3月2日消息，為了深入測試三星自研芯片Exynos 2600的發(fā)熱表現(xiàn)，有博主在最高畫質(zhì)下針對多款熱門游戲進(jìn)行了實(shí)測。

本次測試涵蓋了《英雄聯(lián)盟》、《原神》以及《崩壞：星穹鐵道》，測試期間的環(huán)境溫度保持在26℃左右，測試機(jī)型分別為三星Galaxy S26和Galaxy S26+。

在實(shí)際運(yùn)行中，Exynos 2600表現(xiàn)出了令人驚喜的溫控能力。運(yùn)行《英雄聯(lián)盟》時(shí)，Galaxy S26的平均溫度僅約32℃。而在負(fù)載更高的《原神》測試中，S26+在運(yùn)行15分鐘后，設(shè)備正面最高溫度僅為38℃，背面則在37℃至37.5℃之間輕微波動(dòng)。

即便面對負(fù)載極高的《崩壞：星穹鐵道》，Galaxy S26+雖然偶爾會(huì)出現(xiàn)幀率下降，但發(fā)熱依然控制得極其穩(wěn)健。設(shè)備正面最高溫度只有39℃，背面最高溫也維持在38℃左右。

對于那些長期忍受數(shù)代Exynos芯片散熱表現(xiàn)糟糕的三星用戶來說，這無疑是一個(gè)極為振奮的好消息。

這份出色的散熱成績得益于底層工藝的全面革新，據(jù)悉，Exynos 2600是三星首款采用2納米GAA工藝打造的芯片。這是一種全新的3D晶體管架構(gòu)，配合三星最新的FOWLP封裝技術(shù)，從物理層面大幅提升了能效比。

更關(guān)鍵的創(chuàng)新在于該芯片引入了創(chuàng)新的HPB技術(shù)，這是一種直接與處理器接觸的銅基散熱器設(shè)計(jì)，同時(shí)巧妙地將DRAM內(nèi)存移至側(cè)面布局。

這種結(jié)構(gòu)優(yōu)化使芯片的熱阻性能提升了30%，讓內(nèi)部熱量能夠更迅速地導(dǎo)出，有效避免了熱積聚現(xiàn)象的發(fā)生。

在性能跑分方面，Exynos 2600同樣展現(xiàn)出了穩(wěn)健的實(shí)力。其實(shí)測單核成績?yōu)?105分，多核成績則高達(dá)10444分。盡管單核表現(xiàn)與驍龍8E5仍存在一定差距，但其多核性能已穩(wěn)穩(wěn)躋身行業(yè)第一梯隊(duì)水準(zhǔn)。

這種在保持高性能輸出的同時(shí)還能兼顧極佳散熱的設(shè)計(jì)，預(yù)示著三星在自研芯片領(lǐng)域正迎來質(zhì)的飛躍。