垂直GAN晶體管技術(shù)發(fā)展的進(jìn)步
使用雙向 GaN 開關(guān)實現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換
通過自動動態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
雙向GaN功率IC有何用途?
提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間
集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性
我們能獲得更好的音頻放大器嗎?是的,用氮化鎵!
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
氮化鎵功率技術(shù)大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
基于RK3588調(diào)試藍(lán)牙獲取數(shù)據(jù)后轉(zhuǎn)spi和串口
預(yù)算:¥5000開發(fā)一套互感器監(jiān)測系統(tǒng),包含軟硬件
預(yù)算:¥600000護(hù)眼儀通信模塊:單片機(jī)WIFI藍(lán)牙電機(jī)揚(yáng)聲器播放軟硬件設(shè)計
預(yù)算:¥10000