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[導(dǎo)讀]電子元器件的失效可能由多種因素引起,了解這些原因及相應(yīng)的檢測(cè)方法對(duì)于提高產(chǎn)品的可靠性和性能至關(guān)重要。

電子元器件的失效可能由多種因素引起,了解這些原因及相應(yīng)的檢測(cè)方法對(duì)于提高產(chǎn)品的可靠性和性能至關(guān)重要。以下是常見(jiàn)的失效原因及檢測(cè)方法。

失效原因

1. 環(huán)境因素:

- 溫度:過(guò)高或過(guò)低的溫度會(huì)導(dǎo)致元器件性能下降,甚至失效。

- 濕度:高濕度環(huán)境可能導(dǎo)致絕緣失效或腐蝕。

- 塵埃和污染:灰塵和化學(xué)污染物可能導(dǎo)致短路或電氣性能下降。

2. 電氣應(yīng)力:

- 過(guò)電壓:超過(guò)額定電壓會(huì)導(dǎo)致?lián)舸┗驌p壞。

- 過(guò)電流:超出額定電流會(huì)引發(fā)過(guò)熱和燒毀。

- 電磁干擾:外部電磁場(chǎng)可能影響元器件的正常工作。

3. 機(jī)械應(yīng)力:

- 振動(dòng)和沖擊:機(jī)械振動(dòng)和沖擊可能導(dǎo)致焊點(diǎn)或內(nèi)部結(jié)構(gòu)損壞。

- 熱循環(huán):熱脹冷縮可能導(dǎo)致材料疲勞和失效。

4. 材料缺陷:

- 制造缺陷:生產(chǎn)過(guò)程中可能出現(xiàn)的缺陷,如焊接不良、材料不均勻等。

- 老化:材料隨著時(shí)間的推移可能會(huì)退化,導(dǎo)致性能下降。

5. 設(shè)計(jì)缺陷:

- 不合理的設(shè)計(jì):設(shè)計(jì)不當(dāng)可能導(dǎo)致元器件在特定條件下無(wú)法正常工作。

常見(jiàn)檢測(cè)方法

1. 視覺(jué)檢查:

- 使用顯微鏡或放大鏡檢查元器件表面是否有明顯的物理?yè)p傷、裂紋或焊接缺陷。

2. 電氣測(cè)試:

- 直流電阻測(cè)試:測(cè)量元器件的直流電阻,判斷其導(dǎo)通性。

- 交流阻抗測(cè)試:用于評(píng)估電容器和電感器的性能。

3. 熱成像檢測(cè):

- 使用熱成像儀檢測(cè)元器件的溫度分布,識(shí)別過(guò)熱區(qū)域和潛在故障點(diǎn)。

4. 功能測(cè)試:

- 在實(shí)際工作條件下測(cè)試元器件的功能,確保其正常工作。

5. 老化測(cè)試:

- 在高溫、高濕環(huán)境下對(duì)元器件進(jìn)行加速老化測(cè)試,評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。

6. X射線檢查:

- 使用X射線設(shè)備檢查焊接質(zhì)量和內(nèi)部結(jié)構(gòu),識(shí)別潛在的內(nèi)部缺陷。

7. 電磁兼容性(EMC)測(cè)試:

- 測(cè)試元器件對(duì)電磁干擾的抵抗能力,確保其在電磁環(huán)境中的穩(wěn)定性。

8. 失效分析:

- 對(duì)失效元器件進(jìn)行分析,確定失效原因,常用方法包括掃描電子顯微鏡(SEM)、能譜分析(EDX)等。

電子元器件失效原因解析> 溫度的影響

溫度是影響電子元器件失效的主要因素之一,特別是對(duì)于半導(dǎo)體器件,影響顯著。溫度變化對(duì)其性能有著顯著的影響。由于P-N結(jié)的正向壓降對(duì)溫度反應(yīng)敏感,因此以P-N結(jié)為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件,其電壓傳輸特性和抗干擾度都與溫度緊密相關(guān)。

