Feb. 26, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于AI應(yīng)用由LLM模型訓(xùn)練延伸至推理,推動(dòng)CSPs業(yè)者的數(shù)據(jù)中心建置重心由AI Server延伸至General Server,進(jìn)一步推動(dòng)存儲(chǔ)器采購重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各類容量的RDIMM,積極釋出追加訂單,帶動(dòng)Conventional DRAM的合約價(jià)大幅上漲,2025年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營收為535.8億美元,較上季度增加29.4%。
Feb. 2, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)調(diào)查,2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲(chǔ)器供需失衡,原廠議價(jià)能力有增無減,TrendForce集邦咨詢據(jù)此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季成長幅度,預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的季增55-60%,改為上漲90-95%,NAND Flash合約價(jià)則從季增33-38%上調(diào)至55-60%,并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。
1月20日消息,全球內(nèi)存瘋漲讓原廠賺得盆滿缽滿,紛紛給員工發(fā)放豐厚的年終獎(jiǎng)。
Jan. 22, 2026 ---- 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新研究,AI的創(chuàng)新帶來市場結(jié)構(gòu)性變化,數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴(kuò)大,除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產(chǎn)品配置,以支撐大型模型參數(shù)存取、長序列推理與多任務(wù)并行運(yùn)作之外,NAND Flash也是高速數(shù)據(jù)流動(dòng)的關(guān)鍵基礎(chǔ)元件,因此存儲(chǔ)器已成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)中不可或缺的關(guān)鍵資源,更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產(chǎn)能之下必須達(dá)成更多的分配,帶動(dòng)報(bào)價(jià)不斷上漲,連帶使得整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逐年創(chuàng)高,預(yù)估2026年達(dá)5,516億美元,2027年則將再創(chuàng)高峰達(dá)8,427億美元,年增53%。
1月20日消息,即便玩家們已經(jīng)對2026年的電子產(chǎn)品普漲有了心理準(zhǔn)備,但三星最新給出的定價(jià)策略依然讓人完全意想不到。
Jan. 19, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新DRAM產(chǎn)業(yè)調(diào)查,隨著Micron(美光科技)計(jì)劃以18億美元收購PSMC(力積電)在銅鑼的廠房(不含生產(chǎn)相關(guān)機(jī)器設(shè)備),雙方將建立長期的DRAM先進(jìn)封裝代工關(guān)系,此次合作將有利于Micron增添先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能,并提升PSMC的成熟制程DRAM供應(yīng),預(yù)估2027年全球DRAM產(chǎn)業(yè)供給將有上修空間。
業(yè)界首款專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系統(tǒng)解決方案
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應(yīng)用,以滿足AI Server需求,導(dǎo)致其他市場供給嚴(yán)重緊縮,預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能,和Server強(qiáng)勁拉貨排擠其他應(yīng)用,預(yù)計(jì)各類產(chǎn)品合約價(jià)持續(xù)上漲33-38%。
12月23日消息,三星在本月推出了Exynos 2600,這是全球首款2nm手機(jī)芯片。不過三星做出了一個(gè)頗為反常的舉動(dòng)—未在Exynos 2600中集成5G基帶,此舉可能是為了簡化應(yīng)用處理器的制造流程。
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,內(nèi)存是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與訪問的核心組件,直接影響系統(tǒng)性能與效率。SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為兩種主流內(nèi)存技術(shù),各自占據(jù)獨(dú)特生態(tài)位。
Dec. 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,近期因存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)供不應(yīng)求,帶動(dòng)一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格急速攀升,盡管HBM3e受惠于GPU、ASIC訂單同步上修,價(jià)格也隨之走揚(yáng),但是預(yù)期未來一年HBM3e和DDR5的平均銷售價(jià)格(ASP)差距仍將明顯收斂。
12月16日消息,據(jù)TrendForce最新調(diào)查,臺(tái)積電第三季度全球晶圓代工市占率攀升至71%的歷史新高,進(jìn)一步鞏固了其行業(yè)霸主地位;而三星電子市占率則下降0.5個(gè)百分點(diǎn)至6.8%,位列第二,雙方差距持續(xù)擴(kuò)大。
Dec. 11, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于預(yù)期2026年第一季存儲(chǔ)器價(jià)格將顯著上漲,全球終端產(chǎn)品面臨艱巨的成本考驗(yàn),智能手機(jī)、筆電產(chǎn)業(yè)上修產(chǎn)品價(jià)格、調(diào)降規(guī)格,銷量展望再度下修已難避免,資源優(yōu)勢將向少數(shù)龍頭品牌高度集中。
12月4日消息,剛剛,美光又往內(nèi)存漲價(jià)的“傷口”上狠狠撒了一把鹽。
2025年12月3日,中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM,該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù),提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案,適用于電視、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備、工業(yè)計(jì)算機(jī)及嵌入式應(yīng)用等多元市場。
12月2日消息,面對內(nèi)存瘋狂漲價(jià)的局面,全球前兩大存儲(chǔ)巨頭三星、SK海力士卻拒絕擴(kuò)大產(chǎn)量,而是以盈利考慮優(yōu)先。
11月28日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子近期對其高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)開發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了組織調(diào)整,撤銷原隸屬于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)DS部門下的HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì),相關(guān)人員整體并入DRAM開發(fā)室。這一變動(dòng)引發(fā)市場對三星HBM業(yè)務(wù)推進(jìn)節(jié)奏與內(nèi)部協(xié)同效率的關(guān)注。
Nov. 26, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合約價(jià)上漲、出貨量季增,且HBM出貨規(guī)模擴(kuò)張,推升DRAM產(chǎn)業(yè)營收較前一季成長30.9%,達(dá)414億美元。
11月20日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置,主要受益于高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產(chǎn)品價(jià)格的持續(xù)上漲,推動(dòng)其銷售額創(chuàng)下歷史新高。
11月18日消息,隨著全球DRAM價(jià)格持續(xù)飆升,普通用戶不得不以高出往常兩倍的價(jià)格購買內(nèi)存,不過三星大本營韓國的DIY市場漲幅則更為驚人。