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[導(dǎo)讀]8月6日消息,據(jù)媒體報(bào)道,作為全球最早量產(chǎn)HBM4的存儲(chǔ)器制造商,SK海力士正為AI芯片提供關(guān)鍵解決方案。依托與英偉達(dá)的獨(dú)家供應(yīng)鏈關(guān)系及自身技術(shù)領(lǐng)先地位,SK海力士計(jì)劃提高HBM4售價(jià),預(yù)計(jì)相比HBM3E溢價(jià)可能高達(dá)70%。

8月6日消息,據(jù)媒體報(bào)道,作為全球最早量產(chǎn)HBM4的存儲(chǔ)器制造商,SK海力士正為AI芯片提供關(guān)鍵解決方案。依托與英偉達(dá)的獨(dú)家供應(yīng)鏈關(guān)系及自身技術(shù)領(lǐng)先地位,SK海力士計(jì)劃提高HBM4售價(jià),預(yù)計(jì)相比HBM3E溢價(jià)可能高達(dá)70%。

業(yè)內(nèi)消息指出,今年上半年,SK海力士供應(yīng)給英偉達(dá)的12層堆疊HBM4單價(jià)約為500美元,相較同規(guī)格HBM3E(約300美元)高出60%-70%。

這一強(qiáng)勢(shì)定價(jià)源于其在英偉達(dá)Blackwell Ultra產(chǎn)品組合中近乎壟斷的HBM3E供應(yīng)地位,以及HBM4領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。更高的價(jià)格也反映了新一代HBM制造技術(shù)的復(fù)雜性,特別是其選擇臺(tái)積電4nm工藝生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片(Base Die)的成本考量。

面對(duì)高利潤(rùn)HBM市場(chǎng)的激烈爭(zhēng)奪,三星正加速推進(jìn)1cnm DRAM技術(shù)的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)。吸取過(guò)往經(jīng)驗(yàn),三星此次策略轉(zhuǎn)向穩(wěn)扎穩(wěn)打:不盲目追求搶先供應(yīng)HBM4,而是聚焦于打造一款能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供應(yīng)的成熟產(chǎn)品,以贏得AMD及英偉達(dá)等客戶的采用,確保長(zhǎng)期可靠收益。隨著HBM4時(shí)代臨近,頭部廠商間的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)預(yù)計(jì)將比HBM3/HBM3E時(shí)期更為激烈。

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關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源

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