DRAM

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全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季營(yíng)收83億美元小跌4%

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季營(yíng)收數(shù)字83億美元，雖然DRAM合約均價(jià)較上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM顆?？偖a(chǎn)出量較前一季約成長(zhǎng)15%，以及各DRAM廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型D

智能硬件
2011-05-03

DRAM BSP 海力士爾必達(dá)
爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM 第三季產(chǎn)能將達(dá)到近8萬(wàn)枚/月

日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器（ElpidaMemory）宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子（RexchipElectronics）的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比

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2011-05-03

GB TDD DRAM 爾必達(dá)
日本地震硅晶圓廠受損

日本東北震災(zāi)至今已過(guò)一個(gè)半月，由于原物料供應(yīng)可能短缺的疑慮下，DRAM產(chǎn)業(yè)亦掀起搶料大作戰(zhàn)，其中又以受創(chuàng)較為嚴(yán)重的硅晶圓供應(yīng)為最。受到地震沖擊下，先前傳出有硅晶圓取得有困難的廠商，除了獲得廠商支持與手上庫(kù)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-02

晶圓廠硅晶圓 DRAM 爾必達(dá)
力成首季財(cái)報(bào)激勵(lì) 突破反壓

力成（6239）首季財(cái)報(bào)繳出亮麗成績(jī)單，本季營(yíng)收可望持續(xù)成長(zhǎng)，激勵(lì)力成上周五股以漲停板104元作收，股價(jià)突破所有短中長(zhǎng)期均線(xiàn)反壓，投信、外資分別回補(bǔ)持股。力成上周召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭對(duì)第2季營(yíng)運(yùn)展望樂(lè)

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2011-05-01

Flash NAND DRAM 爾必達(dá)
臺(tái)灣DRAM廠商陷入被動(dòng) 傳美光欲收購(gòu)華亞剩余股份

據(jù)美臺(tái)商會(huì)（US-TaiwanBusinessCouncil）的一份報(bào)告稱(chēng)，美光公司可能會(huì)收購(gòu)其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱(chēng)：“美國(guó)內(nèi)存芯片廠商美光與南亞和華亞兩家內(nèi)存芯片公司的

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2011-04-28

芯片廠商美光內(nèi)存芯片 DRAM
臺(tái)灣DRAM廠商陷入被動(dòng) 傳美光欲收購(gòu)華亞剩余股份

據(jù)美臺(tái)商會(huì)（US-Taiwan Business Council）的一份報(bào)告稱(chēng)，美光公司可能會(huì)收購(gòu)其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱(chēng)：“美國(guó)內(nèi)存芯片廠商美光與南亞和華亞兩家內(nèi)存芯

智能硬件
2011-04-28

芯片廠商美光內(nèi)存芯片 DRAM
日本硅晶廠復(fù)產(chǎn) 終端消費(fèi)需求有望再啟動(dòng)

受地震影響的日本三大硅晶圓巨頭本周紛紛宣布旗下的工廠復(fù)產(chǎn)進(jìn)展好于預(yù)期，將于近期內(nèi)重新啟動(dòng)生產(chǎn)，目前硅晶圓供需緊張、價(jià)格上漲的趨勢(shì)將有望得到緩解。但日本地震對(duì)全球半導(dǎo)體芯片供應(yīng)鏈的影響仍然存在。BT樹(shù)脂的

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2011-04-27

供應(yīng)鏈終端硅晶圓 DRAM
傳爾必達(dá)將利用臺(tái)日工廠量產(chǎn)30nm DRAM 月產(chǎn)12萬(wàn)片

日經(jīng)新聞27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃利用日本廣島工廠與臺(tái)灣子公司瑞晶電子(4932)正式量產(chǎn)采用30nm制程的DRAM產(chǎn)品，并計(jì)劃于今(2011)年內(nèi)將其月產(chǎn)能自現(xiàn)行的數(shù)千片(以12寸晶圓換算；以下同)擴(kuò)增至12

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2011-04-27

晶圓 PID DRAM 爾必達(dá)
轉(zhuǎn)向晶圓代工力晶告別急漲急跌

力晶（5346）昨日董事會(huì)通過(guò)更新?tīng)I(yíng)運(yùn)模式議案，透過(guò)與日商爾必達(dá)（Elpida）達(dá)成的DRAM產(chǎn)銷(xiāo)新協(xié)議，力晶的專(zhuān)利授權(quán)、技轉(zhuǎn)費(fèi)用將可大幅下降，并無(wú)償取得MobileDRAM技術(shù)及銷(xiāo)售權(quán)，力晶說(shuō)，隨著晶圓代工、自有產(chǎn)品業(yè)務(wù)的

