2023慕尼黑上海電子展規(guī)模預(yù)計(jì)10萬平米，參展企業(yè)將達(dá)1600+。瑞森半導(dǎo)體將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展，誠邀您前往瑞森半導(dǎo)體(展位號(hào)：7.2H館 D320展位)參觀。

瑞森半導(dǎo)體(REASUNOS)起步于2007年，專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售， 為全球客戶提供功率半導(dǎo)體整體解決方案。公司產(chǎn)品涵蓋SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二極管、硅基平面MOS、超結(jié)MOS、中低壓MOS、LED驅(qū)動(dòng)IC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC和系列ESD&TVS靜電保護(hù)器件等，憑借產(chǎn)品可靠性高、參數(shù)一致性好等特點(diǎn)，目前市面上熱銷的產(chǎn)品有1000多款。

瑞森半導(dǎo)體核心研發(fā)第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，于2018年開始研究、設(shè)計(jì)碳化硅功率器件，目前瑞森半導(dǎo)體SiC MOSFET系列已成功量產(chǎn)650V、1200V 、1700V，經(jīng)過軍工研究所實(shí)驗(yàn)室及CNAS實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證，產(chǎn)品兼容20V和18V驅(qū)動(dòng)，顯著改善單位面積導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗降低30%，可靠性提高，工作結(jié)溫提升到175攝氏度，15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)品正在研發(fā)中。

SiC SBD系列成功量產(chǎn)650V~1700V，3300V 研發(fā)中。低VF，高浪涌電流能量;極小的反向恢復(fù)電流，大幅降低開關(guān)損耗 ;更高頻率的運(yùn)行，能讓被動(dòng)元器件做得更小;碳化硅(SiC)二極管系列封裝包含TO-252、DFN5*6、TO-220-2L、DFN8*8、TO-263、TO-247-2L、TO-247-3L等，封裝產(chǎn)品豐富，為設(shè)計(jì)者們提供了極大的靈活性。

硅基功率器件：平面高壓MOS，超結(jié)MOS，Trench低壓MOS和SGT低壓MOS, 產(chǎn)品涵蓋20V-1500V全耐壓段，可以滿足各種不同應(yīng)用場景。

功率IC主要以半橋工藝為基礎(chǔ)，目前已成功量產(chǎn)高PF無頻閃LED恒流驅(qū)動(dòng)IC系列，是國內(nèi)唯一 一家可以單級(jí)方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品系列，其中效率超過94%，PF(功率因數(shù))大于0.96，THD(總諧波失真)在5%以內(nèi)，頻閃系數(shù)<0.03(遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于國標(biāo)1.15的標(biāo)準(zhǔn))。

瑞森半導(dǎo)體在2023年，將擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體的布局，繼續(xù)加大研發(fā)投入，優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)的同時(shí)也優(yōu)化生產(chǎn)制程，開發(fā)更低VF值的二極管產(chǎn)品、完善650V和1700V MOS產(chǎn)品系列，還將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及GaN HEMTs系列持續(xù)投入研發(fā)。

2023慕尼黑上海電子展聚焦新能源汽車、自動(dòng)駕駛、智能座艙 、充電樁、光伏、逆變等領(lǐng)域核心技術(shù)。瑞森半導(dǎo)體憑借產(chǎn)品性能、種類、穩(wěn)定性、一致性等產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，已與行業(yè)內(nèi)眾多新能源、充電樁及光伏等廠家合作，誠邀更多品牌及廠家針對(duì)新興科技領(lǐng)域進(jìn)行研究和探討。

展會(huì)現(xiàn)場瑞森半導(dǎo)體功率器件FAE總監(jiān)及驅(qū)動(dòng)方案研發(fā)總監(jiān)也將坐鎮(zhèn)展會(huì)現(xiàn)場，專業(yè)解答各類技術(shù)問題。同時(shí)展會(huì)活動(dòng)現(xiàn)場還有各類福利，誠邀全球客戶觀展。

關(guān)于瑞森半導(dǎo)體 (REASUNOS)

瑞森半導(dǎo)體(REASUNOS)起步于2007年，是一家專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)， 致力于為全球客戶提供功率半導(dǎo)體整體解決方案。

公司專注于高質(zhì)、高性能的產(chǎn)品研發(fā)，核心研發(fā)第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，是國內(nèi)碳化硅(SiC)產(chǎn)品系列較早實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并全球銷售的企業(yè)。品質(zhì)、性能對(duì)標(biāo)國際品牌，成功替代眾多進(jìn)口系列，助力芯片國產(chǎn)化。在集成芯片領(lǐng)域， 國內(nèi)首創(chuàng)單級(jí)大功率400W高PF無頻閃LED驅(qū)動(dòng)IC，是具備較強(qiáng)競爭力、自主創(chuàng)新的產(chǎn)品。在功率器件領(lǐng)域，就更高耐壓、更大電流，模塊化等發(fā)展方向以及GaN HEMTs系列持續(xù)投入研發(fā)中。

公司產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二極管、硅基平面MOS、超結(jié)MOS、中低壓MOS、LED驅(qū)動(dòng)IC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC和系列ESD&TVS靜電保護(hù)器件等，憑借產(chǎn)品可靠性高、參數(shù)一致性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車 、充電樁、光伏、逆變、儲(chǔ)能、白色家電、工業(yè)控制和消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。

瑞森半導(dǎo)體始終關(guān)注客戶需求，將產(chǎn)品研發(fā)放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半導(dǎo)體科技(湖南)有限公司，并與湖南大學(xué)創(chuàng)建“湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院產(chǎn)教融合基地”，進(jìn)行半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新的深度研發(fā)合作。