SK Hynix斥資15萬億韓元建設DRAM工廠

SK Hynix日前宣布了新的投資計劃，將斥資15萬億韓元，約合134億美元或者916億人民幣在韓國總部京畿道利川市3.5萬平方米的場地上建設新的工廠，編號M16。

IC Insights：至2020年半導體市場將高度成長

研調機構 IC Insights 表示，今年包括手機與個人計算機等電子系統(tǒng)產品出貨恐將疲軟，預期今年手機出貨量將減少 1%，個人計算機出貨量也將減少 1%，汽車出貨量將成長 3%。

10nm工藝、速率高達6400Mb/s！三星首發(fā)8Gb LPDDR5 DRAM

最新消息，三星電子宣布 成功開發(fā)出業(yè)內首款LPDDR5-6400內存芯片，采用10nm工藝。

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

美光芯片被判侵權在中國禁售，美國半導體科技股全線下挫

福州中法裁定對美光科技發(fā)出“訴中禁令”，其部分閃存SSD和內存條DRAM將暫時禁止在中國銷售。美光有近半營收來自中國市場，為阿里巴巴等IT巨頭的SSD模組供應商。受此影響，美光科技股價一度深跌6.3%，高通、恩智浦、博通等芯片股全線下挫。

Q1季度全球半導體產值1158億美元 三星繼續(xù)保持第一,Intel第二

三星在擊敗英特爾成為半導體市場老大之后就一直維持現在的地位，當季收入186.07億美元，同比大漲45.4%，市場份額達到了16.1%。

車用市場給力 NOR閃存再成大廠發(fā)展重點

智能汽車、5G以及工業(yè)物聯(lián)網的到來，驅動了市場對高密度NOR Flash的需求。一度因為容量小、成本高等缺點而邊緣化的NOR Flash，再次受到廠商的重視。曾一度被傳將要淡出NOR Flash領域的賽普拉斯近期推出Semper NOR閃存產品系列，美光的Xccela Flash系列也為NOR Flash打開新的大門。聚光燈終于不是只照在NAND Flash或DRAM上，在各大新勢能應用的帶動下，NOR Flash是否會迎來新的機遇?

美光DRAM/NAND路線圖：下半年推96層3D閃存，GDDR6已完成驗證

受益于eMMC、eMCP市場，美光高價值移動NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來自數據中心市場的內存、閃存營收同比增長了87%。

短期內中國大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國際與存儲器族群

中國大陸存儲器業(yè)者的生產計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團，預定投產時間介于2018年下半年-2019年，主要產品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash，初期產能介于2-5萬片，未來最大產能可望上沖4-10萬片，中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。但是由于短期內國際購并案推行不易，技術、人才取得受阻，導致短期內中國大陸發(fā)展存儲器產業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。

三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內存芯片研發(fā) 最快2020年投產使用

EUV光刻目前被三星、臺積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點上，制造的普遍是AP(應用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。

如何玩轉DDR？要先從這五大關鍵技術下手

差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。

美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗證中，暫不需要EUV光刻

三星是第一家量產18nm工藝，也就是第一個進入1X nm節(jié)點的，遙遙領先其他公司，美光現在也開始向1X nm工藝轉進，下一代的1Y nm工藝已經進入客戶驗證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節(jié)點在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。

2018年全球半導體超預期發(fā)展，資本支出將首度破千億美元大關

受惠于半導體產業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素，市場調查機構 IC insight 調查報告指出，2018 年全球半導體產業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關。

被動元器件缺料漲價，代工廠在苦撐

被動元器件自去年以來一直在漲價，截止目前漲價勢頭未見緩和。尤其是今年鋁電解電容的材料價格的上漲，以及環(huán)保政策使得原材料生產供應減少，不少代工廠甚至面臨斷料危機，災情慘烈。 受此影響，被動元件廠商供貨愈發(fā)緊俏，部分產品供應開始傾向部分客戶。據供應鏈廠商透露，近期，以國巨為代表的臺系被動元件大廠不再宣布價格調漲幅度，而是采取個別客戶議價方式，有些規(guī)格產品加價幅度甚至高達7成，仍然供不應求。

2018一季度全球內存市場“喜提”歷史新高

根據 TrendForce 存儲器儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價格走勢，除了繪圖用存儲器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有 15% 顯著上漲外，其余各應用別的存儲器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營收較 2017 年第四季成長 5.4%，再創(chuàng)新高。

DRAM產能不斷擴大，美光有望趕超SK海力士成全球第2大存儲器廠

近期DRAM需求暢旺，價格持續(xù)上漲，銷售量不斷攀升。面對制造DRAM勢不可擋利潤，芯片廠已將其視為肥肉，不斷擴大DRAM產能，但全球DRAM三大廠商的競爭仍有高低之分。

三星控制全球三分之二DRAM市場，中國企業(yè)無法超越

前兩天，三星電子發(fā)布公告顯示，第一季度營收為60.56萬億韓元(約561億美元)，同比增長19.8%;營業(yè)利潤為15.64萬億韓元(約145億美元)，同比增長58%。 而值得關注的是，在這15.64萬億韓元的利潤中，絕大部分來自于芯片業(yè)務，三星芯片業(yè)務第一季度實現營業(yè)利潤11.6萬億韓元，達到手機業(yè)務的3倍。從這個角度來看，三星已經不是傳統(tǒng)意義上人們認識中的智能手機廠商，而是一家標準的半導體(芯片)企業(yè)。

美光臺灣工廠今年導入先進制程

臺灣是全球第三大存儲器廠商美光科技(Micron)重要的DRAM生產基地，該公司持續(xù)于臺中廠與桃園廠投資先進制程，同時增聘人員。該公司從去年初至今年底，預計臺灣員工數將增加1,700人，成長幅度約三成。

矽品砸8.66億元新臺幣在福建建新廠

臺灣封測大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺幣8.66億元，著手廠房新建工程。

中國崛起！中國首個自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生

在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝;2018 年底量產 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產 8Gb LPDDR4;2019 年底實現產能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設;2021 年完成 17 納米技術研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。