
如圖所示為采用IC1MAX868和CMPSH-3S組成的反相四倍壓的DC/DC變換穩(wěn)壓電源。其中IC1MAX868是一只穩(wěn)壓型反相電荷泵集成電路,可產(chǎn)生最高至-2VIN的輸出電壓,輸入電壓VIN范圍從1.8~5.5V。IC1通過脈頻調(diào)制(PFM)調(diào)節(jié)輸出
如圖所示為用555構成的升壓型開關穩(wěn)壓電源電路。電路中,采用晶體管BG1作為開關調(diào)整管;運算放大器IC1構成比較放大器;555時基電路接成無穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。振蕩器在C1上產(chǎn)生鋸齒波電壓(Vmin=1/3Vz,Vmax=2/3Vz,
由TOP214Y構成的15V、2A恒壓/恒流型開關電源電路如圖所示。電路采用了4片集成電路:IC1是TOP214Y單片開關電源;IC2是PC816A型線性光電耦合器;IC3是TL431C可調(diào)式并聯(lián)穩(wěn)壓器;IC4是低功耗雙運算放大器LM358。其中IC4
如圖所示為用三端穩(wěn)壓器制作的開關型穩(wěn)壓電源的具體電路。其工作原理可以通過等效電路圖來理解。由于某種原因,輸出電壓V0略有下降,其在R5和R6上的分壓V3也隨之下降,經(jīng)VT3放大,Ic3減小,Ic2增大,即流過R1和VD1的
由MIC5158構成的恒流充電電路如圖所示。該電路在整個充電過程中提供一個恒定的電流(35mV/R3),直到電池的電壓充到:Uf1=1.235(1+R1/R2)式中,Ufl為浮充電壓(V)。在達到浮充電壓的條件時,MOSFET管就被關斷,電荷電流
由MIC5158構成的恒流充電電路如圖所示。該電路在整個充電過程中提供一個恒定的電流(35mV/R3),直到電池的電壓充到: Uf1=1.235(1+R1/R2) 式中,Ufl為浮充電壓(V)。在達到浮充電壓的條件時,MOSFET管就被關斷,電荷電
由MIC5158構成的恒流充電電路如圖所示。該電路在整個充電過程中提供一個恒定的電流(35 mV/R3),直到電池的電壓充到: 。式中,Vfl為浮充電壓(V)。在達到浮充電壓的條件時,MOSFET管就被關斷,電荷電流就由R4來提供通
本文介紹的自制充電器用LM324的4個運算放大器作為比較器,用TL431設置電壓基準,用S8550作為調(diào)整管,把輸入電壓降壓,對電池進行充電,其原理電路見圖1。其特點是電路簡單、工作可靠、無需調(diào)整、元器件容易購買等
ADA01是一款單通道觸摸感應IC,獨特的電容感應式觸摸算法,OUT0智能信號輸出(ON/OFF),OUT1,OUT2可直接驅動LED作為背景光顯示,廣泛用于ON/OFF開關控制類電子產(chǎn)品。 在多種技術中,電容式觸摸感應技術
本文介紹的自制充電器用LM324的4個運算放大器作為比較器,用TL431設置電壓基準,用S8550作為調(diào)整管,把輸入電壓降壓,對電池進行充電,其原理電路見圖1。其特點是電路簡單、工作可靠、無需調(diào)整、元器件容易購買等
到2010年,市面上70%的手機將配備存儲卡插槽,如何保持手機機身纖薄成為重大挑戰(zhàn)。針對這個問題,意法半導體(ST)推出EMIF06-mSD02N16 SD存儲卡接口IC,使存儲卡插槽對手機尺寸的影響最小化。 SD卡槽的濾波和保護電