溢價太離譜！三星新一代筆記本直接漲價超3300元

1月20日消息，即便玩家們已經(jīng)對2026年的電子產(chǎn)品普漲有了心理準備，但三星最新給出的定價策略依然讓人完全意想不到。

TrendForce集邦咨詢: 美光收購力積電銅鑼晶圓廠，2027年全球DRAM供給或?qū)⑸闲?/a>

Cadence 采用下一代低功耗 DRAM 和 Microsoft RAIDDR ECC 技術(shù)，為人工智能應(yīng)用提供企業(yè)級可靠性

業(yè)界首款專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系統(tǒng)解決方案

TrendForce集邦咨詢: 原廠產(chǎn)能傾向Server應(yīng)用，2026年第一季度各類存儲器產(chǎn)品價格全面持續(xù)上漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應(yīng)用，以滿足AI Server需求，導(dǎo)致其他市場供給嚴重緊縮，預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能，和Server強勁拉貨排擠其他應(yīng)用，預(yù)計各類產(chǎn)品合約價持續(xù)上漲33-38%。

首款2nm芯片三星Exynos 2600沒有集成5G基帶：需要單獨外掛

12月23日消息，三星在本月推出了Exynos 2600，這是全球首款2nm手機芯片。不過三星做出了一個頗為反常的舉動—未在Exynos 2600中集成5G基帶，此舉可能是為了簡化應(yīng)用處理器的制造流程。

SRAM與DRAM的區(qū)別

在計算機和電子設(shè)備中，內(nèi)存是數(shù)據(jù)存儲與訪問的核心組件，直接影響系統(tǒng)性能與效率。SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為兩種主流內(nèi)存技術(shù)，各自占據(jù)獨特生態(tài)位。

TrendForce集邦咨詢: DDR5高獲利放大產(chǎn)能排擠效應(yīng)，2026年HBM3e定價動能同步轉(zhuǎn)強

Dec. 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，近期因存儲器市況呈現(xiàn)供不應(yīng)求，帶動一般型DRAM(Conventional DRAM)價格急速攀升，盡管HBM3e受惠于GPU、ASIC訂單同步上修，價格也隨之走揚，但是預(yù)期未來一年HBM3e和DDR5的平均銷售價格(ASP)差距仍將明顯收斂。

三星晶圓代工市場份額跌破7% 積極與AMD洽談2nm訂單

12月16日消息，據(jù)TrendForce最新調(diào)查，臺積電第三季度全球晶圓代工市占率攀升至71%的歷史新高，進一步鞏固了其行業(yè)霸主地位;而三星電子市占率則下降0.5個百分點至6.8%，位列第二，雙方差距持續(xù)擴大。

TrendForce集邦咨詢: 預(yù)計2026年第一季度存儲器漲勢持續(xù)強勁，智能手機、筆電品牌啟動價格上修與規(guī)格降級

Dec. 11, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于預(yù)期2026年第一季存儲器價格將顯著上漲，全球終端產(chǎn)品面臨艱巨的成本考驗，智能手機、筆電產(chǎn)業(yè)上修產(chǎn)品價格、調(diào)降規(guī)格，銷量展望再度下修已難避免，資源優(yōu)勢將向少數(shù)龍頭品牌高度集中。

三星、SK海力士、美光聯(lián)手放縱內(nèi)存漲價！

12月4日消息，剛剛，美光又往內(nèi)存漲價的“傷口”上狠狠撒了一把鹽。

華邦電子推出先進 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 專為工業(yè)與嵌入式應(yīng)用而生

2025年12月3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案，適用于電視、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備、工業(yè)計算機及嵌入式應(yīng)用等多元市場。

三星、SK海力士拒絕擴大內(nèi)存產(chǎn)量：賺錢優(yōu)先

12月2日消息，面對內(nèi)存瘋狂漲價的局面，全球前兩大存儲巨頭三星、SK海力士卻拒絕擴大產(chǎn)量，而是以盈利考慮優(yōu)先。

三星電子整合HBM技術(shù)路線 核心團隊并入DRAM開發(fā)體系

11月28日消息，據(jù)媒體報道，三星電子近期對其高帶寬存儲器(HBM)開發(fā)團隊進行了組織調(diào)整，撤銷原隸屬于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)DS部門下的HBM開發(fā)團隊，相關(guān)人員整體并入DRAM開發(fā)室。這一變動引發(fā)市場對三星HBM業(yè)務(wù)推進節(jié)奏與內(nèi)部協(xié)同效率的關(guān)注。

TrendForce集邦咨詢: 2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增30.9%，達414億美元

Nov. 26, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合約價上漲、出貨量季增，且HBM出貨規(guī)模擴張，推升DRAM產(chǎn)業(yè)營收較前一季成長30.9%，達414億美元。

市占率達34.8%！三星第三季度DRAM銷量重奪市場第一

11月20日消息，據(jù)媒體報道，三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置，主要受益于高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產(chǎn)品價格的持續(xù)上漲，推動其銷售額創(chuàng)下歷史新高。

內(nèi)存價格瘋狂上漲！三星DDR5-5600 16GB三個月漲超300%

11月18日消息，隨著全球DRAM價格持續(xù)飆升，普通用戶不得不以高出往常兩倍的價格購買內(nèi)存，不過三星大本營韓國的DIY市場漲幅則更為驚人。

TrendForce集邦咨詢：存儲器產(chǎn)業(yè)2026年資本支出仍顯保守，對位元產(chǎn)出成長助力有限

Nov. 13, 2025 ----- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，隨著存儲器平均銷售價格(ASP)持續(xù)提升，供應(yīng)商獲利也有所增加，DRAM與NAND Flash后續(xù)的資本支出將會持續(xù)上漲，但對于2026年的位元產(chǎn)出成長的助力有限。DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)的投資重心正逐漸轉(zhuǎn)變，從單純地擴充產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價值產(chǎn)品。

價值20億美元！三星SDI將為特斯拉供應(yīng)儲能系統(tǒng)電池

11月4日消息，據(jù)媒體報道，韓國三星SDI與特斯拉正式達成一項為期三年的ESS(能源存儲系統(tǒng))電池供應(yīng)協(xié)議，總價值超過3萬億韓元(約合21.1億美元)。

美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求

192GB SOCAMM2 搭載 LPDDR5X，鞏固美光在 AI 基礎(chǔ)設(shè)施高能效解決方案的領(lǐng)先地位

TrendForce集邦咨詢：4Q25 DRAM價格延續(xù)漲勢，服務(wù)器需求提前發(fā)酵、舊制程產(chǎn)品漲幅仍較大

Sep. 24, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于三大DRAM原廠持續(xù)優(yōu)先分配先進制程產(chǎn)能給高階Server DRAM和HBM，排擠PC、Mobile和Consumer應(yīng)用的產(chǎn)能，同時受各終端產(chǎn)品需求分化影響，第四季舊制程DRAM價格漲幅依舊可觀，新世代產(chǎn)品漲勢相對溫和。預(yù)估整體一般型DRAM (Conventional DRAM)價格將季增8-13%，若加計HBM，漲幅將擴大至13-18%