工作于線性區(qū)功率MOSFET（5）：分立負載開關及熱插撥設計7步法
[導讀]??完整的分立負載開關及熱插撥外圍電路，如圖1所示，包括如下元件：（1）G極電阻總和RG及其并聯(lián)快關斷二極管D1（2）功率MOSFET的G、S外加電容CGS1（3）G、D外加電容CGD1和電阻R?GD?RG為G極電阻總和，包括功率MOSFET內(nèi)部電阻，驅(qū)動芯片上拉電阻，外加串聯(lián)電...
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完整的分立負載開關及熱插撥外圍電路，如圖1所示，包括如下元件：
（1）G極電阻總和RG及其并聯(lián)快關斷二極管D1
（2）功率MOSFET的G、S外加電容CGS1
（3）G、D外加電容CGD1和電阻R?GD?
RG為G極電阻總和，包括功率MOSFET內(nèi)部電阻，驅(qū)動芯片上拉電阻，外加串聯(lián)電阻RG1。圖1：負載開關和熱插撥完整外圍電路
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其中，D1、CGD1和RGD為可選元件，根據(jù)電路設計要求決定是否需要外加。
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分立負載開關和熱插撥的外圍電路設計步驟如下：
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1、初步選取功率MOSFET?
初步選取功率MOSFET的參數(shù)包括電壓、導通電阻和封裝：（1）根據(jù)輸入電壓選取功率MOSFET的耐壓（2）根據(jù)系統(tǒng)設計的要求選取相應的封裝（3）根據(jù)穩(wěn)定工作的損耗限制，選取功率MOSFET的導通電阻（4）根據(jù)功率MOSFET在線性區(qū)工作的時間和最大電流，選取安全工作區(qū)SOA滿足要求的功率MOSFET?
?2、選取外加電容C???GD1?
根據(jù)輸出電壓上電時間控制精度的要求，確定是否需要外加電容CGD1。如果需要外加電容CGD1，設定外加電容CGD1的值：
??? CGD1>10Crss
由此選取相應的標準電容值。
?
?3、選取G極外加的電阻R??G1?
米勒平臺區(qū)這個階段的時間也就是dV/dt的時間，柵極電壓恒定，流過柵極電阻RG的電流等于流過電容CGD1?的電流。根據(jù)系統(tǒng)要求的輸出電壓的上電時間Ton、輸出電壓Vo、CGD1、VCC和VGP已知，由下面公式計算G極串聯(lián)總電阻RG：其中，dVDS/dt=Vo/Ton
圖2：熱插撥起動波形
例如：通信系統(tǒng)-48V的熱插撥，要求軟起動的時間為15mS，那么：dVDS/dt=Vo/dt=48V/15mS=3.2V/mS
如果沒有外加電容CGD1，公式中的CGD1就使用Crss代替，Crss隨電壓變化，因此最好使用QGD?來計算。由RG?可以得到G極額外串聯(lián)的電阻RG1的值，選取相應的標準電阻值。?
??4、選取外加電容C?GS1?
開通過程中，階段1和階段2的VGS的電壓公式相同：階段1結束的時刻為：階段1的時間為：階段2結束的時刻為：階段2的時間，也就是di/dt的控制時間，這段時間為：?
根據(jù)系統(tǒng)浪涌電流和di/dt的要求，使用上面公式就可以求出外加的電容CGS1，由此選取相應的標準電容值。不同的CGS1值可以改變過沖的峰值浪涌電流的大小。
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?5、選取是外加RGD的阻值?
根據(jù)測試的實際情況，確定電路是否有振蕩或功率MOSFET是否有誤導通。如果有振蕩或誤導通，就需要外加RGD。CGD1串聯(lián)電阻RGD通常選取較小的值，RG>>RGD，阻值取值范圍：RGD=1-50mOhm。?
功率MOSFET的跨導大，開通過程中，VGS較小的變化都會導致ID急劇的變化，進而導致VDS急劇的變化，瞬態(tài)過程中柵極電壓容易產(chǎn)生振蕩。串聯(lián)電阻RGD可以抑制回路的瞬態(tài)高頻電流，形成阻尼振蕩從而抑止柵極的高頻振蕩，減小振蕩的幅度。?
關斷過程中，高的dVDS/dt通過CGD1耦合到柵極形成瞬態(tài)的尖峰電壓，如果此尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓，會誤導通功率MOSFET，串聯(lián)電阻RGD可以減小功率MOSFET的誤導通。?
6、選取G極的快關斷二極管?
根據(jù)系統(tǒng)要求，如果需要功率MOSFET快速關斷，可以在G極外加電阻的兩端關聯(lián)二極管D1；如果功率MOSFET不需要快速關斷，可以不加這個二極管。?
7、校核和測量電路?
