中國(guó)RISC-V MCU先行者,率先成熟商用并持續(xù)盈利
2017年前后,RISC-V在中國(guó)萌芽,一些RISC-V的先行者便開(kāi)始摸索前行。匆匆數(shù)年過(guò)去,質(zhì)疑不再,掌聲潮起,RISC-V已然成為業(yè)界追逐的焦點(diǎn)。當(dāng)人們興奮地暢想著Arm無(wú)法攻克的高峰將要插上RISC-V的大旗,RISC-V早已在MCU領(lǐng)域證明了自己的價(jià)值,在這一過(guò)程中,沁恒微電子是其中的親歷者和主要推動(dòng)者。從2017年到2025年,沁恒在RISC-V上8年深耕、5年商用,走出了一條不同于一眾Arm MCU的差異化之路。
在第五屆RISC-V中國(guó)峰會(huì)上,21ic采訪了沁恒微電子CTO楊勇。楊總介紹了沁恒自研的青稞RISC-V,并針對(duì)RISC-V的特色化探索分享了自己的真知灼見(jiàn)。
RISC-V:差異化發(fā)展的必然之路
沁恒從USB等接口芯片起家,為了將公司在接口方面的成熟技術(shù)引入MCU領(lǐng)域,公司早期研發(fā)了面向輕應(yīng)用的8位內(nèi)核,也使用過(guò)Arm的公版內(nèi)核。2017至2018年間,RISC-V在高校和科研機(jī)構(gòu)中鋒芒初露,逐漸受到業(yè)界關(guān)注。彼時(shí)沁恒已經(jīng)預(yù)見(jiàn)了Arm MCU的同質(zhì)化隱患,使用Arm的IP核(如Cortex-M3、M0等)會(huì)導(dǎo)致MCU產(chǎn)品高度相似,因?yàn)檫@些公版核在性能和應(yīng)用開(kāi)發(fā)上幾乎沒(méi)有差異,且如同技術(shù)黑盒,除非通過(guò)很高成本的指令集架構(gòu)授權(quán),否則企業(yè)無(wú)法對(duì)其進(jìn)行深度優(yōu)化。在上述背景下,開(kāi)放的RISC-V成了較為理想的選擇?!澳菚r(shí)候遇到RISC-V,對(duì)我們來(lái)說(shuō)就是一個(gè)東風(fēng)。”楊勇說(shuō)。
RISC-V的開(kāi)放特性有助于避免同質(zhì)化,為企業(yè)結(jié)合自身經(jīng)驗(yàn)在各自領(lǐng)域做專做精做出特色,進(jìn)而促進(jìn)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供了切實(shí)可行的路徑。依托在接口芯片上的成熟技術(shù),沁恒選取了強(qiáng)調(diào)接口功能和易用性的差異化路線。楊總說(shuō),5Gbps的USB3.0高速接口在傳統(tǒng)內(nèi)核上受限于主頻、架構(gòu)和中斷控制器速度,性能很難達(dá)到理想值。而通過(guò)RISC-V,沁恒能夠在內(nèi)核層面優(yōu)化處理器的響應(yīng)速度,以滿足高速接口的設(shè)計(jì)目標(biāo)。對(duì)于某些低功耗需求,如藍(lán)牙應(yīng)用,青稞RISC-V則通過(guò)內(nèi)核層面的功耗優(yōu)化、內(nèi)核與接口的貫通優(yōu)化,有效降低了整體功耗,增強(qiáng)了終端產(chǎn)品的續(xù)航時(shí)間。此外,青稞RISC-V還通過(guò)擴(kuò)展指令集(如半字或字節(jié)壓縮指令)提高代碼密度,優(yōu)化協(xié)議棧內(nèi)存和存儲(chǔ)空間占用,以確??蛻魧?duì)資源的利用最大化,相比公版核方案更具優(yōu)勢(shì)。
MRS集成開(kāi)發(fā)環(huán)境:易用、高效、免費(fèi)
集成開(kāi)發(fā)環(huán)境IDE是芯片向下游應(yīng)用落地的關(guān)鍵工具,為了讓用戶實(shí)現(xiàn)從Arm到RISC-V的無(wú)感遷移,沁恒完善了工具配套,為用戶提供了良好的開(kāi)發(fā)體驗(yàn)。
青稞RISC-V芯片配套的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境MounRiver Studio(MRS)在設(shè)計(jì)上貼近用戶的開(kāi)發(fā)習(xí)慣,還提供打破空間阻隔的遠(yuǎn)程協(xié)助功能、在線異常追蹤、函數(shù)調(diào)用分析等特色功能,讓RISC-V的方案開(kāi)發(fā)更加容易。
