DRAM廠第三季法說會明(21)日將由龍頭廠商力晶打頭陣,南科、華亞科22日召開,盡管市場早已預(yù)期DRAM廠商的第三季財報將大虧,但實際公布的虧損數(shù)字恐怕仍讓市場“咋舌”。 分析師指出,龍頭力晶平均每天一睜開眼睛就
嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計
DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
繼力晶在本周一宣布減產(chǎn)10-15%后,日本內(nèi)存芯片廠商爾必達在昨天正式對外宣布,自9月中旬起將正式減產(chǎn)總產(chǎn)能10%,全球每月內(nèi)存芯片(DRAM)總供給量可望因此減少約1.5%。 力晶前天對外正式宣布將減少10-15%的標準型
臺灣力晶半導(dǎo)體表示,由于晶片價格下跌,公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。綜合外電8月27日報道,力晶半導(dǎo)體股份有限公司(5346.OT)發(fā)言人譚仲民27日表示,由于晶片價格下跌,公司很可能推遲兩家新12英
盡管DRAM價格一再探底,記憶體廠的日子苦哈哈,然爾必達(Elpida)仍持續(xù)在中國內(nèi)地和臺灣大舉擴產(chǎn),與三星電子(Samsung Electronics)強調(diào)2008年位元成長率(bit growth)要達到100%策略如出一轍
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極/源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。
恒憶 (Numonyx)推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列,此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器,不但可以給手機和消費性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲性能,而且比目前其他解決方案價格更低。
三家DRAM廠商正在供應(yīng)采用新型接口的器件,初步支持每個引腳4Gbits/秒的數(shù)據(jù)傳輸速度。這些芯片將面向AMD和Nvidia的下一代圖形控制器,預(yù)計這些控制器最早將于6月推出。 這三家DRAM廠商是海力士(Hynix)半導(dǎo)
內(nèi)存供貨商奇夢達公司(Qimonda)近日宣布其最新顯存GDDR5已被運算、繪圖及消費性電子市場創(chuàng)新處理器方案供貨商AMD采用。日前,奇夢達已開始量產(chǎn)并向AMD出貨其容量512Mb、頻率為每秒4.0G的GDDR5內(nèi)存組件。 G
DRAM現(xiàn)貨價本季走勢上揚,5月上半月的合約價也成功調(diào)漲10%,由于目前DRAM廠表示供給出現(xiàn)吃緊現(xiàn)象,預(yù)料下周將出爐的下半月價格可望還有漲價空間,而隨6月初臺北國際電腦展將登場,以及PC下半年旺季效應(yīng)到來,DRA