2025年5月12日，中國——意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能，確保電驅系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅動器集成模數(shù)轉換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標準認證，適用于設計可擴展的電動汽車電驅系統(tǒng)。

STGAP4S的設計靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高壓功率級連接到外部MOSFET的推挽式緩沖電路，以調整柵極電流。這種架構讓工程師能夠利用STGAP4S及其豐富的功能來控制不同額定功率的逆變器，包括多個功率開關管并聯(lián)的高功率設計。該驅動器僅用非常小的MOSFET，就可以產生高達幾十安的柵極驅動電流，并能夠處理高達1200V的電壓。

在驅動器的重要功能中，先進的診斷功能有助于對安全要求嚴苛的應用達到系統(tǒng)安全完整性標準ISO 26262 D級 (ASIL-D) 認證。自檢功能可以驗證連接的完整性、柵極驅動電壓和去飽和以及過流檢測等內部電路是否正常工作。主控制器通過芯片的SPI端口讀取診斷狀態(tài)寄存器內的數(shù)據(jù)。此外，兩個硬件診斷引腳也可以提供故障狀態(tài)信號。

STGAP4S具有主動米勒箝位、欠壓和過壓鎖定 (UVLO、OVLO) 以及去飽和、過電流和過熱檢測等保護功能，實現(xiàn)穩(wěn)健可靠的設計，滿足嚴格的可靠性要求。該產品具有很高的設計靈活性，準許設計人員通過SPI端口配置一些參數(shù)，包括保護閾值、死區(qū)時間、去毛刺濾波。

STAGP4S還集成了一個帶全面保護功能的反激電源控制器，為高壓側電路供電以生成正負柵極驅動電壓，提高SiC MOSFET的開關速度和能效。高壓側和低壓側電路之間有6.4kV的電隔離能力。

EVALSTGAP4S評估板現(xiàn)已上市，板載兩個STGAP4S驅動器，幫助設計人員在半橋應用中評估驅動器的功能。該設計讓用戶能夠輕松地將更多電路板連接在一起，以評估更復雜的拓撲結構，例如，三相逆變器。