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臺(tái)積電28納米SRAM良率突破
臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱(chēng)28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的
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臺(tái)積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖 預(yù)計(jì)2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)
臺(tái)積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。臺(tái)積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)
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CMOS集成電路潛在缺陷的最小電壓檢測(cè)
引 言有潛在缺陷的芯片有可能通過(guò)生產(chǎn)測(cè)試，但是在實(shí)際應(yīng)用中卻會(huì)引起早期失效的問(wèn)題，進(jìn)而引起質(zhì)量問(wèn)題。為了避免這個(gè)問(wèn)題，就需要在產(chǎn)品賣(mài)給客戶(hù)之前檢測(cè)出這種有問(wèn)題的芯片。一般的檢測(cè)技術(shù)包括Burn—in、IDDQ測(cè)試
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日本家電賣(mài)場(chǎng)將首次涉足二手手機(jī)銷(xiāo)售業(yè)務(wù)
據(jù)日本共同社報(bào)道，日本大型家電賣(mài)場(chǎng)“上新電機(jī)”18日宣布正式涉足二手手機(jī)銷(xiāo)售業(yè)務(wù)。據(jù)該公司透露，大型賣(mài)場(chǎng)銷(xiāo)售二手手機(jī)尚屬首次。報(bào)道稱(chēng)，上新電機(jī)計(jì)劃于21日開(kāi)始在關(guān)西地區(qū)的主要店鋪啟動(dòng)手機(jī)收購(gòu)及以
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水晶燈潮流趨勢(shì)：個(gè)性化定制受追捧
“目前，水晶燈仍然在扮演著它應(yīng)有的角色，雖然價(jià)格貴，但倍受高端客戶(hù)青睞。優(yōu)質(zhì)的國(guó)產(chǎn)一級(jí)水晶，由于價(jià)格便宜且質(zhì)量與進(jìn)口水晶差別無(wú)幾，一直受到消費(fèi)者的追寵?！敝幸馑粼O(shè)計(jì)師蘇盛昌深諳時(shí)下水晶燈的潮流趨勢(shì)
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三維電子晶體制造新工藝問(wèn)世
日本京都大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科的一個(gè)研究小組日前發(fā)布消息稱(chēng),他們開(kāi)發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時(shí)間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來(lái)高速處理光信號(hào)以及制造超小型光集成電路片
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三維電子晶體制造新工藝問(wèn)世
日本京都大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科的一個(gè)研究小組發(fā)布消息稱(chēng),他們開(kāi)發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時(shí)間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來(lái)高速處理光信號(hào)以及制造超小型光集成電路片,在下
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EVG開(kāi)發(fā)出芯片與晶圓鍵合新方法，大幅度縮短層疊芯片的時(shí)間
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奧地利EV Group（EVG）開(kāi)發(fā)出了在采用TSV（硅通孔）的3維層疊上低成本實(shí)現(xiàn)芯片與晶圓鍵合的技術(shù)。該方法能夠大幅縮
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阻抗測(cè)量方法在傳感器技術(shù)中的應(yīng)用
實(shí)際應(yīng)用中的電路元件要比理想電阻復(fù)雜得多，并且呈現(xiàn)出阻性、容性和感性特性，它們共同決定了阻抗特性。阻抗與電阻的不同主要在于兩個(gè)方面。首先，阻抗是一種交流(AC)特性；其次，通常在某個(gè)特定頻率下定義阻抗
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非離子型活性劑在ULSl堿性Cu拋光液中的性能
使用四種非離子表面活性劑分別添加到以SiO2水溶膠為磨料、H202為氧化劑的堿性Cu拋光液中進(jìn)行拋光實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，所選用的非離子型表面活性劑對(duì)材料去除率的影響不大，當(dāng)烷基酚聚氧乙烯醚在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0．25％時(shí)，拋光表面質(zhì)量提高，表面粗糙度(Ra)由1．354 nm下降到了0．897 6 nm，同時(shí)有效地減輕了Cu拋光表面的劃痕和腐蝕，其原因是聚氧乙烯鏈可以通過(guò)醚鍵與水分子形成氫鍵，在聚氧乙烯周?chē)纬梢粚尤軇┗乃けＷo(hù)了被吸附表面。
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)來(lái)襲，報(bào)名領(lǐng)好禮
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