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美光推出全新 Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存，為消費者提供下一代臺式電腦所需的高速度和海量帶寬
與 DDR4 內(nèi)存相比，Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高 50%，達到 4800MT/s，開箱即用的有效帶寬幾乎翻倍
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3?DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實現(xiàn)遠比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲密度以及帶寬。
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DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？
DRAM制造工藝上的1x、1y、1z1z之類的代表的是什么？DRAM產(chǎn)品目前處在10-20nm工藝制造的階段，并且由于DRAM制程工藝進入20nm以后，制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成類似1x、1y、1z的定義。1x-nm制程相當于16~...
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
（全球TMT2021年10月20日訊）SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3?DRAM。? HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術(shù)，由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。...
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集邦：DRAM明年供過于求，恐進入跌價周期
市調(diào)機構(gòu)集邦科技指出，隨著后續(xù)買方對DRAM的采購動能收斂，加上現(xiàn)貨價格領(lǐng)跌所帶動，第四季合約價反轉(zhuǎn)機會大，預估將下跌3～8％，結(jié)束僅三個季度的上漲周期。而在買賣雙方心理博弈之際，后續(xù)供給方的擴產(chǎn)策略，與需求端的成長力道，將成為影響2022年DRAM產(chǎn)業(yè)走勢最關(guān)鍵的因素，預期20...
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三星宣布：14納米EUV?DDR5?DRAM正式量產(chǎn)
10月12日消息，三星宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14nmDRAM。繼去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優(yōu)質(zhì)、先進的DRAM工藝。三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管JooyoungLee表示，“通過...
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三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)
（全球TMT2021年10月12日訊）三星宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優(yōu)質(zhì)、先進的DRAM工藝。 “通過開拓關(guān)鍵的圖...
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內(nèi)存不再好賣，DRAM合約價格四季度跌幅將超出預期
9月23日消息，據(jù)國外媒體報道，在今年8月份，研究機構(gòu)就曾表示，由于供求狀況發(fā)生了變化，加之供求雙方存在較大的分歧，在三季度已經(jīng)過了一半的情況下，供求雙方仍未就三季度DRAM的合約價格達成一致。
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
本文將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關(guān)的微負載效應與制造變量。
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供過于求，近幾個季度DRAM價格大幅下跌：美光確認EUV工藝
由于供過于求，近幾個季度DRAM價格大幅下跌。為了降低成本，并為內(nèi)存所需要的新應用程序做好準備，DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認需要平衡DRAM的供需，但實際上他們?yōu)閿U大生產(chǎn)能力制定了積極的計劃，因為他們需要為即將到來的制造技術(shù)提供更干凈的空間。
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推進內(nèi)存和存儲迭代升級，美光將1α DRAM與176 層 NAND 實現(xiàn)更為全面量產(chǎn)落地
1α DRAM和176層NAND是下一代內(nèi)存和存儲產(chǎn)品的重要技術(shù)突破，行業(yè)內(nèi)正在跟隨這一技術(shù)路線進行產(chǎn)品創(chuàng)新升級。此前這兩項新技術(shù)在發(fā)布之時也宣布了重要產(chǎn)品的量產(chǎn)發(fā)布，例如LPDDR5等。但在近日臺北Computex展會同期，美光繼續(xù)推進這兩項創(chuàng)新技術(shù)的的下放和量產(chǎn)，推出了更多適用于更大終端市場的全新內(nèi)存和存儲產(chǎn)品，全面推進PC、數(shù)據(jù)中心和汽車等應用場景升級。
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美光發(fā)布第六次年度可持續(xù)發(fā)展報告，可持續(xù)項目成果顯著，進一步堅定促進創(chuàng)新與社會發(fā)展的承諾
內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商Micron Technology Inc.近日發(fā)布《快步前行：美光 2021 年可持續(xù)發(fā)展報告》，凸顯美光在特殊時期不但體現(xiàn)出企業(yè)韌性，更在促進創(chuàng)新、人、社區(qū)和制造等方面取得長足進展。
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應用材料公司推出DRAM微縮領(lǐng)域的材料工程解決方案
應用材料公司今天宣布推出一系列材料工程解決方案，為存儲客戶提供三種全新進一步微縮DRAM的方法，并加速改善芯片性能、功率、面積、成本和上市時間(即：PPACt)。
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解讀世界上最先進的1α DRAM工藝——專訪美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran
近年來在DRAM的工藝節(jié)點上，美光一直處于先行者的位置。近期在第四代DRAM工藝制程的研發(fā)中，美光也率先實現(xiàn)了突破并開始量產(chǎn)1α DRAM產(chǎn)品。
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SK海力士CEO官宣：未來十年加大研發(fā)10nm以下芯片工藝
Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商，也在整個半導體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國無錫的半導體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。
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SRAM與DRAM有啥區(qū)別？
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。近年來SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。
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美光發(fā)布1α DRAM 制程技術(shù)，引領(lǐng)DRAM技術(shù)革新
“我們對于未來充滿了信心，因為在美光超過40年的歷史當中，現(xiàn)在是史上首次，不管是在DRAM技術(shù)還是在NAND的技術(shù)上，我們同時實現(xiàn)了領(lǐng)先?！?/p>
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
進一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位
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美光率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)
美光進一步鞏固了在DRAM和NAND領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位！
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美光：5G引發(fā)的內(nèi)存和存儲演進
美光科技2020年推出的LPDDR5、GDDR6X、176層3D NAND引領(lǐng)了內(nèi)存和存儲的進化。展望未來，內(nèi)存和存儲的區(qū)別將越來越模糊，在2021年，將看到企業(yè)正在尋求新型解決方案，例如存儲級內(nèi)存和內(nèi)存虛擬化，以進一步釋放AI及激增的數(shù)據(jù)量帶來的價值。
