從APT 提供的數據表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息,用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是,測試結果非常依賴于電路,尤其是寄生發(fā)射極電感,以及寄生集電極電感和柵極驅動電路設計和布局。不同的測試電路產生不同的結果。
從APT 提供的數據表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息,用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是,測試結果非常依賴于電路,尤其是寄生發(fā)射極電感,以及寄生集電極電感和柵極驅動電路設計和布局。不同的測試電路產生不同的結果。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時,漏極電流與柵極電壓 的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ,正向電壓由J2結承擔,反向電壓由J1結承擔。 無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓 做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關斷電壓只能達到幾十伏水平, 限制了IGBT的某些應用范圍。
一個等效的 IBGT 模型,其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數據表中規(guī)定了測量電容的測試條件。
這是從芯片結到器件外殼外部的熱阻。熱量是設備本身功率損失的結果,熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關。之所以稱為熱阻,是因為使用電氣模型根據穩(wěn)態(tài)功率損耗預測溫升。
與低功率同類產品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產生大量熱量。因此,有效的熱管理對于確保電力電子設備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導體材料制成的設備。
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力車輛開發(fā)技術解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內燃機的設計具有較小的容積、較高的發(fā)動機轉速,并且能夠以較不濃的燃料混合物運行。
IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區(qū)PNP型晶體管,它的簡化等效電路如圖(b)所示,圖中的RN為PNP晶體管基區(qū)內的調制電阻。
【2022年5月30日,德國慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內部續(xù)流二極管(FWD)、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT(PPI),進一步壯大其高功率Prime Switch系列的產品陣容。該PPI專為輸配電應用而設計,是大電流模塊化多電平轉換器(MMC)、中壓驅動器、直流電網斷路器、風電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇。
據業(yè)內人士爆料稱,車用芯片大廠安森美(Onsemi)深圳廠內部人士透露,其車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)訂單已滿且不再接單,2022年-2023年產能已全部售罄,但不排除有部分客戶重復下單的可能。
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關鍵器件對斷路器整機分斷能力有著重要影響。現對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據實際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進行超額定值的大電流關斷測試,并對測試結果進行理論分析,這對直流斷路器用IGBT的器件參數配置具有良好的指導意義。
如果說IGBT解決了汽車電動化的瓶頸,那MCU就是解決汽車智能化的關鍵,對汽車智能化發(fā)展起著決定性的作用。
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅動器設計用于以短時間高峰值電流驅動高頻容性負載,但我們知道它們還可以驅動感性負載,例如功率繼電器線圈嗎?這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅動器的秘密生命。 這不是新概念。當它們驅動感性負載時,它們通常以低得多的頻率切換,驅動電流受線圈電阻的限制。柵極驅動 IC 已用于驅動電感負載,例如柵極驅動變壓器,但頻率范圍為數十至數百千赫。
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關鍵器件對斷路器整機分斷能力有著重要影響?,F對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據實際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進行超額定值的大電流關斷測試,并對測試結果進行理論分析,這對直流斷路器用IGBT的器件參數配置具有良好的指導意義。
安世半導體的IGBT產品流片成功,意味著聞泰科技在車規(guī)級半導體行業(yè)的發(fā)展再進一步,也將進一步帶動國內車規(guī)級半導體產業(yè)的發(fā)展。
我們中的許多人都熟悉低功率直流電機,因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作,以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設備驅動。在本文的第 1 部分中,我們將討論用于控制三相交流電機大電流的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的理論和要求。在第 2 部分中,我們將討論隔離要求和正確計算 IGBT 驅動功率量。
在本系列的第 1 部分中,我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次,我們將了解有關隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅動功率的更多信息。 對于任何工業(yè)電機驅動,必須確保輸入電路(低壓)和輸出電路(高壓)的電位分離。低壓側與控制電子設備接口,而高壓側連接到 IGBT。隔離是必要的,因為上部 IGBT 的發(fā)射極電位在直流母線的 DC+ 和 DC- 電位之間切換,其范圍可以在數百或數千伏之間。根據應用,必須遵守相應的電氣間隙和爬電距離標準以及符合測試電壓。觀察到的一些典型標準是:IEC60664-1、IEC60664-3、IEC61800-5-1 和 EN50124-1。
在這篇文章中,小編將對智能功率模塊IPM的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內容吧。
2022年2月15日,中國---意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間,簡化電路設計。
電機和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設計的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設計定制電機和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力,但從長遠來看,這樣做的成本很高,而且會延誤設計進度。