多年以來,2D NAND 一直都是半導(dǎo)體工業(yè)光刻(lithography)技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)力,其印刷尺寸是最小的,而且保持逐年下降。隨著 2D NAND 的尺寸縮小到了十幾納米節(jié)點(diǎn)(16nm、15nm甚至 14nm),每個(gè)單元也變得非常小,使得每個(gè)單元中僅有少數(shù)幾個(gè)電子,而串?dāng)_問題又使得進(jìn)一步縮小變得非常困難而且不夠經(jīng)濟(jì)。
據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年至今,SSD/內(nèi)存的價(jià)格就坐上了火箭,而且一點(diǎn)降價(jià)的跡象都沒有,反而是SSD廠商不斷傳出不利因素,致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過現(xiàn)在總算有好消息了,首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存,還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
儲(chǔ)存技術(shù)和解決方案供應(yīng)商 Western Digital 公司宣布成功開發(fā)出 96 層垂直儲(chǔ)存的跨代 3D NAND 技術(shù) BiCS4,預(yù)計(jì) 2017 年下半年開始向 OEM 廠商送樣,并于 2018 年開始生產(chǎn)。BiCS4 是由 Western Digital 與其技術(shù)及制造合作伙伴東芝(Toshiba Corporation) 聯(lián)合開發(fā),最初將提供 256-gigabit 芯片,日后將會(huì)擴(kuò)充其他容量,包括可達(dá) 1-terabit 的單一芯片。
東芝今日宣布其成功開發(fā)出了全球首款 4-bit 3D 閃存(QLC),有望帶來更低的制造成本和更高的存儲(chǔ)密度。閃存通過一串帶有電荷的浮動(dòng)門晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(賦予“0”或“1”即 1-bit),這些存儲(chǔ)塊可以二維(平面型 NAND)或三維(3D NAND)堆疊的形式排列,然后用更多電荷值來對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)更多位元的信息。比如四級(jí)(2-bit)閃存被稱為 MLC、八級(jí)(3-bit)則為稱為 TLC 。
在最近結(jié)束的一次對(duì)美光CFO Ernie Maddock的采訪中,他曾多次提到了關(guān)于“C”的觀點(diǎn)。所以,我們現(xiàn)在簡(jiǎn)單整理一下這篇文章的論點(diǎn)。以便我們能夠從中獲取更多有價(jià)值的信息。具體而言,這篇文章主要是關(guān)于存儲(chǔ)行業(yè)的循環(huán)周期和盈利的觀點(diǎn)。
蘋果在Apple Watch和iPhone上分別搭載了壓力觸控技術(shù),即Force Touch和3D Touch,目前,部分國(guó)產(chǎn)安卓手機(jī)也有跟進(jìn)。但從技術(shù)的角度,華為已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了突破口。 本月9日,華為
近日,3D Systems公司(紐交所代碼:DDD)與PTC公司(納斯達(dá)克代碼:PTC)宣布3D Systems決定選用PTC的ThingWorx®平臺(tái),并計(jì)劃將該平臺(tái)嵌入其3D打印機(jī)中以實(shí)現(xiàn)智能監(jiān)控以及遠(yuǎn)程維修與維護(hù)。
近年來,3D生物打印技術(shù)在國(guó)內(nèi)外獲得飛速發(fā)展,運(yùn)用3D打印技術(shù)打印出來的手術(shù)模型已經(jīng)開始在一些醫(yī)院廣泛運(yùn)用。
3D立體眼鏡大家見識(shí)過嗎?我想對(duì)于游戲玩家來說,一點(diǎn)都不陌生。然筆者第一次聽說3D立體眼鏡那是很早的時(shí)候啦
國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存
據(jù)《科學(xué)》雜志官網(wǎng)5月1日?qǐng)?bào)道,英國(guó)倫敦帝國(guó)理工學(xué)院(ICL)計(jì)算機(jī)科學(xué)家開發(fā)出一種新方法,可以自動(dòng)構(gòu)建能處理面部特征的3D變形模型(3DMM),并將之應(yīng)用于不同的人種。
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出,這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設(shè)備支出成長(zhǎng)推動(dòng)下,調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner表示,2016全年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模年增11.3%,達(dá)374.07億美元。一掃2015年規(guī)模年減1%陰霾。
據(jù)報(bào)道,過去數(shù)月,蘋果首席執(zhí)行官蒂姆·庫克(Tim Cook)和其他高管多次談及公司對(duì)虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的興趣。有數(shù)家媒體報(bào)道稱,蘋果在公司內(nèi)部探索人工智能眼鏡產(chǎn)品。
德國(guó)科學(xué)家已經(jīng)利用3D打印技術(shù)用玻璃打印出一些非常精細(xì)復(fù)雜的物品,其中包括一個(gè)椒鹽脆餅。這項(xiàng)技術(shù)未來有可能被用于3D打印更有用的東西,比如復(fù)合鏡頭、濾鏡甚至通常需
全球存儲(chǔ)器龍頭大廠針對(duì)3D NAND Flash開始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力,包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn),熟悉后段封測(cè)業(yè)者表示,估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解,價(jià)格漲勢(shì)回穩(wěn),而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后,存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)者中,又以力成最為受惠。
需要解釋的是,關(guān)于iPhone 8的尺寸爆料,多集中在4.7、5.0、5.5和5.8這幾個(gè)尺寸,事實(shí)上,上一次愛范兒接到的爆料指向的是5.0英寸,后經(jīng)猜測(cè),可能是爆料人為了保護(hù)自己身份信息制造的煙霧彈信息。
前幾日,SK海力士正式宣布量產(chǎn)最強(qiáng)72層3D NAND閃存顆粒,一時(shí)間震撼全行業(yè)??山?,韓國(guó)媒體給出的報(bào)道稱,三星將從7月份開始運(yùn)營(yíng)位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠。這是全球規(guī)模最大的芯片工廠,占地289萬平方
據(jù)外媒報(bào)道,三星電子位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠將從7月份開始運(yùn)營(yíng)。據(jù)了解,這是全球規(guī)模最大的芯片工廠,占地面積達(dá)289萬平方米,2015年開始建造,耗資15.6萬億韓元,約合人民幣940億元。這座工廠將主要
根據(jù)中國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo),有消息人士指出,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開發(fā)自己的 DRAM 存儲(chǔ)器制造技術(shù),而且可能直接進(jìn)入當(dāng)今世界最先進(jìn)的 20/18 納米的制程中。