡的選擇方案
任何傳感器或傳感器基系統(tǒng)的主要任務是采集信息，包括溫度、流量、機器正常狀態(tài)或其他測量參量。傳感器數(shù)據(jù)產(chǎn)生是相當容易做到和很好理解的，但從傳感器傳輸數(shù)據(jù)到監(jiān)視或控制系統(tǒng)仍然是一個問題，這是由安裝和維護通
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半導體制程再微縮 經(jīng)濟效益慘淡
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達7nm節(jié)點;但在7nm節(jié)點以下
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半導體制程再微縮 經(jīng)濟效益慘淡
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點
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半導體制程再微縮 經(jīng)濟效益慘淡
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點
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十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點；但在 7納米
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十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)
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十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點，但在 7
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十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點，但在 7納米
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十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點；但在 7納米
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葉景圖主持粵LED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心理事會
10月31日，葉景圖副廳長主持召開了廣東省半導體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心（以下簡稱“聯(lián)合創(chuàng)新中心”）第一屆第一次理事會。佛山市科技局、佛山市南海區(qū)經(jīng)促局、省半導體光源產(chǎn)業(yè)協(xié)會等單位負責同志以及聯(lián)合創(chuàng)新中心21家
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22nm以下半導體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)
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以太網(wǎng)協(xié)議實時性的設計方案
1 概述 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，現(xiàn)場總線技術的發(fā)展使智能現(xiàn)場設備和自動化系統(tǒng)以全數(shù)字式、雙向傳輸、多分支結果的通信控制網(wǎng)絡相連，使工業(yè)控制系統(tǒng)向分散化、網(wǎng)絡化和智能化發(fā)展。但是由于各類現(xiàn)場總線標準之間的不
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3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術進入市場
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點前不可能進入市場；在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合芯片發(fā)展，IMEC研究所存儲器研究專案總監(jiān)Laith
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臺積電：半導體技術可達7nm節(jié)點，最大挑戰(zhàn)不在技術
【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】：代工巨頭臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC） 資深研發(fā)副總裁蔣尚義在25日舉行的ARM TechCon大會上指出，未來10年，通過采用FinFET技術，半導體技術可達7nm節(jié)點。他說，7nm節(jié)點之后，最
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十年后IC制程微縮挑戰(zhàn)在于成本 而非技術
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7奈米節(jié)點；但在 7奈米
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用于汽車網(wǎng)絡的LIN協(xié)議分析
LIN協(xié)議適用于汽車內(nèi)進行低成本、短距離、低速網(wǎng)絡通信，其用途是傳輸開關設置狀態(tài)以及對開關變化響應。本文詳細分析了LIN總線協(xié)議的特性、消息協(xié)議的組成、檢錯機制等，并介紹如何基于PICmicro器件來實現(xiàn)LIN總線從節(jié)
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用于汽車網(wǎng)絡的LIN協(xié)議分析
LIN協(xié)議適用于汽車內(nèi)進行低成本、短距離、低速網(wǎng)絡通信，其用途是傳輸開關設置狀態(tài)以及對開關變化響應。本文詳細分析了LIN總線協(xié)議的特性、消息協(xié)議的組成、檢錯機制等，并介紹如何基于PICmicro器件來實現(xiàn)LIN總線從節(jié)
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明導國際與臺積電在65奈米制程密切合作
明導國際(MentorGraphics)將與臺積電(TSMC)共同合作，從臺積電的65奈米制程節(jié)點開始，支援CalibreYieldEnhancer產(chǎn)品中的SmartFill功能；SmartFill解決方案的分析與自動化填充(filling)功能，可讓設計人員無需以手動客
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聯(lián)電與Synopsys擴展夥伴關系至28奈米制程節(jié)點
聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與新思科技(Synopsys)共同宣布雙方擴展夥伴關系，將于聯(lián)電 28奈米HLP Poly SiON制程平臺上開發(fā)新思科技的 DesignWare IP 。延續(xù)之前在聯(lián)電40奈米與55奈米制程的成功經(jīng)驗，新思科技將會于
