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[導讀]面對環(huán)保、能源等社會問題的日益嚴峻以及半導體電子產(chǎn)業(yè)的技術革新,ROHM(羅姆)專注功率、電源及模擬技術,推出電源管理芯片、功率器件等重磅級產(chǎn)品,助力工業(yè)及汽車電子領域研發(fā)項目節(jié)能高效,大幅減少開發(fā)周期和風險。點擊文末鏈接或掃二維碼,可查看更多相關資料、申請免費樣品等~

面對環(huán)保、能源等社會問題的日益嚴峻以及半導體電子產(chǎn)業(yè)的技術革新,ROHM(羅姆)專注功率、電源及模擬技術,推出電源管理芯片、功率器件等重磅級產(chǎn)品,助力工業(yè)及汽車電子領域研發(fā)項目節(jié)能高效,大幅減少開發(fā)周期和風險。點擊文末鏈接或掃二維碼,可查看更多相關資料、申請免費樣品等~

ROHM(羅姆)2022年工業(yè)及汽車前沿新產(chǎn)品盤點:電源管理IC及功率器件

新產(chǎn)品介紹 :

SerDes IC系列:

· 用來傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”:根據(jù)分辨率優(yōu)化傳輸速率,功耗可降低27%;通過傳輸速率優(yōu)化功能和展頻功能將EMI峰值降低20dB左右;凍結檢測功能可以檢測圖像的凍結狀態(tài),提高整個ADAS系統(tǒng)可靠性。

PMIC BD86852MUF-C:

· 用于攝像頭的PMIC(電源管理IC)“BD86852MUF-C”:僅通過單個IC即可進行電壓設置和時序控制,安裝面積減少約41%;通過抑制發(fā)熱量,實現(xiàn)78.6%的高轉換效率,進一步降低功耗。

Hybrid IGBT單管(RGWxx65C系列):

· 內(nèi)置SiC二極管,損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%,為普及中的車載電子設備和工業(yè)設備提供更高性價比

· 符合AEC-Q101標準,可在車載和工業(yè)設備等嚴苛環(huán)境下使用

AC/DC 轉換器IC(BM2P06xMF-Z 系列):

· 內(nèi)置 730V 耐壓 MOSFET,表貼封裝、可支持高達45W的輸出功率,有助于降低工廠的安裝成本

· 采用了融入ROHM高耐壓工藝技術和模擬設計技術的控制電路,待機功耗比普通產(chǎn)品低90%以上

· 電源電路元器件數(shù)量減少4個,功率半導體的故障風險更低,電源的可靠性更高

AC/DC轉換器IC(BM2SC12xFP2-LBZ):

· 內(nèi)置1700V SiC MOSFET、可支持高達48W 輸出功率的小型表貼封裝,有助于削減工廠的安裝成本

· 將散熱板和多達12個部件縮減為1個,在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢

· 減少開發(fā)周期和風險,內(nèi)置保護功能,可靠性顯著提高

· 搭載的SiC MOSFET 驅動用柵極驅動電路,激發(fā)SiC MOSFET 性能,節(jié)能效果顯著

BD8758xYx-C運算放大器:

· 在4種國際抗擾度評估測試中均實現(xiàn)非常出色的抗干擾性能,可減輕降噪設計負擔

· 配備高精度仿真模型,可防止實際試制后返工

充電控制IC(BD71631QWZ):

· 支持需要低電壓充電的全固態(tài)和半固態(tài)電池等新型二次電池的充電,實現(xiàn)從2.0V到4.7V的寬充電電壓范圍

· 非常適合搭載薄型二次電池應用的封裝尺寸,采用ROHM自有封裝技術的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝

· 可設置CCCV*2充電的各項充電特性(充電電流、終止電流等),為搭載新型二次電池的可穿戴設備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設備提供理想的充電環(huán)境

MOSFET(QH8Mx5/SH8Mx5系列):

· 實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻,新工藝±40V耐壓產(chǎn)品Pch部分的導通電阻降低61%,Nch部分的導通電阻降低39%

· 雙極MOSFET,有助于實現(xiàn)設備的小型化和縮短設計周期

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LED驅動電源是把電源供應轉換為特定的電壓電流以驅動LED發(fā)光的電壓轉換器,通常情況下:LED驅動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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