CMOS" target="_blank">BiCMOS技術(shù)廣泛應(yīng)用于5G通信、光模塊等高速場(chǎng)景，通過(guò)兼容工藝優(yōu)化設(shè)計(jì)。BiCMOS既滿(mǎn)足復(fù)雜系統(tǒng)的高效驅(qū)動(dòng)需求，又降低整體能耗。為增進(jìn)大家對(duì)BiCMOS技術(shù)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。如果你對(duì)BiCMOS具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、什么是BiCMOS

BiCMOS（Bipolar-CMOS）是一種將雙極型晶體管（Bipolar Transistor）與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)集成在同一芯片上的先進(jìn)半導(dǎo)體工藝。該技術(shù)自20世紀(jì)80年代發(fā)展至今，已成為高性能模擬電路、高速數(shù)字電路及混合信號(hào)系統(tǒng)的核心解決方案，在通信、汽車(chē)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。高性能BiCMOS電路于20世紀(jì)80年代初提出并實(shí)現(xiàn)，主要應(yīng)用在高速靜態(tài)存儲(chǔ)器、高速門(mén)陣列以及其他高速數(shù)字電路中，還可以制造出性能優(yōu)良的模/數(shù)混合電路，用于系統(tǒng)集成。有人預(yù)言，BiCMOS集成電路是繼CMOS集成電路形式之后最現(xiàn)實(shí)的下一代高速集成電路形式。

核心功能與應(yīng)用場(chǎng)景：?

1、?高性能模擬電路?

?射頻前端模塊?：5G基站功率放大器（PA）采用BiCMOS工藝，在28GHz頻段實(shí)現(xiàn)45dB增益，效率超過(guò)40%。

?高速ADC/DAC?：12位1GSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器利用BiCMOS的匹配特性，降低諧波失真至-80dBc。

2、?混合信號(hào)系統(tǒng)集成?

?汽車(chē)?yán)走_(dá)芯片?：77GHz毫米波雷達(dá)通過(guò)BiCMOS集成模擬波束成形電路與數(shù)字信號(hào)處理器（DSP），探測(cè)精度達(dá)±0.1米。

?電源管理芯片?：智能功率模塊（IPM）結(jié)合雙極管的強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力與CMOS的低功耗控制，轉(zhuǎn)換效率超95%。

3、?光通信與傳感?

?光纖收發(fā)器?：100G PAM4光模塊中，BiCMOS驅(qū)動(dòng)激光二極管（LD）并處理高速調(diào)制信號(hào)，傳輸距離達(dá)80km。

?生物傳感器?：血糖檢測(cè)芯片利用BiCMOS的高精度模擬前端，實(shí)現(xiàn)0.1mmol/L分辨率。

二、BiCMOS工藝流程介紹

BiCMOS技術(shù)的工藝流程主要包括以下幾個(gè)步驟：

選P-Substrate（基板）：首先，選擇一塊合適的P型硅基板作為芯片的基底。P型硅基板具有良好的導(dǎo)電性能和穩(wěn)定性，是制作半導(dǎo)體器件的常用材料。

在P-substrate上覆蓋氧化層：在P型硅基板上覆蓋一層氧化層，作為后續(xù)工藝的基礎(chǔ)。這層氧化層可以有效地隔離P型硅基板與后續(xù)的工藝步驟，防止雜質(zhì)污染和擴(kuò)散。

在氧化層上做一個(gè)小開(kāi)口：使用光刻技術(shù)，在氧化層上制作一個(gè)小開(kāi)口，用于后續(xù)的摻雜和擴(kuò)散步驟。

通過(guò)開(kāi)口重?fù)诫sN型雜質(zhì)：通過(guò)開(kāi)口向P型硅基板中注入N型雜質(zhì)，形成N型摻雜區(qū)。這個(gè)過(guò)程需要精確控制摻雜的濃度和深度，以確保后續(xù)工藝的穩(wěn)定性和可靠性。

P-外延層在整個(gè)表面上覆蓋：在N型摻雜區(qū)上覆蓋一層P型外延層，用于制作CMOS器件的P型區(qū)和N型區(qū)。這層P型外延層需要與N型摻雜區(qū)形成良好的接觸，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

接下來(lái)，整個(gè)表面層再次被氧化層覆蓋，并通過(guò)該氧化層制作兩個(gè)開(kāi)口：在P型外延層上再次覆蓋一層氧化層，并使用光刻技術(shù)在氧化層上制作兩個(gè)開(kāi)口，分別用于制作NMOS和PMOS的柵極端子。

從穿過(guò)氧化層的開(kāi)口中擴(kuò)散N型雜質(zhì)，形成N阱：通過(guò)開(kāi)口向P型外延層中注入N型雜質(zhì)，形成N阱區(qū)域。這個(gè)過(guò)程需要精確控制摻雜的濃度和深度，以確保N阱區(qū)域與P型外延層之間的良好接觸和穩(wěn)定性。

在氧化層上打三個(gè)開(kāi)孔，形成三個(gè)有源器件：在氧化層上打三個(gè)開(kāi)孔，分別用于制作NMOS、PMOS和雙極型晶體管的有源器件。這些有源器件是電路中的關(guān)鍵部分，需要精確設(shè)計(jì)和制造。

用Thinox和Polysilicon覆蓋并圖案化整個(gè)表面，形成NMOS和PMOS的柵極端子：使用Thinox（薄氧化層）和Polysilicon（多晶硅）材料覆蓋整個(gè)表面，并通過(guò)光刻和蝕刻技術(shù)將表面圖案化，形成NMOS和PMOS的柵極端子。這些柵極端子是控制MOS管導(dǎo)通和關(guān)斷的關(guān)鍵部分，需要精確設(shè)計(jì)和制造。

以上是BiCMOS技術(shù)的主要工藝流程步驟，但實(shí)際的制造過(guò)程可能因不同的設(shè)備、工藝和材料而有所差異。在制造過(guò)程中，需要嚴(yán)格控制各個(gè)步驟的工藝參數(shù)和條件，以確保電路的性能和可靠性。

以上便是此次帶來(lái)的BiCMOS相關(guān)內(nèi)容，通過(guò)本文，希望大家對(duì)BiCMOS已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦，將于后期帶來(lái)更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!