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美政府欲重新評估手機對人體健康威脅
北京時間8月8日早間消息，美國審計總署(以下簡稱“GAO”)周二在一份研究報告中稱，美國應該重新評估手機輻射對人體帶來的健康威脅。GAO表示，當前標準是美國聯邦通信委員會(以下簡稱“FCC”)在1996年制定的，不僅已落
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美政府欲重新評估手機對人體健康威脅
北京時間8月8日早間消息，美國審計總署(以下簡稱“GAO”)周二在一份研究報告中稱，美國應該重新評估手機輻射對人體帶來的健康威脅。GAO表示，當前標準是美國聯邦通信委員會(以下簡稱“FCC”)在1996年制定的，不僅已落
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GENIVI Alliance將成為Linux汽車行業(yè)峰會主贊助商
致力于推動開源車載信息娛樂系統(tǒng) (IVI) 參考平臺開發(fā)和普及的汽車及消費電子產品行業(yè)協會 GENIVI Alliance 8月6日宣布將成為 Linux 基金會 (Linux Foundation) 舉辦的 Linux 汽車行業(yè)峰會 (Automotive Linux Summit)
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GENIVI Alliance將成為Linux汽車行業(yè)峰會主贊助商
致力于推動開源車載信息娛樂系統(tǒng) (IVI) 參考平臺開發(fā)和普及的汽車及消費電子產品行業(yè)協會 GENIVI Alliance 8月6日宣布將成為 Linux 基金會 (Linux Foundation) 舉辦的 Linux 汽車行業(yè)峰會 (Automotive Linux Summit)
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2017年全球累計光伏裝機將達230GW
摘要： 7月5日，國際能源署（International Energy Agency）發(fā)布報告稱，受扶持政策和數個國家不斷下降的成本帶動，2011-2017年間全球可再生能源發(fā)電年增長速度平均為5.8%。... 7月5日，國際能源
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德國前兩月共安裝650MW太陽能電池板
摘要： 德國聯邦網絡局（Federal Network Agency）近日宣布，一月和二月總共安裝了650MW的太陽能電池板；幾乎是2011年同期安裝量的兩倍。彭博社報道說，一月份的安裝量大約是450MW，二月份約是200MW。.
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增壓加混動 本田推300馬力CR-Z賽車
近日，本田正式發(fā)布了2012款Mugen CR-Z混合動力賽車，該車搭載了2.8升V6雙渦輪增壓發(fā)動機和競賽規(guī)格的電力輔助系統(tǒng)，其最大功率在300馬力左右。 據悉，CR-Z混合動力賽車車身上的大部分部件都換成了輕質碳纖維材料
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三星發(fā)布Q2業(yè)績預期 運營利潤或達61.5億美元
7月4日消息，據國外媒體報道，三星電子將于周五給出第二季度業(yè)績預期，該季度財報則將于本月底公布。受益于Galaxy智能手機的強勁需求，三星第二季度運營利潤預計將再次創(chuàng)下新高，不過該公司的股價在5月2日升至最高點
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Red Bend軟件公司加入GENIVI聯盟
已在超過15億設備上啟用Red Bend認證的Red Bend軟件公司今天宣布，它已加入GENIVI聯盟，與汽車制造商和一線供應商共同合作管理汽車上越來越多的車載軟件。Red Bend軟件公司在管理手機、連接設備和車載系統(tǒng)上的固件、
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Red Bend軟件公司加入GENIVI聯盟
已在超過15億設備上啟用Red Bend認證的Red Bend軟件公司今天宣布，它已加入GENIVI聯盟，與汽車制造商和一線供應商共同合作管理汽車上越來越多的車載軟件。Red Bend軟件公司在管理手機、連接設備和車載系統(tǒng)上的固件、
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傳蘋果店員工將集體漲薪：最高幅度達25%
6月21日消息，蘋果零售商店的員工工資將提升25%，從7月起開始實施。自蘋果新的零售主管約翰?布洛維特（JohnBrowett）發(fā)布了對各零售店內部審查之后，過去的兩周各大零售店的負責人同員工面對面交談，告知工資提升。此
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傳蘋果店員工將集體漲薪：最高幅度達25%
傳蘋果店員工將集體漲薪：最高幅度達25%
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術將持續(xù)微縮
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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IMEC探討10nm以下制程變異，CMOS技術將持續(xù)微縮
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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IMEC探討10nm以下制程變異
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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IMEC探討10nm以下制程變異
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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IMEC探討10nm以下制程變異
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
