隨著半導體行業(yè)邁向后摩爾時代，先進封裝技術正成為推動芯片性能提升和產業(yè)創(chuàng)新的核心驅動力。在晶體管微縮逐漸逼近物理極限的背景下，先進封裝通過異構集成、3D堆疊和高密度互連等技術，突破傳統(tǒng)封裝的瓶頸，實現更高性能、更低功耗和更小尺寸的芯片設計。

根據Yole Group的預測，全球先進封裝市場預計將從2023年的約400億美元增長至2030年的近800億美元，年復合增長率超過10%。從Chiplet架構到2.5D/3D IC，先進封裝不僅重塑了半導體供應鏈，也為AI、5G和汽車電子等新興應用提供了關鍵支撐。這一技術浪潮正在加速行業(yè)變革，為下一代計算和智能設備鋪平道路。

盡管當下在先進工藝領域，國內企業(yè)仍面臨不小的挑戰(zhàn)，突破之路道阻且長，但在先進封裝賽道上，部分企業(yè)已經錘煉出全流程自主可控的國產方案，更憑借出色的產品競爭力與技術實力站穩(wěn)了腳跟。

近日，珠海天成先進半導體科技有限公司攜“九重”三維集成技術體系亮相Elexcon2025，我們也有幸在展臺采訪到了天成先進的副總經理蒲曉龍。他分享了九重這一技術體系的縱橫（2.5D系統(tǒng)集成）、洞天（3D立體集成）、方圓（高端封裝）三大技術方向，如何覆蓋智能駕駛、傳感成像、數據通信、生物醫(yī)學、消費電子等多個領域用戶。

“九重”——純國產先進封裝全技術平臺

“九重”體系的命名靈感來源于中國傳統(tǒng)文化中的“九重天”，象征層層遞進、互聯互通的技術理念。這是國內首個以中文命名的先進封裝技術體系，彰顯了技術創(chuàng)新與文化自信的融合。平臺聚焦縱橫（2.5D系統(tǒng)集成）、洞天（3D立體集成）、方圓（高端封裝）三大技術方向，通過高深寬比TSV硅通孔技術、雙大馬士革RDL重布線技術、多芯集成大晶圓重構技術以及多維互連高密度組裝技術，構建了完整的晶圓級中道封裝解決方案。

縱橫（2.5D系統(tǒng)集成），是一種通過中介層（Interposer）實現多個芯片高密度互連的先進封裝技術。中介層作為芯片與基板之間的橋梁，通過TSV和RDL實現高密度互連，以實現芯片間信號的高速、高帶寬、低延遲傳輸。其核心作用是打破了晶圓制造技術中芯片尺寸受到光罩尺寸限制的問題，并且成倍提高了系統(tǒng)集成度與設計靈活性、降低了制造成本與功耗、增強了系統(tǒng)性能與散熱性能。2.5D集成技術在高性能計算、人工智能、網絡通信和消費電子等多個領域有廣泛應用。

洞天（3D立體集成），又稱為三維疊層芯片集成技術，是一種先進的半導體封裝技術。它通過在垂直方向上疊放多個芯片，并利用TSV（Through Silicon Via）即硅穿孔等先進微互連技術實現芯片間的高效垂直電氣互連，顯著提升了系統(tǒng)的集成度和性能，最大限度減小了封裝尺寸，具有高密度、低功耗、高速通信及強抗干擾能力等特點。廣泛應用于高性能計算、人工智能、存儲器、5G通信、圖像傳感器等多個領域，并展現出廣闊的應用前景。

方圓（高端封裝）是一種專為高性能芯片設計的先進封裝方法，結合了超高密度和精細間距的特性，它通過縮小焊盤間距和優(yōu)化焊球布局，實現了高連接密度、精細布線以及出色的電氣性能。這一技術不僅支持芯片的小型化與高集成度，還確保了良好的散熱和高可靠性，因此廣泛應用于高性能計算、人工智能、網絡通信、汽車電子及消費電子等領域。

國產先進封裝的時代機遇與挑戰(zhàn)

憑借其“九重”三維集成技術體系，天成先進展現了國產封裝技術的全面實力。依托一站式服務和過硬的競爭力，承接從流片到封裝的全流程，為國內芯片企業(yè)擺脫海外依賴提供了重要支持。尤其是在晶圓級中道加工領域，天成先進通過技術突破和政策助力，力圖成為國產封裝產業(yè)鏈的核心力量。

雖然當下行業(yè)在向更高質量規(guī)模化發(fā)展的過程中仍面臨階段性挑戰(zhàn)，但以天成先進為代表的國內企業(yè)正以積極突破的姿態(tài)穩(wěn)步前行。從技術根基來看，核心工藝已實現自主可控，性能持續(xù)逼近業(yè)內一流水平，量產能力在實踐中不斷驗證并穩(wěn)步提升。在創(chuàng)新路徑上，正通過持續(xù)的性能優(yōu)化與場景落地，逐步贏得市場認可與客戶信賴。

目前，國產先進封裝技術正從 “技術可用” 向 “性能領先”“成本可控”“生態(tài)完善” 全面進階，未來不僅將成為國內半導體產業(yè)鏈自主可控的重要支柱，更有望在全球市場競爭中占據一席之地。隨著研發(fā)成果向產業(yè)化的加速轉化，相信在不久的將來，國產先進封裝將以更成熟的技術、更穩(wěn)定的量產能力，為全球電子產業(yè)創(chuàng)新注入強勁的 “中國動能”。