DRAM

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)

2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對(duì)20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)，目前已有10臺(tái)訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過，對(duì)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-18

ASML EUV光刻機(jī) EUV DRAM
三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米

消費(fèi)電子
2011-05-16

三星 OEM GB DRAM
三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(SamsungElectronics)成功將2GBDDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制

模擬
2011-05-13

三星 OEM GB DRAM
創(chuàng)見：臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏技術(shù)根基

創(chuàng)見董事長(zhǎng)束崇萬看好下半年DRAM和NANDFlash市場(chǎng)景氣都不錯(cuò)，對(duì)存儲(chǔ)器模塊廠而言，是風(fēng)險(xiǎn)不大的一年，但談到臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動(dòng)，而是臺(tái)灣沒有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)

模擬
2011-05-13

工控 PGA NANDFLASH DRAM
三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納

智能硬件
2011-05-13

三星 40納米 OEM DRAM
DRAM價(jià)格終升破1美元關(guān)卡

2010年底以來，跌落到1美元以下的DRAM價(jià)格，終恢復(fù)到1美元線上。DRAM代表性產(chǎn)品DDR3 1Gb 128Mx8 1066MHz，在2010年5月寫下2.72美元最高紀(jì)錄后，9月后半跌至2美元、12月后半跌破1美元等，價(jià)格急速下滑，進(jìn)入2011年后

智能硬件
2011-05-13

HZ MX DDR3 DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫(kù)存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機(jī)，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進(jìn)一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

模擬
2011-05-13

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底，3Q價(jià)格預(yù)期大漲

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫(kù)存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機(jī)，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進(jìn)一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

模擬
2011-05-12

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
臺(tái)系芯片封測(cè)公司4月營(yíng)收普遍走跌

封測(cè)廠4月營(yíng)收除了力成逆勢(shì)走揚(yáng)外，普遍較3月衰退達(dá)個(gè)位數(shù)幅度，隨著電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈疑慮逐漸消除，封測(cè)廠對(duì)于第2季營(yíng)運(yùn)展望樂觀以待。日月光預(yù)計(jì)，在代工價(jià)格不變的情況下，出貨量可望增加7~9%，硅品估計(jì)營(yíng)收季增率有

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-12

芯片 Flash NAND DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底，3Q價(jià)格預(yù)期大漲

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫(kù)存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機(jī)，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進(jìn)一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

模擬
2011-05-12

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底三季度硅晶圓價(jià)格預(yù)期將大漲

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫(kù)存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機(jī)，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進(jìn)一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

模擬
2011-05-11

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
半導(dǎo)體矽晶圓庫(kù)存快見底提前3周溝通Q3價(jià)格

受到日本地震影響，半導(dǎo)體矽晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫(kù)存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機(jī)，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進(jìn)一步影響上游矽晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

模擬
2011-05-09

半導(dǎo)體晶圓 DRAM
爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM　三星表現(xiàn)存疑態(tài)度

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉在三星主要首長(zhǎng)團(tuán)會(huì)議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(dá)(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。三

智能硬件
2011-05-09

半導(dǎo)體三星爾必達(dá) DRAM
一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)該季度營(yíng)收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。集邦科技稱，由于芯片制造商紛紛邁向高級(jí)制程工藝，芯片產(chǎn)能得到

模擬
2011-05-06

芯片制造商內(nèi)存芯片 DRAM芯片 DRAM
一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)該季度營(yíng)收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。集邦科技稱，由于芯片制造商紛紛邁向高級(jí)制程工藝，芯片產(chǎn)能得到

智能硬件
2011-05-06

芯片制造商內(nèi)存芯片 DRAM芯片 DRAM
日震余波半導(dǎo)體Q2變數(shù)多

日本311大地震發(fā)生已超過一個(gè)月，但對(duì)于臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈及市場(chǎng)需求影響才正要開始，市場(chǎng)普遍預(yù)料晶圓代工、封測(cè)及IC設(shè)計(jì)廠第2季營(yíng)運(yùn)恐受沖擊，唯獨(dú)DRAM廠反而可望受惠。日本大地震后，盡管各家廠商手

半導(dǎo)體
2011-05-05

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈 BSP DRAM
臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大臺(tái)當(dāng)局否決出資整并

針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠，經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elpi

消費(fèi)電子
2011-05-05

集成存儲(chǔ)器爾必達(dá) DRAM
臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大臺(tái)當(dāng)局否決出資整并

針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠，經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elp

智能硬件
2011-05-04

集成美光爾必達(dá) DRAM
臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大　臺(tái)當(dāng)局否決出資整并

針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有DRAM廠，經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elpid

模擬
2011-05-04

集成存儲(chǔ)器爾必達(dá) DRAM
蘋果-三星的合作關(guān)系變質(zhì)

蘋果公司和三星公司一度曾是非常緊密的合作關(guān)系，不過現(xiàn)在，這兩家公司卻鬧了起來，此舉將較大幅度的降低三星公司市場(chǎng)份額。據(jù)報(bào)道，2010年蘋果公司在三星訂購(gòu)了數(shù)量驚人的DRAM，NAND閃存以及其他半導(dǎo)體元器件，占三

消費(fèi)電子
2011-05-04

三星蘋果蘋果公司 DRAM

首頁(yè) 上一頁(yè) 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 下一頁(yè) 尾頁(yè)

DRAM

ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)

三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

創(chuàng)見：臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏技術(shù)根基

三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM價(jià)格終升破1美元關(guān)卡

半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底

半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底，3Q價(jià)格預(yù)期大漲

臺(tái)系芯片封測(cè)公司4月營(yíng)收普遍走跌

半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底，3Q價(jià)格預(yù)期大漲

半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存六月將見底三季度硅晶圓價(jià)格預(yù)期將大漲

半導(dǎo)體矽晶圓庫(kù)存快見底提前3周溝通Q3價(jià)格

爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM　三星表現(xiàn)存疑態(tài)度

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

日震余波半導(dǎo)體Q2變數(shù)多

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大臺(tái)當(dāng)局否決出資整并

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大臺(tái)當(dāng)局否決出資整并

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大　臺(tái)當(dāng)局否決出資整并

蘋果-三星的合作關(guān)系變質(zhì)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