-
EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律
據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容
-
21ic新聞大爆炸：極紫外光刻2015年商用——目標10nm
1、極紫外光刻2015年商用：目標10nm全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術將在2015年如期投入商用，各大半導體廠商都在摩拳擦掌。ASML計劃在今年底出貨首批三臺NXE:3300B光刻機，其中
-
EUV光科技樹將幫助芯片突破摩爾定律
據(jù)美國科技博客BusinessInsider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人Gordon Moore提出，內(nèi)容
-
摩爾定律大限將至?英特爾一鄭千金開發(fā)EUV
今日消息，在英特爾目前面臨的威脅中，最大的威脅莫過于摩爾定律的失效。摩爾定律預測，芯片上集成的晶體管數(shù)量每2年翻一番。芯片上集成的晶體管越多，芯片處理能力就越強大，這是過去數(shù)十年來計算機處理能力越來越強
-
英特爾芯片摩爾定律大限將至：一鄭千金開發(fā)EUV
訊：10月31日消息，在英特爾目前面臨的威脅中，最大的威脅莫過于摩爾定律的失效。摩爾定律預測，芯片上集成的晶體管數(shù)量每2年翻一番。芯片上集成的晶體管越多，芯片處理能力就越強大，這是過去數(shù)十年來計算機處
-
延續(xù)半導體量產(chǎn)經(jīng)濟效益 EUV成10奈米制程發(fā)展關鍵
半導體的發(fā)展隨著摩爾定律(Moore’s Law)演進，雖然是關關難過但還是關關過，其中在制程技術上，主要瓶頸在微影制程的要求不斷提高，目前主流曝光技術是采用波長193奈米(nm)的浸潤式曝光(Immersion)技術；然而，進入
-
ASML提升新EUV機臺技術生產(chǎn)效率
微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每
-
ASML新EUV機臺
微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每
-
莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？
縮小半導體工藝尺寸能走多遠?推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且
-
莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？
推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩
-
莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？
縮小半導體工藝尺寸能走多遠? 推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異
-
ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
-
ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
-
ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
-
【EUV曝光技術】（一）最近1～2年內(nèi)決定勝負
EUV曝光技術的開發(fā)變得越來越慢。最大原因在于EUV光源的輸出功率提高不上去（圖1）。處理速度（吞吐量）要達到量產(chǎn)時所需要的125枚/小時，需要將曝光裝置入光口（中間聚光點）的EUV光輸出功率提高至250W。而目前的輸
-
明導CEO：如何解決制程工藝帶來的新挑戰(zhàn)?
【導讀】隨著20nm SoC已進入開發(fā)階段，14nm、10nm甚至7nm工藝均在逐步推進中。明導公司(Mentor Graphics)董事長兼首席執(zhí)行官Walden C. Rhines為大家解析14nm級以后工藝所面臨的挑戰(zhàn)，明導公司在該方面有何作為? 摘
-
半導體下半年 設備商按贊
微影設備大廠荷商艾司摩爾第2季財報符合市場預期，執(zhí)行長PeterWennink表示，行動裝置需求強勁，帶動晶圓代工廠及存儲器廠擴大投資，其中晶圓代工廠已著手準備20納米以下先進制程產(chǎn)能，DRAM廠則擴大MobileDRAM的擴產(chǎn)，
-
EUV微影尚未功成 設備業(yè)者仍在努力
在日前于美國舊金山舉行的 Semicon West 半導體設備展上，仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術又一次成為討論焦點；歐洲微電子研究機構IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den Hove在一場座談會中表示：「EUV仍然是半導體產(chǎn)業(yè)界
-
臺積電2017追上英特爾 不只是放狠話
臺積電共同營運長蔣尚義昨（22）日表示，臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構的16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺積電已決定加快研發(fā)腳步，&
-
臺積電放話 2017追上英特爾
臺積電共同營運長蔣尚義昨（22）日表示，臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構的16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺積電已決定加快研發(fā)腳步，「