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2011-04-27

晶圓代工 MOBILE DRAM 爾必達(dá)
美光：內(nèi)存廠要DRAM、NAND Flash雙棲否則存活不易

美光(Micron)企業(yè)發(fā)展副總裁MichaelSadler表示，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)正從谷底復(fù)蘇，最壞情況已過(guò)，未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)將處于供給平衡狀態(tài)，NANDFlash產(chǎn)業(yè)則會(huì)供不應(yīng)求，且在平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等應(yīng)用對(duì)于NANDFlash芯

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2011-04-27

內(nèi)存 Flash NAND DRAM
力晶沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，估年底占產(chǎn)能逾半

力晶(5346)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM未來(lái)將轉(zhuǎn)為爾必達(dá)代工生產(chǎn)，在自身的產(chǎn)能調(diào)配上將更加靈活，力晶發(fā)言人譚仲民說(shuō)，接下來(lái)將全力沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)估今年底將占超過(guò)一半產(chǎn)能，另外，由于公司矽晶圓的料源供應(yīng)相當(dāng)分散，其中一

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2011-04-26

晶圓代工 Flash NAND DRAM
移動(dòng)應(yīng)用為DRAM注入發(fā)展動(dòng)力

移動(dòng)DRAM(MobileDRAM)廠商正面臨著庫(kù)存不足，以及因應(yīng)智慧手機(jī)(Smartpnohe)和平板裝置(Tablets)而生的對(duì)產(chǎn)量及帶寬需求，迫使業(yè)者必須轉(zhuǎn)向下一代技術(shù)的挑戰(zhàn)。在廣泛的DRAM領(lǐng)域內(nèi)，所有業(yè)者都竭盡全力爭(zhēng)取移動(dòng)DRAM這一

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2011-04-25

LED 移動(dòng)應(yīng)用 MOBILE DRAM
移動(dòng)應(yīng)用為DRAM注入發(fā)展動(dòng)力

移動(dòng) DRAM (Mobile DRAM)廠商正面臨著庫(kù)存不足，以及因應(yīng)智慧手機(jī)(Smartpnohe)和平板裝置(Tablets)而生的對(duì)產(chǎn)量及帶寬需求，迫使業(yè)者必須轉(zhuǎn)向下一代技術(shù)的挑戰(zhàn)。在廣泛的DRAM領(lǐng)域內(nèi)，所有業(yè)者都竭盡全力爭(zhēng)取移動(dòng)DRA

智能硬件
2011-04-25

移動(dòng)應(yīng)用 MOBILE DRAM BSP
全球電子供應(yīng)鏈的亞洲“高?！钡貐^(qū)

IHSiSuppli公司的研究顯示，日本地震對(duì)全球電子供應(yīng)鏈的嚴(yán)重破壞，也可能在其它亞洲地區(qū)重現(xiàn)，因?yàn)榭萍籍a(chǎn)業(yè)在一些國(guó)家和地區(qū)高度集中。日本發(fā)生的災(zāi)害顯示，如果電子制造業(yè)集中在某一個(gè)國(guó)家或地區(qū)，就可能對(duì)高度關(guān)聯(lián)

半導(dǎo)體
2011-04-24

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈電子 DRAM
前進(jìn)大陸泰林4千萬(wàn)美元并購(gòu)上海封裝廠宏茂微

IC測(cè)試廠泰林(5466)22日舉行董事會(huì)通過(guò)重大轉(zhuǎn)投資案，預(yù)計(jì)將以3995萬(wàn)美元取得上海封裝廠宏茂微100%股權(quán)與其經(jīng)營(yíng)權(quán)，預(yù)計(jì)最快今年第四季將可成行。泰林總經(jīng)理卓連發(fā)說(shuō)明，由于宏茂微的母公司為Modern Mind，并持有宏茂

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2011-04-23

封裝 Flash MODERN DRAM
強(qiáng)震過(guò)后話(huà)產(chǎn)業(yè)