隨著溫度的升高,P-N結(jié)的正向壓降會(huì)逐漸減小,這會(huì)導(dǎo)致元件的低電平抗干擾電壓容限縮小,而高電平抗干擾電壓容限則增大。這種變化會(huì)引起輸出電平的偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào)等問(wèn)題,嚴(yán)重時(shí)甚至可能導(dǎo)致熱擊穿。

此外,構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的P-N結(jié)對(duì)溫度變化非常敏感,當(dāng)P-N結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時(shí),由少數(shù)載流子形成的反向漏電流也會(huì)受到溫度變化的影響。

公式表明,當(dāng)溫度從TR℃升高到T°C時(shí),反向漏電流ICQ將增加,且每升高10℃,ICQ的增加量將達(dá)到一倍。這種變化會(huì)導(dǎo)致晶體管放大器的工作點(diǎn)發(fā)生漂移,進(jìn)而影響晶體管的電流放大系數(shù)和特性曲線,最終使得動(dòng)態(tài)范圍縮小。

溫度與允許功耗之間存在著密切的聯(lián)系。隨著溫度的升高,允許功耗也會(huì)相應(yīng)地發(fā)生變化。這種變化不僅會(huì)影響晶體管的工作狀態(tài),還會(huì)進(jìn)一步影響到電路的整體性能。溫度上升會(huì)導(dǎo)致晶體管的最大允許功耗降低。而電阻的熱噪聲會(huì)增加,阻值可能偏離其標(biāo)稱(chēng)值。然而,電阻的這一特性并非全然不利。例如,特別設(shè)計(jì)的PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和NTC(負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻)的阻值對(duì)溫度變化非常敏感,這使得它們可以當(dāng)作傳感器使用。

> 濕度的影響

高濕度會(huì)導(dǎo)致電路板焊點(diǎn)腐蝕和漏電,引發(fā)漏電耦合的問(wèn)題;另一方面,濕度過(guò)低則容易產(chǎn)生靜電,對(duì)元器件造成損害。因此,維持合理的環(huán)境濕度至關(guān)重要。

> 過(guò)高電壓的影響

過(guò)高電壓同樣是導(dǎo)致元器件失效的重要因素。為了確保元器件的正常工作,必須保證施加在它們上的電壓穩(wěn)定性。 過(guò)高電壓會(huì)加重元器件的熱損耗,甚至可能引發(fā)電擊穿。以電容器為例,其失效率與施加在電容兩端的電壓的5次冪成正比。而對(duì)于集成電路,超過(guò)其最大允許電壓的電壓將直接造成器件的損壞。

> 振動(dòng)與沖擊的影響

振動(dòng)和沖擊是導(dǎo)致元器件失效的重要因素。 振動(dòng)與沖擊會(huì)加速元器件內(nèi)部缺陷發(fā)展的進(jìn)程,可能導(dǎo)致焊點(diǎn)松動(dòng)和接觸不良。機(jī)械振動(dòng)會(huì)使內(nèi)部有缺陷的元件更快失效,造成嚴(yán)重故障。若振動(dòng)使導(dǎo)線發(fā)生不應(yīng)有的接觸,則可能產(chǎn)生意外的后果。

02電子元器件失效類(lèi)型分析> 電阻器失效分析

電阻器、電位器的失效機(jī)理因類(lèi)型而異。 電阻器失效包括開(kāi)路、變質(zhì)等。碳膜電阻器可能因引線斷裂、基體缺陷、膜層均勻性不佳等問(wèn)題而失效。金屬膜電阻器則可能因電阻膜不均勻、破裂,引線不牢,電阻膜分解等復(fù)雜因素而受損。

