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[導讀]英特爾的目標是在封裝中將密度提升10倍以上,將邏輯微縮提升30%至50%,并布局非硅基半導體。

在不懈推進摩爾定律的過程中,英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學方面的關鍵技術突破,這些突破對推進和加速計算進入下一個十年至關重要。在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,英特爾概述了其未來技術發(fā)展方向,即通過混合鍵合(hybrid bonding)將在封裝中的互連密度提升10倍以上,晶體管微縮面積提升30%至50%,在全新的功率器件和內(nèi)存技術上取得重大突破,基于物理學新概念所衍生的新技術,在未來可能會重新定義計算。

英特爾高級院士兼組件研究部門總經(jīng)理Robert Chau表示:“在英特爾,為持續(xù)推進摩爾定律而進行的研究和創(chuàng)新從未止步。英特爾的組件研究團隊在IEDM 2021上分享了關鍵的研究突破,這些突破將帶來革命性的制程工藝和封裝技術,以滿足行業(yè)和社會對強大計算的無限需求。這是我們最優(yōu)秀的科學家和工程師們不懈努力的結果,他們將繼續(xù)站在技術創(chuàng)新的最前沿,不斷延續(xù)摩爾定律。”

摩爾定律滿足了從大型計算機到移動電話等每一代技術的需求,并與計算創(chuàng)新同步前行。如今,隨著我們進入一個具有無窮數(shù)據(jù)和人工智能的計算新時代,這種演變?nèi)栽诶^續(xù)。

持續(xù)創(chuàng)新是摩爾定律的基石,英特爾的組件研究團隊致力于在三個關鍵領域進行創(chuàng)新:第一,為提供更多晶體管的核心微縮技術;第二,在功率器件和內(nèi)存增益領域提升硅基半導體性能;第三,探索物理學新概念,以重新定義計算。眾多突破摩爾定律昔日壁壘并出現(xiàn)在當前產(chǎn)品中的創(chuàng)新技術,都源自于組件研究團隊的研究工作,包括應變硅、高K-金屬柵極技術、FinFET晶體管、RibbonFET,以及包括EMIB和Foveros Direct在內(nèi)的封裝技術創(chuàng)新。

英特爾技術發(fā)力:著眼10倍封裝密度提升,30%~50%晶體管密度提升,布局非硅基半導體

在IEDM 2021上披露的突破性進展表明,英特爾正通過對以下三個領域的探索,持續(xù)推進摩爾定律,并將其延續(xù)至2025年及更遠的未來。

一、為在未來的產(chǎn)品中提供更多的晶體管,英特爾正針對核心微縮技術進行重點研究:

● 英特爾的研究人員概述了混合鍵合互連中的設計、制程工藝和組裝難題的解決方案,期望能在封裝中將互連密度提升10倍以上。在今年7月的英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術線上發(fā)布會中,英特爾宣布計劃推出Foveros Direct,以實現(xiàn)10微米以下的凸點間距,使3D堆疊的互連密度提高一個數(shù)量級。為了使生態(tài)系統(tǒng)能從先進封裝中獲益,英特爾還呼吁建立新的行業(yè)標準和測試程序,讓混合鍵合芯粒(hybrid bonding chiplet)生態(tài)系統(tǒng)成為可能。

● 展望其GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET)技術,英特爾正引領著即將到來的后FinFET時代,通過堆疊多個(CMOS)晶體管,實現(xiàn)高達30%至50%的邏輯微縮提升,通過在每平方毫米上容納更多晶體管,以繼續(xù)推進摩爾定律的發(fā)展。

● 英特爾同時也在為摩爾定律進入埃米時代鋪平道路,其前瞻性的研究展示了英特爾是如何克服傳統(tǒng)硅通道限制,用僅有數(shù)個原子厚度的新型材料制造晶體管,從而實現(xiàn)在每個芯片上增加數(shù)百萬晶體管數(shù)量。在接下來的十年,實現(xiàn)更強大的計算。

二、英特爾為硅注入新功能:

● 通過在300毫米的晶圓上首次集成氮化鎵基(GaN-based)功率器件與硅基CMOS,實現(xiàn)了更高效的電源技術。這為CPU提供低損耗、高速電能傳輸創(chuàng)造了條件,同時也減少了主板組件和空間。

● 另一項進展是利用新型鐵電體材料作為下一代嵌入式DRAM技術的可行方案。該項業(yè)界領先技術可提供更大內(nèi)存資源和低時延讀寫能力,用于解決從游戲到人工智能等計算應用所面臨的日益復雜的問題。

三、英特爾正致力于大幅提升硅基半導體的量子計算性能,同時也在開發(fā)能在室溫下進行高效、低功耗計算的新型器件。未來,基于全新物理學概念衍生出的技術將逐步取代傳統(tǒng)的MOSFET晶體管:

● 在IEDM 2021上,英特爾展示了全球首例常溫磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件,這表明未來有可能基于納米尺度的磁體器件制造出新型晶體管。

● 英特爾和比利時微電子研究中心(IMEC)在自旋電子材料研究方面取得進展,使器件集成研究接近實現(xiàn)自旋電子器件的全面實用化。

● 英特爾還展示了完整的300毫米量子比特制程工藝流程。該量子計算工藝不僅可持續(xù)微縮,且與CMOS制造兼容,這確定了未來研究的方向。

關于英特爾組件研究部門:英特爾組件研究部門是英特爾技術研發(fā)部門中的研究團隊,負責提供革命性的制程工藝和封裝技術方案,以推進摩爾定律并實現(xiàn)英特爾的產(chǎn)品和服務。英特爾組件研究團隊與公司的業(yè)務部門建立了內(nèi)部合作關系,以預測未來需求。同時,該團隊也與外部建立合作關系,包括政府機構研究實驗室、行業(yè)協(xié)會、大學研究團體及各類供應商,以保持英特爾研究和開發(fā)渠道的完整性。

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