反激拓撲的前身是 Buck-Boost 變換器，只不過就是在 Buck-Boost 變換器的開關(guān)管和續(xù)流二極管之間放入一個變壓器，從而實現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的一種方式，因此，反激變換器也就是帶隔離的 Buck-Boost 變換器。

工作原理簡單介紹下

1.在管子打開的時候，二極管 D1 反向偏置關(guān)斷，電流 Is 流過電感 L，電感電流 IL 線性上升，儲存能量!

2.當管子關(guān)斷時，電感電流不能突變，電感兩端電壓反向為上負下正，二極管 D1 正向偏置開通!給電容 C 充電及負載提供能量!

3.接著開始下個周期!

從上面工作可以看出，Buck-Boost 變換器是先儲能再釋放能量，VS 不直接向輸出提供能量，而是管子打開時，把能量儲存在電感，管子關(guān)斷時，電感向輸出提供能量。

第1步我們先要確定應用的需求，輸入電壓，輸出電壓輸出電流等等參數(shù)，我們才好進一步選擇器件。

第2步選擇合適的NTC電阻

為了避免電路開機瞬間產(chǎn)生的浪涌電流，在電源電路中串接一個功率型NTC熱敏電阻，能有效的抑制開機時的浪涌電流，并在完成浪涌電流抑制作用后，由于通過其電流的持續(xù)作用，電阻的阻值將下降的一個非常小的程度，它消耗的功率可以忽略不計，不會對正常的工作電流造成影響，所以在中小功率回路中使用功率型NTC熱敏電阻，是抑制開機浪涌電流保護電子設(shè)備免遭破壞的最為簡便而有效的措施。(大功率電路一般選擇功率電阻與繼電器并聯(lián)，啟動時刻通過功率電阻限制浪涌電流，啟動完成時候通過繼電器短路功率電阻來減小損耗)

第3步EMI電路設(shè)計，先來幾個概念(來自百度)，電磁兼容性(EMC)是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。因此，EMC包括兩個方面的要求：一方面是指設(shè)備在正常運行過程中對所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過一定的限值(EMI);另一方面是指器具對所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度，即電磁敏感性(EMS)。

第4步整流橋的選擇，整流橋的通流量選擇一般是按照平均電流留一定余量來選擇，但是，在不帶PFC的電路中，真實的充電電流是一個很小的窄脈沖(與濾波電容大小有關(guān))，這個窄脈沖的幅值很高，會達到輸入平均電流的5倍以上，因此，在選擇整流橋的額定電流時，一般選擇輸入電流的3-10倍。

第5步輸入濾波電容的計算，輸入濾波電容的選擇跟輸出功率及效率有關(guān)，既可以詳細計算，也可以根據(jù)經(jīng)驗選取，我們知道，整流后直流電壓的波峰值為輸入電壓峰值，但波谷值卻是受濾波電容的容值影響，因此首先確定整流后的波谷值，可以計算需要的濾波電容值。但如果根據(jù)經(jīng)驗選擇了濾波電容的容值，同樣可以計算整流后直流電壓的波谷值。

第五步控制IC， 控制IC以UC3842為例，3842內(nèi)部邏輯框圖如下圖所示。工作原理也相當簡單，IC工作后，內(nèi)部產(chǎn)生的5V基準經(jīng)過分壓提供一個2.5V基準，輸出電壓反饋信號與基準比較，產(chǎn)生一個誤差放大器輸出，與電流信號比較，從而控制占空比，調(diào)整輸出電壓。

第6步變壓器的設(shè)計：

1.先確定輸入電壓，一般是按照最低輸入直流電壓計算 VINmin 計算

A.要是直流輸入按直流的最低輸入來計算;

B.要是輸入為交流電，一般對于單相交流整流用電容濾波，直流電壓不會超

過交流輸入電壓有效值的 1.4 倍，也不低于 1.2 倍。

列如，全范圍交流輸入 85-265VAC 的電源，一般按 85VAC 時計算，那

VINmin=85*1.2=102V，一般會取整數(shù)按 100VDC 計算。

2.確定導通時間 Ton

導通時間 Ton=T*D

T 為周期 T=1/F

D 為最大占空比，一般在最低輸入電壓的時候，D 會最大，保證輸出穩(wěn)定。

注意大的占空比可以降低初級的電流有效值，和 MOS 的導通損耗，但是根據(jù)伏秒法則，初級占空比大了，次級的肯定會小，那么次級的峰值電流會變大，電流有效值變大，會導致輸出紋波變大!所以，一般單端反激拓撲的占空比選取不要超過 0.5。

而且一般的電流控制模式，占空比大于 0.5 要加斜率補償?shù)?，對調(diào)試是個難度。還有一重要的是你的占空比決定你的匝比，匝比決定啥，反射電壓VF，忘了再去上邊看下，再加上你漏感引起的尖峰，最終影響你 MOS 的耐壓。占空比越小匝比越小，反射電壓 VF 越低，MOS 的電壓應力小。反之 MOS 的電壓應力大，所以占空比要考慮好了。要保證再最高電壓下你的 VDS 電壓在 MOS 的規(guī)定電壓以下，最好是降額使用，流出足夠的余量來!