電壓型逆變器高壓串聯(lián)諧振技術(shù)研究

摘要：介紹了高壓串聯(lián)諧振技術(shù)的原理與應(yīng)用，分析了利用4046鎖相控制逆變器的結(jié)構(gòu)和啟動(dòng)電路，同時(shí)對(duì)高壓變壓器寄生漏感與負(fù)載串聯(lián)諧振原理作了介紹。15kVA樣機(jī)測(cè)試結(jié)果表明，用該方法可以得到滿意的輸出波形，實(shí)現(xiàn)高

電壓型逆變器高壓串聯(lián)諧振技術(shù)研究

摘要：介紹了高壓串聯(lián)諧振技術(shù)的原理與應(yīng)用，分析了利用4046鎖相控制逆變器的結(jié)構(gòu)和啟動(dòng)電路，同時(shí)對(duì)高壓變壓器寄生漏感與負(fù)載串聯(lián)諧振原理作了介紹。15kVA樣機(jī)測(cè)試結(jié)果表明，用該方法可以得到滿意的輸出波形，實(shí)現(xiàn)高

淡季效應(yīng)　液晶監(jiān)視器庫(kù)存壓力升高

集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) WitsView 日前發(fā)布最新調(diào)查，指出2010年5月份全球前十大液晶監(jiān)視器品牌商出貨總量約達(dá)1,075萬(wàn)臺(tái)，相較于4月份MoM下滑4.2%。面對(duì) IT市場(chǎng)淡季來(lái)臨，品牌業(yè)者們正面臨庫(kù)存升高壓力。

華虹NEC高壓BCD技術(shù)獲“2010年度中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”獎(jiǎng)

以“把脈戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)、共促市場(chǎng)合作共贏”為主題的2011年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨產(chǎn)業(yè)合作與創(chuàng)新論壇 (IC Market China 2011) 于2011年3月2日在蘇州召開(kāi)。大會(huì)公布了由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子材料行業(yè)

晶電高壓LED最新產(chǎn)品有望于2011上半年量產(chǎn)

晶電2010年推出的高壓LED，預(yù)估2011年上半年導(dǎo)入量產(chǎn)。晶電最新的高壓冷白光LED產(chǎn)品，發(fā)光效率提升到160流明/瓦(lm/W)以上，高壓暖白光LED產(chǎn)品發(fā)光效率則達(dá)170流明/瓦水準(zhǔn)，公司預(yù)計(jì)將于2011年第二季到第三季間量產(chǎn)上

完美無(wú)諧波高壓IGBT變頻器

1前言國(guó)外某公司利用一種新的高壓變頻技術(shù)，生產(chǎn)出功率為315kW～10000kW的完美無(wú)諧波高壓變頻器（PERFECTHARMONY），無(wú)需附加輸出變壓器實(shí)現(xiàn)了直接3kV或6kV高壓輸出；首家在高壓變頻器中采用了先進(jìn)的IGBT開(kāi)關(guān)器件；達(dá)

Diodes開(kāi)發(fā)出制造高壓整流器的專(zhuān)用平臺(tái)

Diodes公司宣布開(kāi)發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專(zhuān)有工藝平臺(tái)。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國(guó)奧爾德姆(Oldham)的晶圓制造廠開(kāi)發(fā)的，并已開(kāi)始交付第一款器件——一款用于LCD-LED電視電

Diodes 為下一代高壓整流器開(kāi)發(fā)全新工藝平臺(tái)

21ic訊 Diodes公司宣布開(kāi)發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專(zhuān)有工藝平臺(tái)。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國(guó)奧爾德姆（Oldham）的晶圓制造廠開(kāi)發(fā)的，并已開(kāi)始交付第一款器件——一款用于LCD-

Diodes 為下一代高壓整流器開(kāi)發(fā)全新工藝平臺(tái)

21ic訊 Diodes公司宣布開(kāi)發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專(zhuān)有工藝平臺(tái)。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國(guó)奧爾德姆（Oldham）的晶圓制造廠開(kāi)發(fā)的，并已開(kāi)始交付第一款器件——一款用于LCD-

一種新型高壓大功率小信號(hào)放大電路

摘要：簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn)，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞：小信號(hào)放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動(dòng)；高壓大功率 　 　

一種新型高壓大功率小信號(hào)放大電路

摘要：簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn)，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞：小信號(hào)放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動(dòng)；高壓大功率 　 　

一種新型高壓大功率小信號(hào)放大電路

摘要：簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn)，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞：小信號(hào)放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動(dòng)；高壓大功率 　 　

高壓大功率變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的演化及分析和比較

摘要：闡述了高壓大功率變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的發(fā)展，同時(shí)對(duì)它們進(jìn)行了分析和比較，指出各自的優(yōu)缺點(diǎn)，其中重點(diǎn)介紹了級(jí)聯(lián)型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并給出了仿真波形。 關(guān)鍵詞：多電平變換器；拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；高壓大功率 　 　 0 引言

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠

高壓IGBT變頻器及應(yīng)用

1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合，有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來(lái)，具有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、

高壓諧振變壓器的研究

摘要：論述了諧振變壓器的原理，設(shè)計(jì)方法及研制中應(yīng)注意的幾個(gè)問(wèn)題，并通過(guò)計(jì)算值與實(shí)測(cè)值對(duì)比的方法證明了文中計(jì)算公式的精確性和實(shí)用性。1前言　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，采用高壓諧振技術(shù)對(duì)大容量電氣設(shè)備進(jìn)行工

高壓－低壓變換電路圖

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