SK Hynix斥資15萬(wàn)億韓元建設(shè)DRAM工廠

SK Hynix日前宣布了新的投資計(jì)劃，將斥資15萬(wàn)億韓元，約合134億美元或者916億人民幣在韓國(guó)總部京畿道利川市3.5萬(wàn)平方米的場(chǎng)地上建設(shè)新的工廠，編號(hào)M16。

IC Insights：至2020年半導(dǎo)體市場(chǎng)將高度成長(zhǎng)

研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 表示，今年包括手機(jī)與個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子系統(tǒng)產(chǎn)品出貨恐將疲軟，預(yù)期今年手機(jī)出貨量將減少 1%，個(gè)人計(jì)算機(jī)出貨量也將減少 1%，汽車出貨量將成長(zhǎng) 3%。

10nm工藝、速率高達(dá)6400Mb/s！三星首發(fā)8Gb LPDDR5 DRAM

最新消息，三星電子宣布 成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，采用10nm工藝。

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

美光芯片被判侵權(quán)在中國(guó)禁售，美國(guó)半導(dǎo)體科技股全線下挫

福州中法裁定對(duì)美光科技發(fā)出“訴中禁令”，其部分閃存SSD和內(nèi)存條DRAM將暫時(shí)禁止在中國(guó)銷售。美光有近半營(yíng)收來自中國(guó)市場(chǎng)，為阿里巴巴等IT巨頭的SSD模組供應(yīng)商。受此影響，美光科技股價(jià)一度深跌6.3%，高通、恩智浦、博通等芯片股全線下挫。

Q1季度全球半導(dǎo)體產(chǎn)值1158億美元 三星繼續(xù)保持第一,Intel第二

三星在擊敗英特爾成為半導(dǎo)體市場(chǎng)老大之后就一直維持現(xiàn)在的地位，當(dāng)季收入186.07億美元，同比大漲45.4%，市場(chǎng)份額達(dá)到了16.1%。

車用市場(chǎng)給力 NOR閃存再成大廠發(fā)展重點(diǎn)

智能汽車、5G以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的到來，驅(qū)動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)高密度NOR Flash的需求。一度因?yàn)槿萘啃?、成本高等缺點(diǎn)而邊緣化的NOR Flash，再次受到廠商的重視。曾一度被傳將要淡出NOR Flash領(lǐng)域的賽普拉斯近期推出Semper NOR閃存產(chǎn)品系列，美光的Xccela Flash系列也為NOR Flash打開新的大門。聚光燈終于不是只照在NAND Flash或DRAM上，在各大新勢(shì)能應(yīng)用的帶動(dòng)下，NOR Flash是否會(huì)迎來新的機(jī)遇?

美光DRAM/NAND路線圖：下半年推96層3D閃存，GDDR6已完成驗(yàn)證

受益于eMMC、eMCP市場(chǎng)，美光高價(jià)值移動(dòng)NAND閃存營(yíng)收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來自數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的內(nèi)存、閃存營(yíng)收同比增長(zhǎng)了87%。

短期內(nèi)中國(guó)大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國(guó)際與存儲(chǔ)器族群

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán)，預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬(wàn)片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬(wàn)片，中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬(wàn)片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國(guó)際購(gòu)并案推行不易，技術(shù)、人才取得受阻，導(dǎo)致短期內(nèi)中國(guó)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。

三星已啟動(dòng)EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 最快2020年投產(chǎn)使用

EUV光刻目前被三星、臺(tái)積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對(duì)CK#（CKN）的作用認(rèn)識(shí)很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。

美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗(yàn)證中，暫不需要EUV光刻

三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個(gè)進(jìn)入1X nm節(jié)點(diǎn)的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進(jìn)，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節(jié)點(diǎn)在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。

2018年全球半導(dǎo)體超預(yù)期發(fā)展，資本支出將首度破千億美元大關(guān)

受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) IC insight 調(diào)查報(bào)告指出，2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。

被動(dòng)元器件缺料漲價(jià)，代工廠在苦撐

被動(dòng)元器件自去年以來一直在漲價(jià)，截止目前漲價(jià)勢(shì)頭未見緩和。尤其是今年鋁電解電容的材料價(jià)格的上漲，以及環(huán)保政策使得原材料生產(chǎn)供應(yīng)減少，不少代工廠甚至面臨斷料危機(jī)，災(zāi)情慘烈。 受此影響，被動(dòng)元件廠商供貨愈發(fā)緊俏，部分產(chǎn)品供應(yīng)開始傾向部分客戶。據(jù)供應(yīng)鏈廠商透露，近期，以國(guó)巨為代表的臺(tái)系被動(dòng)元件大廠不再宣布價(jià)格調(diào)漲幅度，而是采取個(gè)別客戶議價(jià)方式，有些規(guī)格產(chǎn)品加價(jià)幅度甚至高達(dá)7成，仍然供不應(yīng)求。

2018一季度全球內(nèi)存市場(chǎng)“喜提”歷史新高

根據(jù) TrendForce 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價(jià)格走勢(shì)，除了繪圖用存儲(chǔ)器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有 15% 顯著上漲外，其余各應(yīng)用別的存儲(chǔ)器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營(yíng)收較 2017 年第四季成長(zhǎng) 5.4%，再創(chuàng)新高。

DRAM產(chǎn)能不斷擴(kuò)大，美光有望趕超SK海力士成全球第2大存儲(chǔ)器廠

近期DRAM需求暢旺，價(jià)格持續(xù)上漲，銷售量不斷攀升。面對(duì)制造DRAM勢(shì)不可擋利潤(rùn)，芯片廠已將其視為肥肉，不斷擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，但全球DRAM三大廠商的競(jìng)爭(zhēng)仍有高低之分。

三星控制全球三分之二DRAM市場(chǎng)，中國(guó)企業(yè)無(wú)法超越

前兩天，三星電子發(fā)布公告顯示，第一季度營(yíng)收為60.56萬(wàn)億韓元(約561億美元)，同比增長(zhǎng)19.8%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為15.64萬(wàn)億韓元(約145億美元)，同比增長(zhǎng)58%。 而值得關(guān)注的是，在這15.64萬(wàn)億韓元的利潤(rùn)中，絕大部分來自于芯片業(yè)務(wù)，三星芯片業(yè)務(wù)第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)11.6萬(wàn)億韓元，達(dá)到手機(jī)業(yè)務(wù)的3倍。從這個(gè)角度來看，三星已經(jīng)不是傳統(tǒng)意義上人們認(rèn)識(shí)中的智能手機(jī)廠商，而是一家標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體(芯片)企業(yè)。

美光臺(tái)灣工廠今年導(dǎo)入先進(jìn)制程

臺(tái)灣是全球第三大存儲(chǔ)器廠商美光科技(Micron)重要的DRAM生產(chǎn)基地，該公司持續(xù)于臺(tái)中廠與桃園廠投資先進(jìn)制程，同時(shí)增聘人員。該公司從去年初至今年底，預(yù)計(jì)臺(tái)灣員工數(shù)將增加1,700人，成長(zhǎng)幅度約三成。

矽品砸8.66億元新臺(tái)幣在福建建新廠

臺(tái)灣封測(cè)大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺(tái)幣8.66億元，著手廠房新建工程。

中國(guó)崛起！中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生

在近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國(guó)表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。