經(jīng)受日本大地震之后如何看待全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)成為焦點(diǎn)。目前業(yè)界有一種看法是認(rèn)為地震至多影響一個(gè)季度，而且對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)的影響不大。如市場(chǎng)分析公司iSuppli于4月5日?qǐng)?bào)道，由之前預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為3201億美元

半導(dǎo)體
2011-04-22

三星芯片 DRAM
日本強(qiáng)震過(guò)后全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不祥征兆

經(jīng)受日本大地震之后如何看待全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)成為焦點(diǎn)。目前業(yè)界有一種看法是認(rèn)為地震至多影響一個(gè)季度，而且對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)的影響不大。如市場(chǎng)分析公司iSuppli于4月5日?qǐng)?bào)道，由之前預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為3201億美

單片機(jī)
2011-04-21

三星半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) DRAM
NAND閃存芯片價(jià)格4月份上半月創(chuàng)7個(gè)月新高

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)臺(tái)灣集邦科技(dramexchangetechnologyinc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價(jià)格在4月份的上半個(gè)月創(chuàng)7個(gè)月的新高，反應(yīng)了在上個(gè)月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲(chǔ)芯片價(jià)格的情況。

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2011-04-20

閃存芯片 NAND閃存 EXCHANGE DRAM
日本硅晶廠復(fù)產(chǎn)超預(yù)期 BT樹(shù)脂將成焦點(diǎn)

受地震影響的日本三大硅晶圓巨頭本周紛紛宣布旗下的工廠復(fù)產(chǎn)進(jìn)展好于預(yù)期，將于近期內(nèi)重新啟動(dòng)生產(chǎn)，目前硅晶圓供需緊張、價(jià)格上漲的趨勢(shì)將有望得到緩解。但日本地震對(duì)全球半導(dǎo)體芯片供應(yīng)鏈的影響仍然存在。BT樹(shù)脂的

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2011-04-20

供應(yīng)鏈半導(dǎo)體芯片硅晶圓 DRAM
DRAM價(jià)跌，茂德9月?tīng)I(yíng)收月減7.6%

因DRAM價(jià)格下滑，茂德(5387)9月?tīng)I(yíng)收22.25億元，自8月的近兩年新高24.07億下滑7.6%，仍為今年單月第三高，也比去年同期成長(zhǎng)119.54%。今年前9月?tīng)I(yíng)收為176.31億元，比去年同期成長(zhǎng)163.22%。 DRAM價(jià)格走跌，中止茂德?tīng)I(yíng)

顯示光電
2011-04-20

GB DDR3 DRAM 爾必達(dá)

首頁(yè) 上一頁(yè) 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 下一頁(yè) 尾頁(yè)

DRAM

全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季營(yíng)收83億美元小跌4%

爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM 第三季產(chǎn)能將達(dá)到近8萬(wàn)枚/月

日本地震硅晶圓廠受損

力成首季財(cái)報(bào)激勵(lì) 突破反壓

臺(tái)灣DRAM廠商陷入被動(dòng) 傳美光欲收購(gòu)華亞剩余股份

臺(tái)灣DRAM廠商陷入被動(dòng) 傳美光欲收購(gòu)華亞剩余股份

日本硅晶廠復(fù)產(chǎn) 終端消費(fèi)需求有望再啟動(dòng)

傳爾必達(dá)將利用臺(tái)日工廠量產(chǎn)30nm DRAM 月產(chǎn)12萬(wàn)片

轉(zhuǎn)向晶圓代工力晶告別急漲急跌

美光：內(nèi)存廠要DRAM、NAND Flash雙棲否則存活不易

力晶沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，估年底占產(chǎn)能逾半

移動(dòng)應(yīng)用為DRAM注入發(fā)展動(dòng)力

移動(dòng)應(yīng)用為DRAM注入發(fā)展動(dòng)力

全球電子供應(yīng)鏈的亞洲“高?！钡貐^(qū)

前進(jìn)大陸泰林4千萬(wàn)美元并購(gòu)上海封裝廠宏茂微

強(qiáng)震過(guò)后話(huà)產(chǎn)業(yè)

日本強(qiáng)震過(guò)后全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不祥征兆

NAND閃存芯片價(jià)格4月份上半月創(chuàng)7個(gè)月新高

日本硅晶廠復(fù)產(chǎn)超預(yù)期 BT樹(shù)脂將成焦點(diǎn)

DRAM價(jià)跌，茂德9月?tīng)I(yíng)收月減7.6%

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