2024年5月16日，中國北京——泰克先進半導體開放實驗室，作為北京先進半導體測試領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，今日宣布其實驗室經(jīng)過全面升級后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中國區(qū)分銷業(yè)務(wù)總經(jīng)理宋磊為本次盛會做了開幕致辭，同時我們有幸邀請到了第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉博士，中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟副秘書長侯喜峰，國家新能源汽車創(chuàng)新中心功率測試平臺負責人郭大銘作為特邀演講嘉賓，泰克科技技術(shù)總監(jiān)張欣也在現(xiàn)場做了精彩分享。泰克的合作伙伴飛仕德、眾力為、歐菲特等更在會上展示了和泰克通力合作，在第三代半導體應(yīng)用上取得的成就。

此次升級不僅是技術(shù)解決方案的飛躍，更是對創(chuàng)新精神的一次深刻體現(xiàn)，旨在擴展全面的測試能力，提供一站式解決方案，打造一個開放、協(xié)作、共贏的生態(tài)平臺，攜手用戶共同應(yīng)對新技術(shù)測試的挑戰(zhàn)。

第三代半導體不是一個全新的話題，其蓬勃發(fā)展的態(tài)勢已經(jīng)形成，對應(yīng)的測試需求與日俱增。泰克公司作為測試測量領(lǐng)域的佼佼者，一直致力于提升企業(yè)核心競爭力，創(chuàng)新研發(fā)第三代半導體的測試解決方案。泰克將本土化作為核心競爭力之一，自2022年在中國成立先進半導體開放實驗室以來，已累計免費為超過300人次提供服務(wù)，測試器件種類超過1000種，是國內(nèi)面向第三代半導體功率器件方向，測試能力卓越，綜合能力領(lǐng)先的實驗室；同時也是客戶實測和交流的平臺。

為了更好的銜接客戶測試需求，應(yīng)對新技術(shù)應(yīng)用場景，現(xiàn)在實驗室再次升級，泰克創(chuàng)新實驗室V2.0橫空出世，設(shè)備再更新，能力再升級。此次升級包括了GaN器件開關(guān)測試和動態(tài)導通電阻測試、SiC功率器件的短路測試、雪崩測試，以及更全面的靜態(tài)參數(shù)和電容參數(shù)測試系統(tǒng)。此外，實驗室還引入了全新的面向第三代半導體功率器件的可靠性測試系統(tǒng)，以滿足日益增長的測試需求。

泰克創(chuàng)新實驗室致力于打造一個完整的生態(tài)平臺，通過線上線下多元化的互動方式，促進行業(yè)內(nèi)外的交流與合作。實驗室的重新揭幕，不僅標志著其在測試技術(shù)領(lǐng)域的新里程碑，也預(yù)示著泰克本土化進程的進一步深化加強。泰克將與合作伙伴更密切的合作，以泰克測試解決方案為核心，開發(fā)更多本土化方案，來解決中國客戶的實際痛點。

我們將以更全面的測試能力，與客戶一起打磨產(chǎn)品，驗證標準，為國產(chǎn)第三代半導體企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)良好的服務(wù)，共同推動第三代半導體技術(shù)的進一步發(fā)展。

DPT1000A動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

DPT1000A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，于2021年首度推出，旨在解決客戶在功率器件動態(tài)特性表征中常見的疑難問題。泰克公司結(jié)合自身在時域波形測量領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗，與國內(nèi)系統(tǒng)集成商一道，共同定義并開發(fā)了這套面向新一代功率器件的動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。這套系統(tǒng)具備高測試帶寬，低寄生參數(shù)，兼容性強，系統(tǒng)靈活方便升級的特點，系統(tǒng)推出后得到廣大測試工程師的廣泛認可。除了常規(guī)的開關(guān)參數(shù)和反向恢復(fù)測試外，DPT1000A還可以完成雪崩測試，短路測試，測試期間種類涵蓋Si MOSFET，IGBT，PMOS，SiC，GaN等，系統(tǒng)具備極高的靈活性，適配多種測試標準。

SPT1000A靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

SPT1000A靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可用于各類二極管、三極管、絕緣柵型場效應(yīng)管、結(jié)型場效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽二極管等各類分立器件的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)搭配了業(yè)界領(lǐng)先的源表（SMU）和精密LCR表。使得本系統(tǒng)可以在3kV和1000/2000A的條件下實現(xiàn)精確測量和參數(shù)分析，漏電流測試分辨率高達fA級，電壓測試分辨率最高可達nV級，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。本系統(tǒng)不僅適用于傳統(tǒng)硅基功率器件，也可用于新型功率半導體器件如碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等的靜態(tài)參數(shù)測試。

SPT1000A在測試夾具設(shè)計上采用一站式設(shè)計，被測件插入夾具后，可以一次性完成高壓、大電流，寄生電容相關(guān)測試，無需更換測試夾具和測試連接，簡化操作步驟，提高測試效率。系統(tǒng)支持加溫測試，外置選配熱流儀可以進行高溫低溫。

HTXB-1000B動靜態(tài)綜合老化測試系統(tǒng)

DHTXB-1000A動靜態(tài)綜合老化測試系統(tǒng)針對第三代半導體功率器件，參考AQG-324標準，根據(jù)特有的器件特性和失效機理，在加速老化條件下，有針對性的施加特定壓力條件（包括靜態(tài)壓力和動態(tài)壓力），用以測試器件的漏流指標，以及其他特性參數(shù)（例如閾值電壓，導通電阻等關(guān)鍵指標），用以表征器件的老化特性和工作壽命。可以讓器件生產(chǎn)廠商和器件使用者在較短時間內(nèi)了解功率器件的老化特性，以及長期使用條件下的性能變化，為器件實際應(yīng)用過程中可能出現(xiàn)的故障進行預(yù)判和分析。

DHTOL-1000B功率器件工況老化測試平臺

以SiC和GaN為代表的第三代半導體功率器件，由于其相對較短的面市歷史，目前器件的可靠性與壽命分析仍屬于科研前沿。在這一背景下，老化測試方法尚未形成統(tǒng)一標準。然而，在一些行業(yè)領(lǐng)先廠商和標準化組織的積極推動下，例如JEP180，針對功率器件的高溫度操作壽命（HTOL）測試方法正逐漸成為評估這些新型功率器件老化特性的新興手段。

HTOL測試方法的主要優(yōu)勢在于其能夠模擬器件在實際工作環(huán)境下的老化過程。通過在高溫條件下加速器件的退化過程，該方法能夠在較短的時間內(nèi)獲得關(guān)于器件老化特性的寶貴數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)不僅對用戶具有較高的說服力，而且對于產(chǎn)品的保修期限和維護計劃的制定具有重要指導意義。

此外，通過在特定拓撲結(jié)構(gòu)的電源電路中進行硬開關(guān)測試，HTOL方法能夠有效預(yù)測器件在特定工作條件下的預(yù)期壽命。這不僅為產(chǎn)品的可靠性評估提供了科學依據(jù)，同時也幫助設(shè)計者深入理解器件在預(yù)期壽命周期內(nèi)的性能表現(xiàn)，從而在產(chǎn)品開發(fā)和優(yōu)化過程中做出更加精準的決策。

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