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28nm節(jié)點(diǎn)遭遇良率挑戰(zhàn)

盡管接下來幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體晶片市場的速度成長，但 Gartner 和其他市場分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn) 28nm 制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn) 32-nm/28-nm high-K 金

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2011-11-04

節(jié)點(diǎn) 晶圓廠 JOHNSON CE
ZigBee的相關(guān)應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)分析

一、引言　　　　　　長期以來，低價(jià)、低傳輸率、短距離、低功率的無線通訊市場一直存在著。自從Bluetooth出現(xiàn)以后，曾讓工業(yè)控制、家用自動控制、玩具制造商等業(yè)者雀躍不已，但是Bluetooth的售價(jià)一直居高不下，嚴(yán)重

通信技術(shù)
2011-11-02

Zigbee IEEE802 ZIGBEE技術(shù) 節(jié)點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)化無線網(wǎng)絡(luò)的選擇方案

任何傳感器或傳感器基系統(tǒng)的主要任務(wù)是采集信息，包括溫度、流量、機(jī)器正常狀態(tài)或其他測量參量。傳感器數(shù)據(jù)產(chǎn)生是相當(dāng)容易做到和很好理解的，但從傳感器傳輸數(shù)據(jù)到監(jiān)視或控制系統(tǒng)仍然是一個(gè)問題，這是由安裝和維護(hù)通

通信技術(shù)
2011-11-02

Wi-Fi 無線網(wǎng)絡(luò) BSP 節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7nm節(jié)點(diǎn);但在7nm節(jié)點(diǎn)以下

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2011-11-02

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)

消費(fèi)電子
2011-11-02

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)

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2011-11-02

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米

半導(dǎo)體
2011-11-01

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn)；但在7納米節(jié)

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2011-11-01

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)，但在 7

消費(fèi)電子
2011-11-01

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)，但在 7納米

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-11-01

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米

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2011-11-01

半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
葉景圖主持粵LED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心理事會

10月31日，葉景圖副廳長主持召開了廣東省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心（以下簡稱“聯(lián)合創(chuàng)新中心”）第一屆第一次理事會。佛山市科技局、佛山市南海區(qū)經(jīng)促局、省半導(dǎo)體光源產(chǎn)業(yè)協(xié)會等單位負(fù)責(zé)同志以及聯(lián)合創(chuàng)新中心21家

顯示光電
2011-11-01

半導(dǎo)體照明照明產(chǎn)業(yè) LED產(chǎn)業(yè) 節(jié)點(diǎn)
22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn)；但在7納米節(jié)

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2011-10-28

半導(dǎo)體晶體管光刻節(jié)點(diǎn)
以太網(wǎng)協(xié)議實(shí)時(shí)性的設(shè)計(jì)方案

1 概述　　在工業(yè)控制系統(tǒng)中，現(xiàn)場總線技術(shù)的發(fā)展使智能現(xiàn)場設(shè)備和自動化系統(tǒng)以全數(shù)字式、雙向傳輸、多分支結(jié)果的通信控制網(wǎng)絡(luò)相連，使工業(yè)控制系統(tǒng)向分散化、網(wǎng)絡(luò)化和智能化發(fā)展。但是由于各類現(xiàn)場總線標(biāo)準(zhǔn)之間的不

通信技術(shù)
2011-10-27

以太網(wǎng) BSP ETHERCAT 節(jié)點(diǎn)
3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進(jìn)入市場

基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場；在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片發(fā)展，IMEC研究所存儲器研究專案總監(jiān)Laith

智能硬件
2011-10-27

存儲器 RAM 3D閃存節(jié)點(diǎn)
臺積電：半導(dǎo)體技術(shù)可達(dá)7nm節(jié)點(diǎn)，最大挑戰(zhàn)不在技術(shù)

【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】：代工巨頭臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）資深研發(fā)副總裁蔣尚義在25日舉行的ARM TechCon大會上指出，未來10年，通過采用FinFET技術(shù)，半導(dǎo)體技術(shù)可達(dá)7nm節(jié)點(diǎn)。他說，7nm節(jié)點(diǎn)之后，最

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2011-10-27

芯片臺積電半導(dǎo)體技術(shù) 節(jié)點(diǎn)
十年后IC制程微縮挑戰(zhàn)在于成本　而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7奈米節(jié)點(diǎn)；但在 7奈米

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2011-10-27

晶片電晶體 IC 節(jié)點(diǎn)
用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

LIN協(xié)議適用于汽車內(nèi)進(jìn)行低成本、短距離、低速網(wǎng)絡(luò)通信，其用途是傳輸開關(guān)設(shè)置狀態(tài)以及對開關(guān)變化響應(yīng)。本文詳細(xì)分析了LIN總線協(xié)議的特性、消息協(xié)議的組成、檢錯機(jī)制等，并介紹如何基于PICmicro器件來實(shí)現(xiàn)LIN總線從節(jié)

通信技術(shù)
2011-10-22

汽車網(wǎng)絡(luò) LIN協(xié)議 BSP 節(jié)點(diǎn)
用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

LIN協(xié)議適用于汽車內(nèi)進(jìn)行低成本、短距離、低速網(wǎng)絡(luò)通信，其用途是傳輸開關(guān)設(shè)置狀態(tài)以及對開關(guān)變化響應(yīng)。本文詳細(xì)分析了LIN總線協(xié)議的特性、消息協(xié)議的組成、檢錯機(jī)制等，并介紹如何基于PICmicro器件來實(shí)現(xiàn)LIN總線從節(jié)

數(shù)字電源
2011-10-19

汽車網(wǎng)絡(luò) LIN協(xié)議 BSP 節(jié)點(diǎn)
明導(dǎo)國際與臺積電在65奈米制程密切合作

明導(dǎo)國際(MentorGraphics)將與臺積電(TSMC)共同合作，從臺積電的65奈米制程節(jié)點(diǎn)開始，支援CalibreYieldEnhancer產(chǎn)品中的SmartFill功能；SmartFill解決方案的分析與自動化填充(filling)功能，可讓設(shè)計(jì)人員無需以手動客

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2011-10-14

臺積電 SMART CALIBRE 節(jié)點(diǎn)

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節(jié)點(diǎn)

28nm節(jié)點(diǎn)遭遇良率挑戰(zhàn)

ZigBee的相關(guān)應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)分析

標(biāo)準(zhǔn)化無線網(wǎng)絡(luò)的選擇方案

半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟(jì)效益慘淡

半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟(jì)效益慘淡

半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟(jì)效益慘淡

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

葉景圖主持粵LED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心理事會

22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

以太網(wǎng)協(xié)議實(shí)時(shí)性的設(shè)計(jì)方案

3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進(jìn)入市場

臺積電：半導(dǎo)體技術(shù)可達(dá)7nm節(jié)點(diǎn)，最大挑戰(zhàn)不在技術(shù)

十年后IC制程微縮挑戰(zhàn)在于成本　而非技術(shù)

用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

明導(dǎo)國際與臺積電在65奈米制程密切合作

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