據業(yè)內消息，近日美國一家商業(yè)精密制造公司Zyvex表示制出了亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1，這個系統(tǒng)沒有采用EUV光刻技術，但是卻能產出只有0.7nm線寬的芯片，是目前最高制造精度。

在現(xiàn)階段的半導體領域，整個行業(yè)都還在向著5nm以下芯片發(fā)起沖鋒，而此級別的尖端半導體制程離不開ASML的EUV光刻機，僅僅一臺EUV光刻機的價格就高達數(shù)億美元，而且要想研發(fā)出更小制程的芯片，EUV光刻機也無能為力。

Zyvex是成立于上世紀末主要開發(fā)和商業(yè)化原子精密制造 (APM) 技術的企業(yè)，以制造具有原子精密度的產品。目前公司的業(yè)務為開發(fā)APM和開發(fā)微細加工/3D微組裝技術。

本次的亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1是基于STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL電子束光刻方式，產出只有0.768nm線寬的芯片，僅僅相當于2個Si原子的寬度，是EUV光刻機遠無法達到的，也是當前制造精度最高的光刻系統(tǒng)。

ZyvexLitho1所采用自我顯影的電子束光刻(EBL)技術的核心是使用氫去鈍化光刻(HDL)從Si(100) 2×1二聚體列(dimer row)重建表面去除氫(H)原子。同時擁有無失真成像、自適應電流反饋回路、自動晶格對準、數(shù)字矢量光刻、自動化和腳本、內置計量這五大功能。

對于量子計算機來說，高精度的固態(tài)量子器件以及納米器件和材料都是非常重要的，因此ZyvexLitho1所產出的芯片將會用于量子計算機。而且ZvyvexLitho1系統(tǒng)并不是一款實驗室原型產品，而是一款已經可以商用的產品，Zyvex公司正在接收其訂單，預計大約6個月才能交貨。

從目前來看，ZyvexLitho1這類的EBL電子束光刻機的精度可以超過ASML的EUV光刻機，但是相比之下前者也有一定的劣勢，比如是產量很低，不具備大規(guī)模制造芯片的能力，只對少量高精度芯片/器件有直接幫助，因此價格也會非常昂貴。