【2025年9月28日，中國(guó)上海訊】在9月24日至26日舉辦的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia 2025）”上，全球功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌以“創(chuàng)新”加持，集中展示了面向綠色能源、電動(dòng)化出行、AI算力電源等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案，全面覆蓋基于硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料的高能效、高功率密度產(chǎn)品，凸顯了其在當(dāng)下推動(dòng)能源轉(zhuǎn)型與智能化發(fā)展方面的技術(shù)引領(lǐng)作用。

本次展會(huì)，英飛凌的創(chuàng)新展示圍繞“綠色能源”、 “電動(dòng)化出行” “賦能AI” 和“硅及寬禁帶”四大板塊展開(kāi)。通過(guò)覆蓋多應(yīng)用場(chǎng)景的高性能產(chǎn)品組合與多款首次亮相的解決方案，英飛凌充分彰顯了其在提升系統(tǒng)能效、功率密度及可靠性方面的持續(xù)創(chuàng)新實(shí)力，鞏固了其在功率半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。

2025上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)英飛凌展臺(tái)

新品速遞：三大關(guān)鍵技術(shù)持續(xù)演進(jìn)

硅：CoolSET? SiP集成了 800 V P7 CoolMOS? 、ZVS 主控制器和次級(jí) SR 控制器，并采用 CT Link 技術(shù)實(shí)現(xiàn)隔離通信，在小型 SMD 封裝內(nèi)可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 60 W 的功率輸送。ZVS 反激解決方案降低了 BOM和開(kāi)關(guān)損耗，并提高了 EMI 性能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高于 94% 的效率，特別適合對(duì)空間和能效要求極高的AI服務(wù)器輔助電源及高端家電應(yīng)用。

碳化硅：推出CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產(chǎn)品，包括CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合以及CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊。其中，1200V產(chǎn)品采用Q-DPAK TSC頂部散熱封裝，能提供更出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度；新一代CoolSiC? MOSFET G2 1400 V經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，適配1000V以上母線電壓，電流承載能力顯著提升，產(chǎn)品最低導(dǎo)通電阻可低至6mΩ，性能指標(biāo)行業(yè)領(lǐng)先，適用于光儲(chǔ)等高功率場(chǎng)景。CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊運(yùn)用到了多種先進(jìn)封裝，從最新的Easy 2C到標(biāo)準(zhǔn)的Econo PACK，再到高壓2300V/3300V XHP，覆蓋從光儲(chǔ)到工業(yè)、及大功率風(fēng)電多種應(yīng)用領(lǐng)域。英飛凌還推出了CoolSiC? MOSFET G2 750V。它提供車規(guī)和工規(guī)兩個(gè)系列，其中Q-DPAK 頂部散熱封裝產(chǎn)品導(dǎo)通內(nèi)阻低至4mΩ，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，具有優(yōu)異的抗寄生導(dǎo)通能力，支持單級(jí)驅(qū)動(dòng)，支持最高節(jié)溫200度過(guò)載運(yùn)行，幫助客戶實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和集成度。

氮化鎵：CoolGaN? 全系列產(chǎn)品電壓覆蓋從60V到800V，提供多種封裝選擇。CoolGaN? BDS 雙向開(kāi)關(guān)利用同一漂移區(qū)實(shí)現(xiàn)雙向耐壓與電流控制，簡(jiǎn)化了其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；而高度集成的 CoolGaN? Drive 模塊，則融合了GaN晶體管、智能柵極驅(qū)動(dòng)器與電流感應(yīng)功能，為高頻、高效電源設(shè)計(jì)樹(shù)立了新典范。

綠色能源：創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)光儲(chǔ)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電與熱泵的高效升級(jí)

在綠色能源展區(qū)，英飛凌重點(diǎn)展示了光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電及熱泵領(lǐng)域的高能效解決方案。繼2024年發(fā)布的CoolSiC? MOSFET G2技術(shù)后，英飛凌陸續(xù)在更多細(xì)分產(chǎn)品領(lǐng)域深化應(yīng)用。新一代CoolSiC? MOSFET G2 1200V/1400V產(chǎn)品具備優(yōu)異熱管理與功率密度，適用于電動(dòng)汽車充電樁、光伏逆變器、不間斷電源等工業(yè)場(chǎng)景。

在電動(dòng)汽車充電領(lǐng)域，英飛凌推出新款CoolSiC? MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模塊。該模塊使用創(chuàng)新的耐高溫材料，具備更高的工作虛擬結(jié)溫和更低損耗，采用全新PressFIT引腳，支持更高電流承載能力，有效降低PCB溫度，支持更長(zhǎng)的系統(tǒng)壽命要求。

在熱泵領(lǐng)域，英飛凌展示了8kW 維也納 PFC 加雙電機(jī)控制板，它采用了英飛凌全套整體方案，包括MCU、功率器件、驅(qū)動(dòng)芯片和電流傳感器等，具有集成度高的特點(diǎn)。從控制來(lái)講，由單顆PSOC? C3 MCU完成壓縮機(jī)、風(fēng)機(jī)和高頻Vienna PFC的控制；功率部分，由單顆ECONO2封裝模塊完成了Vienna PFC和壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)，風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)也是業(yè)界最小尺寸的1200V IPM，最終實(shí)現(xiàn)非常緊湊的整體設(shè)計(jì)。

英飛凌CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產(chǎn)品

電動(dòng)化出行：創(chuàng)新集成，重塑未來(lái)交通出行體驗(yàn)

