在這篇文章中，小編將通過公式推導的方式告訴大家為什么不建議肖特基并聯使用。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、肖特基二極管結構

肖特基二極管，利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。肖特基勢壘二極管利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，由于金屬-半導體接觸的電流運輸主要是依靠多數載流子(電子)，其電子遷移率高，且M-S結可以在亞微米尺度上精確制造加工，使得肖特基勢壘二極管能運用到亞毫米波、太赫茲波頻段。肖特基勢壘二極管有兩種管芯結構：點接觸型和面結合型，如下圖所示。點接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導體外延層表面上形成金半接觸。面結合型管芯先要在N型半導體外延層表面上生成二氧化硅保護層，再用光刻的辦法腐蝕出一個小孔，暴露出N型半導體外延層表面，淀積一層金屬膜（一般采用金屬淚或鈦，稱為勢壘金屬）形成金半接觸，再蒸餾或電鍍一層金屬（金、銀等）構成電極。

二、為什么不建議肖特基并聯使用

由半導體物理理論可以導出，在靜態(tài)條件下，二極管的電流與電壓的非線性關系為:

式中I為二極管電流，Is為二極管反向飽和電流，Is一般取8~10uA，Is隨溫度升高而增大，V是作用于二極管兩端的電壓， VT為PN結的溫度電壓當量，在室溫條件下VT=26mV。假設一般肖特基二極管導通壓降為0.4V，并聯二極管由于制造工藝和其他因素，造成正向導通壓降存在0.1%的誤差， 則兩只肖特基二極管正向導通壓降分別為0.4V和0.401V，此時假設IS僅為2uA，則由式（1）得出:

由計算結果可知，肖特基二極管并聯無法實現均流，考慮到肖特基二極管最主要缺點是反向漏電流，漏電流隨溫度和反向電壓的增加而增加，IS會指數級增大。同時由于肖特基二極管的負溫度系數會導致正反饋，最終會使一個肖特基重載，一個肖特基輕載，若設計不合理，會導致重載的肖特基溫度過高，從而容易引發(fā)系統(tǒng)失效。

備注：所謂的不建議肖特基并聯使用是指在單個肖特基不能滿足系統(tǒng)需要的情況下，不能使用兩個同種規(guī)格的肖特基并聯，若系統(tǒng)在僅僅使用一個肖特基時就已經滿足需要，此時再并聯一個同樣規(guī)格的肖特基效果自然更好。比如，輸入12V，輸出5V/2.4A時，使用一個SMA封裝的SS54不能滿足要求（封裝太小，溫度太高，長時間工作容易失效），使用兩個SMA封裝的SS54并聯，就可能會出現上述不良情況。這種情況下，使用一個SMC封裝的SS54的可以滿足要求。而對于使用一個SMC的SS54已經能夠滿足要求的條件下，若再并聯一個SMC封裝的SS54，效果肯定優(yōu)于一個SMC封裝的SS54。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的內容，如果你對本文內容感到滿意，不妨持續(xù)關注我們網站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！