MCU調(diào)試時(shí)希望盡量減少硬件I/O占用,下載時(shí)則專注于快速傳輸,講究高效率。為此,沁恒為青稞RISC-V研發(fā)了自適應(yīng)的單雙線調(diào)試功能,并在MRS中添加了支持。在調(diào)試模式下,使用單線以減少I/O占用;在下載模式下,切換至雙線以提升速度。傳統(tǒng)JTAG調(diào)試通常需要4根線,如需要打印信息則增加至6根線,沁恒的方案最省僅需1根線,提升了I/O利用率,讓RISC-V在MCU中更具競(jìng)爭(zhēng)力。
當(dāng)前,傳統(tǒng)商業(yè)IDE的授權(quán)費(fèi)用至少四五萬(wàn)元一個(gè)許可,對(duì)于百人規(guī)模的公司,授權(quán)費(fèi)用可能高達(dá)百萬(wàn),這是一筆巨大的支出。沁恒的MRS完全免費(fèi),幫助廣大客戶顯著節(jié)省了方案開(kāi)發(fā)的軟性成本。
技術(shù)上一捅到底,應(yīng)用上互連互通
長(zhǎng)期以來(lái),沁恒堅(jiān)持“先打IP地基,再建芯片高樓”的研發(fā)路徑,自研的“核”技術(shù)與“根”技術(shù)是青稞MCU構(gòu)建產(chǎn)品特色的基礎(chǔ)。在沁恒的技術(shù)體系中,“核”技術(shù)指RISC-V處理器,是芯片運(yùn)算和控制的核心,而“根”技術(shù)則是通信接口最底層的收發(fā)器PHY,是融合數(shù)字模擬基帶算法的復(fù)雜技術(shù),是芯片與外界信息交換的窗口。
楊勇指出,連接技術(shù)的垂直層次很復(fù)雜,不僅需要底層的PHY技術(shù),向上還需要掌握控制器、與總線的通信、與核的通信以及通信協(xié)議棧軟件等多個(gè)環(huán)節(jié)。自研處理器“核”技術(shù)、自研收發(fā)器PHY“根”技術(shù)等連接技術(shù),使沁恒實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的“一捅到底”。
基于上述全棧自研的策略,相比于公版的IP,沁恒自主研發(fā)的“核”技術(shù)與“根”技術(shù)更易于貫通優(yōu)化和一體化設(shè)計(jì),使青稞芯片更易做出特色。從設(shè)計(jì)上看,購(gòu)買IP組合芯片類似于購(gòu)買家具后僅能簡(jiǎn)單擺放;而沁恒的自主研發(fā)相當(dāng)于“全屋定制”,在相同的Die面積下,沁恒能夠通過(guò)優(yōu)化IP設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)緊湊的布局,實(shí)現(xiàn)PPA(功耗、性能、面積)等指標(biāo)的深度優(yōu)化。從應(yīng)用上看,舉例來(lái)說(shuō),常規(guī)MCU普遍需要外接PHY芯片才能連接以太網(wǎng)等高速接口,青稞MCU則實(shí)現(xiàn)了PHY內(nèi)置,不但提高集成度簡(jiǎn)化了方案設(shè)計(jì),還有助于提升接口性能。
一捅到底的自研技術(shù),專注于連接技術(shù)且互連互通的差異化定位,既讓青稞芯片更加貼合下游應(yīng)用,又實(shí)現(xiàn)了錯(cuò)位發(fā)展。目前青稞RISC-V已發(fā)展出高速通信連接、無(wú)線組網(wǎng)互聯(lián)、Type-C電源功率管理、電機(jī)控制等不同側(cè)重、具有明顯接口特征的芯片,產(chǎn)品數(shù)量超百款,將RISC-V帶向了千行百業(yè)。
萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代,eAI或?qū)㈤_(kāi)啟新方向
談到電子產(chǎn)品未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),楊勇表示,當(dāng)前的主旋律是萬(wàn)物互聯(lián),伴隨萬(wàn)物互聯(lián)的深化,嵌入式AI(eAI,embedded AI)或?qū)⒊蔀樾碌内厔?shì)。未來(lái),電子產(chǎn)品將在邊緣端直接執(zhí)行簡(jiǎn)單AI計(jì)算。例如,冰箱內(nèi)置攝像頭通過(guò)MCU計(jì)算食物變質(zhì)程度,并通過(guò)藍(lán)牙或Wi-Fi將結(jié)果反饋到手機(jī),無(wú)需依賴云端計(jì)算。在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上,楊勇提到,目前在MCU上實(shí)現(xiàn)eAI有多種方式,常見(jiàn)做法是外掛NPU或添加DSP等硬件加速單元。當(dāng)前,RISC-V基金會(huì)正在制定RV23標(biāo)準(zhǔn),未來(lái)可能包含專用的DSP指令以及矢量擴(kuò)展RVV 1.0和2.0版本。