根據(jù)所選取的標稱元件值，調(diào)試電路，校核所有參數(shù)是否滿足系統(tǒng)要求，同時校核功率MOSFET安全工作區(qū)SOA的裕量，保證系統(tǒng)的安全。如果不滿足，就要對參數(shù)進行調(diào)整，然后重復上述步驟2-步驟7。
完整的分立負載開關及熱插撥外圍電路，如圖1所示，包括如下元件：
（1）G極電阻總和RG及其并聯(lián)快關斷二極管D1
（2）功率MOSFET的G、S外加電容CGS1
（3）G、D外加電容CGD1和電阻R?GD?
RG為G極電阻總和，包括功率MOSFET內(nèi)部電阻，驅(qū)動芯片上拉電阻，外加串聯(lián)電阻RG1。圖1：負載開關和熱插撥完整外圍電路
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其中，D1、CGD1和RGD為可選元件，根據(jù)電路設計要求決定是否需要外加。
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分立負載開關和熱插撥的外圍電路設計步驟如下：
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1、初步選取功率MOSFET?
初步選取功率MOSFET的參數(shù)包括電壓、導通電阻和封裝：（1）根據(jù)輸入電壓選取功率MOSFET的耐壓（2）根據(jù)系統(tǒng)設計的要求選取相應的封裝（3）根據(jù)穩(wěn)定工作的損耗限制，選取功率MOSFET的導通電阻（4）根據(jù)功率MOSFET在線性區(qū)工作的時間和最大電流，選取安全工作區(qū)SOA滿足要求的功率MOSFET?
?2、選取外加電容C???GD1?
根據(jù)輸出電壓上電時間控制精度的要求，確定是否需要外加電容CGD1。如果需要外加電容CGD1，設定外加電容CGD1的值：
??? CGD1>10Crss
由此選取相應的標準電容值。
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?3、選取G極外加的電阻R??G1?
米勒平臺區(qū)這個階段的時間也就是dV/dt的時間，柵極電壓恒定，流過柵極電阻RG的電流等于流過電容CGD1?的電流。根據(jù)系統(tǒng)要求的輸出電壓的上電時間Ton、輸出電壓Vo、CGD1、VCC和VGP已知，由下面公式計算G極串聯(lián)總電阻RG：其中，dVDS/dt=Vo/Ton
圖2：熱插撥起動波形
例如：通信系統(tǒng)-48V的熱插撥，要求軟起動的時間為15mS，那么：dVDS/dt=Vo/dt=48V/15mS=3.2V/mS
如果沒有外加電容CGD1，公式中的CGD1就使用Crss代替，Crss隨電壓變化，因此最好使用QGD?來計算。由RG?可以得到G極額外串聯(lián)的電阻RG1的值，選取相應的標準電阻值。?
??4、選取外加電容C?GS1?
開通過程中，階段1和階段2的VGS的電壓公式相同：階段1結束的時刻為：階段1的時間為：階段2結束的時刻為：階段2的時間，也就是di/dt的控制時間，這段時間為：?
根據(jù)系統(tǒng)浪涌電流和di/dt的要求，使用上面公式就可以求出外加的電容CGS1，由此選取相應的標準電容值。不同的CGS1值可以改變過沖的峰值浪涌電流的大小。
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?5、選取是外加RGD的阻值?
根據(jù)測試的實際情況，確定電路是否有振蕩或功率MOSFET是否有誤導通。如果有振蕩或誤導通，就需要外加RGD。CGD1串聯(lián)電阻RGD通常選取較小的值，RG>>RGD，阻值取值范圍：RGD=1-50mOhm。?
功率MOSFET的跨導大，開通過程中，VGS較小的變化都會導致ID急劇的變化，進而導致VDS急劇的變化，瞬態(tài)過程中柵極電壓容易產(chǎn)生振蕩。串聯(lián)電阻RGD可以抑制回路的瞬態(tài)高頻電流，形成阻尼振蕩從而抑止柵極的高頻振蕩，減小振蕩的幅度。?
關斷過程中，高的dVDS/dt通過CGD1耦合到柵極形成瞬態(tài)的尖峰電壓，如果此尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓，會誤導通功率MOSFET，串聯(lián)電阻RGD可以減小功率MOSFET的誤導通。?
6、選取G極的快關斷二極管?
根據(jù)系統(tǒng)要求，如果需要功率MOSFET快速關斷，可以在G極外加電阻的兩端關聯(lián)二極管D1；如果功率MOSFET不需要快速關斷，可以不加這個二極管。?
7、校核和測量電路?
根據(jù)所選取的標稱元件值，調(diào)試電路，校核所有參數(shù)是否滿足系統(tǒng)要求，同時校核功率MOSFET安全工作區(qū)SOA的裕量，保證系統(tǒng)的安全。如果不滿足，就要對參數(shù)進行調(diào)整，然后重復上述步驟2-步驟7。
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