DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？
[導(dǎo)讀]DRAM制造工藝上的1x、1y、1z1z之類的代表的是什么？DRAM產(chǎn)品目前處在10-20nm工藝制造的階段，并且由于DRAM制程工藝進(jìn)入20nm以后，制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成類似1x、1y、1z的定義。1x-nm制程相當(dāng)于16~...
DRAM制造工藝上的1x、1y、1z1z之類的代表的是什么？DRAM產(chǎn)品目前處在10-20nm工藝制造的階段，并且由于DRAM制程工藝進(jìn)入20nm以后，制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成類似1x、1y、1z的定義。
1x-nm制程相當(dāng)于16~19nm；1y-nm制程相當(dāng)于14~16nm；1z-nm制程相當(dāng)于12~14nm。
而在早前，美光發(fā)布了其最新的1α DRAM 制程技術(shù)，這代表著業(yè)界DRAM技術(shù)的最高水平。對于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。
采用該制程技術(shù)的LPDDR5產(chǎn)品將在實現(xiàn)更高性能同時達(dá)到更好的功耗表現(xiàn)，為一共行業(yè)提供15%節(jié)能的DRAM平臺，幫助5G手機(jī)實現(xiàn)更長續(xù)航表現(xiàn)。1α 工藝制程提供了從8Gb～16Gb的密度，DDR4和LPDDR4產(chǎn)品也可以使用該新工藝來生產(chǎn)。所以針對有著存量市場的客戶而言，可以采用更低成本實現(xiàn)系統(tǒng)性能提升，例如數(shù)據(jù)中心等。
這個1α又指的是什么？除了1α，美光曾經(jīng)公布的演進(jìn)路線圖中，在1α之后會是1β和1γ。
1α則是DRAM制程在1z之后的一個演進(jìn)，根據(jù)現(xiàn)階段所知的消息，1α的制造工藝大致對應(yīng)于10-12nm的工藝。
1α-nm可能對應(yīng)的是更小的12~14nm，1β-nm可能對應(yīng)的是10~12nm，1γ-nm可能對應(yīng)的是10nm。
當(dāng)然，相比計算相關(guān)器件，DRAM在制程演進(jìn)上更加困難。美光持續(xù)推進(jìn)更高工藝，不僅能夠提供更低的功耗，還能夠為產(chǎn)品提供更好的密度。
針對這款產(chǎn)品，
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1x-nm制程相當(dāng)于16~19nm；1y-nm制程相當(dāng)于14~16nm；1z-nm制程相當(dāng)于12~14nm。
而在早前，美光發(fā)布了其最新的1α DRAM 制程技術(shù)，這代表著業(yè)界DRAM技術(shù)的最高水平。對于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。
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1α-nm可能對應(yīng)的是更小的12~14nm，1β-nm可能對應(yīng)的是10~12nm，1γ-nm可能對應(yīng)的是10nm。
當(dāng)然，相比計算相關(guān)器件，DRAM在制程演進(jìn)上更加困難。美光持續(xù)推進(jìn)更高工藝，不僅能夠提供更低的功耗，還能夠為產(chǎn)品提供更好的密度。
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