一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

一、igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂苅gbt的通斷？

IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用于直流電和交流電的電子開關(guān)。現(xiàn)在，IGBT 被廣泛應(yīng)用于大功率直流變換器、交流變頻器及逆變器、電力傳輸和輸配電等領(lǐng)域。在使用 IGBT 的過程中，我們需要控制其通斷，以便實現(xiàn)我們的需求。而 IGBT 的通斷控制有兩種方式：1、電壓控制 (VCE) 線性調(diào)制2、電流控制 (ICE) 斷路調(diào)制所謂線性調(diào)制，就是通過調(diào)整 VCE 端電壓的大小來改變 IGBT 的導(dǎo)通度。而斷路調(diào)制，則是通過控制電流量來改變 IGBT 的導(dǎo)通度。關(guān)于 IGBT 反向?qū)▎栴}，我們需要先了解 IGBT 的結(jié)構(gòu)和原理。IGBT 由 PN 結(jié)和 MOSFET 組成。PN 結(jié)是控制 IGBT 導(dǎo)通的主要結(jié)構(gòu)，當 PN 結(jié)正向偏置時，電流可以流經(jīng) PN 結(jié)，實現(xiàn) IGBT 的導(dǎo)通。反之，則無法導(dǎo)通。因此，IGBT 不能反向?qū)?。在實際應(yīng)用過程中，我們可以通過輸出的脈沖信號，控制 IGBT 的導(dǎo)通與關(guān)閉。這個過程中，需要保證 IGBT 的電流和電壓都在安全范圍內(nèi)。同時，為了保護 IGBT，我們需在操作 IGBT 時，設(shè)置保護電路，當 IGBT 出現(xiàn)故障時，能及時停止工作，以免損壞整個電路。值得強調(diào)的是，IGBT 在功率半導(dǎo)體器件中占據(jù)非常重要的地位。它不僅具有靈活的控制和國際上通用的標準化特性，還具有高性能、可靠性強、效率高等優(yōu)點。因此，隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用的廣泛推進，IGBT 有著廣闊的發(fā)展前景。

二、IGBT與MOSFET有9大異同點

在低電流區(qū)，MOSFET的導(dǎo)通電壓低于IGBT，這也是它的優(yōu)勢。不過，在大電流區(qū)IGBT的正向電壓特性優(yōu)于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性對溫度具有很強的正向依賴性，因此，IGBT的高溫特性更好，導(dǎo)通電壓比MOSFET低。

IGBT適用于中到極高電流的傳導(dǎo)和控制，而MOSFET適用于低到中等電流的傳導(dǎo)和控制。

IGBT不適合高頻應(yīng)用，它能在千Hz頻率下運行良好。MOSFET特別適合非常高頻的應(yīng)用，它可以在兆Hz頻率下運行良好。

IGBT的開關(guān)速度比較低，MOSFET開關(guān)速度非常高。

IGBT可以承受非常高的電壓以及大功率，MOSFET僅適用于低至中壓應(yīng)用。

IGBT具有較大的關(guān)斷時間，MOSFET的關(guān)斷時間較小。

IGBT可以處理任何瞬態(tài)電壓和電流，但當發(fā)生瞬態(tài)電壓時，MOSFET的運行會受到干擾。

MOSFET器件成本低，價格便宜，而IGBT至今仍屬于較高成本器件。IGBT適合高功率交流應(yīng)用，MOSFET適合低功率直流應(yīng)用。

圖：IGBT vs MOSFET結(jié)構(gòu)圖示

上述這些差別，在應(yīng)用上MOSFET和IGBT各有側(cè)重點。通常，MOSFET的額定電壓約為600V，而IGBT的額定電壓能夠達到1400V。從額定電壓角度看，IGBT主要用于更高電壓的應(yīng)用。從工作頻率角度看，IGBT通常在低于20kHz的開關(guān)頻率下使用，此時它們比單極性MOSFET具有更高的開關(guān)損耗。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對IGBT已經(jīng)具備了初步的認識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。