在交通出行展區(qū)，英飛凌重點(diǎn)展示了面向主驅(qū)、域控和底盤(pán)應(yīng)用上的創(chuàng)新解決方案。

在主驅(qū)逆變器方面，英飛凌帶來(lái)了其嵌入式碳化硅方案，采用英飛凌新一代1200V G2p SiC嵌入印制電路板（PCB），可以有效降低系統(tǒng)雜散電感，支持SiC芯片快速地開(kāi)關(guān)，提高系統(tǒng)效率，降低成本。此外，英飛凌推出了新一代塑封半橋模塊SSC，覆蓋750V和1200V電壓等級(jí)，電流覆蓋350Arms - 750Arms，模塊雜散電感<5nH，模塊內(nèi)部集成Gen3 SiC芯片，并可以兼容GaN芯片。IGBT 半橋塑封模塊LFM采用了750V EDT3 IGBT芯片，芯片上集成溫度傳感器，可精確反饋芯片結(jié)溫。HybridPACK? HD 模塊是英飛凌針對(duì)商用車新推出的半橋模塊，內(nèi)部采用1400V SiC芯片，最大輸出電流可達(dá)1000Arms以上。

在域控和底盤(pán)應(yīng)用領(lǐng)域，英飛凌展出了兩款重點(diǎn)產(chǎn)品48V 線控轉(zhuǎn)向系統(tǒng)電子控制器及48V STC 軟開(kāi)關(guān)技術(shù)電源，向客戶全面展示其完整的全系車用48V半導(dǎo)體解決方案，覆蓋配電及驅(qū)動(dòng)2個(gè)領(lǐng)域，涵蓋電源、主芯片MCU、CAN通訊收發(fā)器、48V預(yù)驅(qū)、48V MOSFET，以及部分48V傳感器。除芯片級(jí)產(chǎn)品解決方案之外，英飛凌還可提供整車級(jí)及零部件級(jí)整體48V系統(tǒng)架構(gòu)參考解決方案。

英飛凌新一代嵌入式碳化硅解決方案

賦能AI：創(chuàng)新電源管理，支撐可持續(xù)的算力未來(lái)

為應(yīng)對(duì)AI應(yīng)用激增帶來(lái)的能源挑戰(zhàn)，英飛凌推出覆蓋數(shù)字化轉(zhuǎn)型全價(jià)值鏈、從電網(wǎng)到AI芯片核心的高能效電源解決方案，提供包括電源供應(yīng)單元（PSU）、電池備份單元（BBU）、中間母線轉(zhuǎn)換器（IBC）及負(fù)載點(diǎn)（POL）模塊等系統(tǒng)級(jí)供電產(chǎn)品。

其中展示的8kW PSU評(píng)估板選用了英飛凌最新的硅、碳化硅和氮化鎵功率器件，實(shí)現(xiàn)了高頻、高效、高功率密度的8kW電源轉(zhuǎn)換。而4kW BBU評(píng)估板創(chuàng)新地采用部分功率轉(zhuǎn)換架構(gòu)，僅對(duì)部分負(fù)載功率進(jìn)行升壓或降壓處理，再與電池串聯(lián)供電，這大幅降低了BOM成本與板面積占用，提升了系統(tǒng)備份時(shí)長(zhǎng)，進(jìn)一步優(yōu)化了轉(zhuǎn)換效率。1.5kW固定比例IBC模塊基于英飛凌專利HSC拓?fù)洌瑢?8V輸入按8:1固定比例轉(zhuǎn)換為6V輸出，轉(zhuǎn)換效率極高。此外，針對(duì)AI板卡熱插拔需求，英飛凌推出XDP710數(shù)字熱插拔控制器，支持客戶編程設(shè)定開(kāi)關(guān)管的安全工作區(qū)（SOA）曲線，有效抑制插拔瞬態(tài)電流，提升系統(tǒng)可靠性?？涩F(xiàn)場(chǎng)通過(guò)評(píng)估板與GUI軟件聯(lián)動(dòng)演示其靈活配置能力。

展會(huì)期間，英飛凌參與了由PCIM Asia主辦的六場(chǎng)論壇演講，與行業(yè)專家和領(lǐng)袖就碳化硅、氮化鎵、最新功率器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)、電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)創(chuàng)新、AI服務(wù)器電源解決方案以及固態(tài)開(kāi)關(guān)等熱門(mén)話題進(jìn)行了深入交流，并結(jié)合不同行業(yè)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，分享了前沿的創(chuàng)新成果與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。這不僅展現(xiàn)了英飛凌在技術(shù)研發(fā)中的深厚積淀與創(chuàng)新潛力，更凸顯了其以技術(shù)推動(dòng)低碳化與數(shù)字化發(fā)展的使命擔(dān)當(dāng)，為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展注入了新動(dòng)力。

本次展會(huì)充分展現(xiàn)了英飛凌在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新能力及領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，彰顯了其對(duì)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入。與此同時(shí)，英飛凌以技術(shù)賦能低碳化與數(shù)字化發(fā)展，以實(shí)際行動(dòng)踐行產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的承諾。未來(lái)，英飛凌將攜手行業(yè)伙伴，探索更高效、更智能的半導(dǎo)體解決方案，為綠色低碳轉(zhuǎn)型注入新動(dòng)能，共同創(chuàng)造可持續(xù)發(fā)展的美好未來(lái)。