全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載設備、工業(yè)設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）“YQ系列”。

二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低于平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的要差，因此在用于開關應用時存在功率損耗增加的課題。針對這種課題，ROHM推出采用自有的溝槽MOS結構、同時改善了存在權衡關系的VF和IR、并實現(xiàn)了業(yè)界超快trr的YQ系列產品。

“YQ系列”是繼以往支持各種電路應用的4個SBD系列之后推出的新系列產品，也是ROHM首款采用溝槽MOS結構的二極管。該系列利用ROHM自有的結構設計，實現(xiàn)了業(yè)界超快的trr（15ns），與同樣采用溝槽MOS結構的普通產品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，因此，有助于降低應用產品的功耗。另外，通過采用溝槽MOS結構，與以往采用平面結構的SBD相比，正向施加時的損耗VF*2和反向施加時的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等正向使用時的功率損耗，還可以降低對于SBD而言最令人擔心的熱失控風險*4。這些優(yōu)勢使得該系列產品非常適用于容易發(fā)熱的車載LED前照燈的驅動電路、xEV用的DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。

新產品從2023年12月起全部投入量產（樣品價格：300日元～/個，不含稅），樣品可通過Ameya360、Sekorm、RightIC等網(wǎng)售平臺購買。今后，ROHM將持續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質，并繼續(xù)加強別具特色的產品陣容，為應用產品進一步實現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻力量。

＜關于SBD的溝槽MOS結構＞

溝槽MOS結構是在外延層中形成溝槽（溝槽MOS）并用多晶硅填充的結構，這種結構可以緩和電場集中，從而可以降低外延層的電阻率，在正向施加時VF更低。另外，當反向施加時，可以緩和電場集中現(xiàn)象，從而實現(xiàn)更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結構，與以往產品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。另一方面，在普通溝槽MOS結構中，寄生電容（元器件中的電阻分量）較大，因此trr要比平面結構的差。“YQ系列”不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM自有的結構設計，實現(xiàn)了約15ns的業(yè)界超快trr。由于可將開關時的損耗降低約26%，因此非常有助于降低應用產品的功耗。

＜應用示例＞

?汽車LED前照燈?xEV用DC-DC轉換器?工業(yè)設備電源 ?照明

＜產品陣容表＞

＜支持頁面和資源信息＞

ROHM的官網(wǎng)提供可以了解新產品電路優(yōu)勢的應用指南，以及介紹包括新產品在內的各SBD系列產品特點的白皮書。在SBD產品頁面中，可以通過輸入耐壓條件等參數(shù)來縮小產品范圍，有助于設計時順利選擇產品。詳情請訪問以下網(wǎng)址：

■ROHM的SBD產品頁面

■應用指南

《車載用小型高效肖特基勢壘二極管“YQ系列”的優(yōu)勢》

■白皮書

有助于車載、工業(yè)和消費電子設備小型化并降低損耗的ROHM SBD產品陣容

＜電商銷售信息＞

電商平臺：Ameya360、Sekorm、RightIC

產品型號：見上表。

新產品在其他電商平臺也以開始逐步發(fā)售。

＜術語解說＞

*1) 反向恢復時間：trr（Reverse Recovery Time）

開關二極管從導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所需的時間。該值越低，開關時的損耗越小。

*2)正向電壓：VF（Forward Voltage）

當電流沿從＋到－的方向流動時產生的電壓降。該值越低，效率越高。

*3)反向電流：IR（Reverse Current）

反向施加電壓時產生的反向電流。該值越低，功耗（反向功耗）越小。

*4) 熱失控

當向二極管施加反向電壓時，內部的芯片發(fā)熱量超過了封裝的散熱量，導致IR值增加，最終造成損壞的現(xiàn)象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發(fā)生熱失控，因此在設計電路時需要格外注意。