對(duì)于非線形電阻器和電位器,常見(jiàn)的失效原因包括開(kāi)路、阻值漂移、引線機(jī)械損傷及接觸損壞等。值得注意的是,電阻器容易發(fā)生變質(zhì)和開(kāi)路故障,其中變質(zhì)往往表現(xiàn)為阻值增大。一旦電阻器出現(xiàn)變質(zhì)或開(kāi)路,通常建議直接更換新件,而不進(jìn)行修復(fù)。

> 電容器失效分析

電容器在運(yùn)行過(guò)程中可能遇到的問(wèn)題包括擊穿、開(kāi)路、電參數(shù)退化等。 電容器常見(jiàn)失效模式包括擊穿和開(kāi)路。擊穿是電容器常見(jiàn)的失效模式之一,可能是由于介質(zhì)中存在疵點(diǎn)、缺陷、雜質(zhì)或?qū)щ婋x子。

開(kāi)路則是另一種常見(jiàn)的失效模式。這通常是由于擊穿導(dǎo)致電極和引線絕緣,或者電解電容器陽(yáng)極引出箔被腐蝕斷。

> 電感與變壓器失效分析

外部因素如負(fù)載短路、受潮等是導(dǎo)致電感和變壓器故障的主要原因。 被燒毀的電感和變壓器的故障現(xiàn)象及原因有多種。當(dāng)變壓器接通電源后,若鐵心發(fā)出嗡嗡聲,可能原因是鐵心未夾緊或負(fù)載過(guò)重。若出現(xiàn)發(fā)熱、冒煙、有焦味或保險(xiǎn)絲燒斷,則可能是線圈短路或負(fù)載過(guò)重所致。

一、環(huán)境因素:溫濕度的“雙刃劍”

高溫危害

機(jī)理:溫度升高導(dǎo)致元器件熱膨脹差異、材料老化(如氧化、熱遷移)。

案例:晶體管反向漏電流隨溫度升高指數(shù)增長(zhǎng)(每升10℃,漏電流翻倍),引發(fā)熱擊穿(Thermal Breakdown)。

解決方案:選擇高Tg(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)材料,優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)(如散熱片、風(fēng)道)。

濕度過(guò)高/靜電風(fēng)險(xiǎn)

機(jī)理:濕度過(guò)高時(shí),酸堿性灰塵腐蝕焊點(diǎn);濕度過(guò)低則易產(chǎn)生靜電(ESD),擊穿敏感器件(如MOSFET)。

案例:PCB焊點(diǎn)因腐蝕脫落,導(dǎo)致電路斷路;CMOS芯片因ESD擊穿柵氧層(Gate Oxide)。

解決方案:控制環(huán)境濕度(40%-60%),使用防潮涂層(Conformal Coating)和ESD防護(hù)電路。

二、電壓過(guò)載:超出耐壓上限的“電擊穿” ?

過(guò)壓損傷

機(jī)理:電壓超過(guò)元器件耐壓值(如電容器額定電壓),導(dǎo)致介質(zhì)擊穿或熱擊穿。

案例:電解電容因過(guò)壓導(dǎo)致電解液氣化,外殼鼓脹甚至爆裂;集成電路(IC)因瞬態(tài)電壓損壞輸入保護(hù)二極管。

數(shù)據(jù)支持:電容器失效率與施加電壓的5次冪成正比(知識(shí)庫(kù)[3])。

浪涌電流沖擊

機(jī)理:大電流瞬間通過(guò)元器件,引發(fā)局部過(guò)熱或金屬熔斷(如鋁線斷裂)。

案例:電源模塊因浪涌電流燒毀整流橋;MOSFET因短路導(dǎo)致導(dǎo)通損耗激增。

解決方案:加裝TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)或保險(xiǎn)絲,限制輸入電流。

三、機(jī)械應(yīng)力:振動(dòng)與沖擊的“物理破壞”

