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SanDisk創(chuàng)辦人預測NAND市場8大趨勢
在近日于美國舉行的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因為市場產(chǎn)能供應
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業(yè)界高層預言NAND市場8大趨勢
在近日于美國舉行的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因為市場產(chǎn)能供應
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基于VxWorks的NAND FLASH驅動程序設計
0 引 言 目前，隨著電子技術的不斷發(fā)展，計算機技術也得到飛速的發(fā)展，產(chǎn)生了很多新技術。但就計算機的基本結構來說，還是基本采用了馮·諾依曼結構。然而馮·諾依曼結構的一個中心點就是存儲一控制，所以存儲器
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業(yè)界高層預言NAND閃存市場8大趨勢
在近日于美國舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因為市場產(chǎn)
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進10納米級
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認為，新的應用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠較預期來得長。當然，
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東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持
面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉進32納米的NAND Flash制程技術，東芝原本預計32納米制程產(chǎn)量，在年底可達產(chǎn)能30%，但以目前進度來看，勢必會延后量產(chǎn)時間點，其控制芯片供應商
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基于VxWorks的NAND FLASH驅動程序設計
基于VxWorks的NAND FLASH驅動程序設計
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進10納米級有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認為，新的應用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠較預期來得長。當然，
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美光對NAND未來充滿樂觀 挺進1x-nm有望
在日前的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。 有人說，NAND供貨商在可預見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認為，新的應用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠較預期來得長。當然，還
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2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍 主要用途從智能手機轉向個人電腦
根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8
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2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍
根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8Gb
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