
隨著我們的元件不斷提供高成本效益、高效率和高功率密度,英飛凌也在推動(dòng)面向未來(lái)個(gè)人移動(dòng)性的電動(dòng)系統(tǒng)解決方案?,F(xiàn)代生活方式的移動(dòng)性在不斷增加,從而提高了CO2排放量和自然資源消耗量。個(gè)人交通在朝著以比現(xiàn)在低的
0 引言 隨著國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,空調(diào)車、豪華車也進(jìn)入了新的發(fā)展階段??照{(diào)逆變器是一種新型高效無(wú)污染“綠色”能源,其應(yīng)用前景非常廣闊?! PWM技術(shù)是空調(diào)逆變器中主要的控制技術(shù),要生成SPWM脈沖常采用兩種
0 引言 隨著國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,空調(diào)車、豪華車也進(jìn)入了新的發(fā)展階段??照{(diào)逆變器是一種新型高效無(wú)污染“綠色”能源,其應(yīng)用前景非常廣闊?! PWM技術(shù)是空調(diào)逆變器中主要的控制技術(shù),要生成SPWM脈沖常采用兩種
新能源的稱謂是件很有意思的事情,很多新能源其能量來(lái)源是再平常不過(guò)的,“新”只是指利用的方式是新的,比如除傳統(tǒng)能源之外的太陽(yáng)能、風(fēng)能、水力、生物能、地?zé)崮?、海洋能等。走過(guò)2009年,我們看到,新能源產(chǎn)業(yè)在金
傳統(tǒng)電表在向智能電表演進(jìn) 電網(wǎng)由于增加了“智能”二字而進(jìn)一步加深了與電子信息產(chǎn)業(yè)的聯(lián)系,它將給信息產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展契機(jī)。據(jù)專家介紹,智能電網(wǎng)的主要特征包括自愈、兼容、互動(dòng)、優(yōu)化、集成、容許各種不同發(fā)
逆變器作為不間斷電源的核心部分,廣泛用于通信、金融等領(lǐng)域。一個(gè)高性能的逆變器除了要滿足體積、重量、電磁兼容等基本指標(biāo)外,還需滿足系統(tǒng)穩(wěn)定,穩(wěn)態(tài)電壓精度高;總諧波畸變率(THD)含量小;動(dòng)態(tài)響應(yīng)快等要求
本文主要對(duì)大功率高壓變頻器H橋級(jí)聯(lián)型逆變器的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了探討,主要從系統(tǒng)中PWM實(shí)現(xiàn)的控制策略上進(jìn)行研究,并針對(duì)幾種控制策略的實(shí)現(xiàn)方法及性能進(jìn)行了分析及比較。
本文主要對(duì)大功率高壓變頻器H橋級(jí)聯(lián)型逆變器的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了探討,主要從系統(tǒng)中PWM實(shí)現(xiàn)的控制策略上進(jìn)行研究,并針對(duì)幾種控制策略的實(shí)現(xiàn)方法及性能進(jìn)行了分析及比較。
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(Epitaxial Wafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
(1)應(yīng)急電源是確保電力供電系統(tǒng)和消防系統(tǒng)安全運(yùn)行的技術(shù)保障 當(dāng)代社會(huì)生活對(duì)市電電網(wǎng)供電可靠性的依賴度之高是人所共知的。近年來(lái),隨著我國(guó)工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的高速增長(zhǎng)及人民生活水平的提高所需求的電力供應(yīng)量也隨
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器
針對(duì)串聯(lián)諧振逆變器頻率提高和功率調(diào)節(jié)難的問題,提出了新型分時(shí)一相位復(fù)合控制策略,采用逆變開關(guān)的分時(shí)段控制來(lái)提高頻率,通過(guò)改變電壓電流的相位差來(lái)調(diào)節(jié)功率。在系統(tǒng)建模和理論分析的基礎(chǔ)上,分析電路的結(jié)構(gòu)和工作原理,并對(duì)其進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算機(jī)仿真分析,給出了仿真波形。結(jié)果表明,該控制方法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便,功率調(diào)節(jié)容易,可以實(shí)現(xiàn)基于時(shí)間分割的倍頻控制,有效地提高了電源的頻率,具有很好的應(yīng)用前景。
針對(duì)串聯(lián)諧振逆變器頻率提高和功率調(diào)節(jié)難的問題,提出了新型分時(shí)一相位復(fù)合控制策略,采用逆變開關(guān)的分時(shí)段控制來(lái)提高頻率,通過(guò)改變電壓電流的相位差來(lái)調(diào)節(jié)功率。在系統(tǒng)建模和理論分析的基礎(chǔ)上,分析電路的結(jié)構(gòu)和工作原理,并對(duì)其進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算機(jī)仿真分析,給出了仿真波形。結(jié)果表明,該控制方法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便,功率調(diào)節(jié)容易,可以實(shí)現(xiàn)基于時(shí)間分割的倍頻控制,有效地提高了電源的頻率,具有很好的應(yīng)用前景。
簡(jiǎn)要介紹采用N87C196MC的波形發(fā)生器的結(jié)構(gòu)、原理,以及用N87C196MC作為主控芯片的空調(diào)逆變器方案。
簡(jiǎn)要介紹采用N87C196MC的波形發(fā)生器的結(jié)構(gòu)、原理,以及用N87C196MC作為主控芯片的空調(diào)逆變器方案。
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器