焊點(diǎn)/連接處斷裂

機(jī)理:機(jī)械振動(dòng)導(dǎo)致焊點(diǎn)疲勞開(kāi)裂,或因熱膨脹系數(shù)差異引發(fā)應(yīng)力集中。

案例:汽車(chē)電子模塊因長(zhǎng)期振動(dòng)導(dǎo)致BGA焊球斷裂;FPC(柔性電路板)因彎折過(guò)度發(fā)生銅箔剝離。

解決方案:優(yōu)化焊接工藝(如回流焊參數(shù)),增加結(jié)構(gòu)加固(如灌封膠)。

封裝缺陷引發(fā)失效

機(jī)理:封裝材料氣泡、裂紋或分層,導(dǎo)致濕氣滲入或機(jī)械強(qiáng)度不足。

案例:QFN器件因封裝裂紋吸濕,高溫下發(fā)生CAF(導(dǎo)電陽(yáng)極絲)短路。

檢測(cè)方法:X射線透視檢查封裝缺陷(知識(shí)庫(kù)[5])。

四、材料老化:時(shí)間累積的“慢性殺手”

介質(zhì)老化與遷移

機(jī)理:電介質(zhì)(如陶瓷電容)因長(zhǎng)期使用發(fā)生性能退化,或銀離子遷移導(dǎo)致短路。

案例:MLCC(多層陶瓷電容)因老化導(dǎo)致容量下降10%以上;電解電容壽命隨溫度升高呈指數(shù)衰減(每升10℃,壽命減半)。

金屬疲勞與腐蝕

機(jī)理:金屬引線或焊點(diǎn)因熱循環(huán)發(fā)生晶界滑移,或因環(huán)境腐蝕導(dǎo)致電阻升高。

案例:線繞電阻器因引線氧化斷裂;金線鍵合點(diǎn)因熱疲勞脫落。

五、失效分析的關(guān)鍵步驟

電測(cè)定位:通過(guò)IV曲線、阻抗測(cè)試確定失效模式(開(kāi)路/短路/參數(shù)漂移)。

形貌分析:SEM/EDS觀察微觀裂紋或腐蝕痕跡。

熱成像:EMMI(電子空穴發(fā)光)定位熱點(diǎn)區(qū)域。

電子元器件主要包括元件和器件,電子元件是生產(chǎn)加工過(guò)程中分子成分不被改變的成品,比如:電容、電阻和電感等。電子器件是生成加工過(guò)程中分子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化的成品,比如:電子管、集成電路等。

電阻類(lèi)元器件

電阻類(lèi)元器件出現(xiàn)故障在電子設(shè)備中占很大的比例,電阻可以分為分流、降壓、負(fù)載、阻抗匹配等功能。根據(jù)構(gòu)造的不同,電阻類(lèi)元器件可以分為線繞電阻、非線繞電阻。

電阻類(lèi)元器件失效的主要方式有接觸損壞、開(kāi)路以及引線機(jī)械損傷。

溫度變化對(duì)電阻的影響主要是溫度升高時(shí),電阻的熱噪聲增加,阻值偏離標(biāo)稱(chēng)值,允許耗散概率下降等。但我們也可以利用電阻的這一特性,比如,有經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的一類(lèi)電阻:PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和NTC(負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻),它們的阻值受溫度的影響很大。

機(jī)械振動(dòng)會(huì)使焊點(diǎn)、壓線點(diǎn)發(fā)生松動(dòng),導(dǎo)致接觸不良等機(jī)械損傷。

電容類(lèi)元器件

電容類(lèi)元器件失效的主要方式有擊穿、機(jī)械損傷、電解液泄露等。

電容出現(xiàn)擊穿的原因主要有:

1、介質(zhì)存在缺陷、雜質(zhì)和導(dǎo)電離子;

2、介質(zhì)出現(xiàn)老化;

3、介質(zhì)材料存在電、氣隙擊穿;

4、制造加工時(shí)介質(zhì)有機(jī)械損傷;

5、介質(zhì)分子結(jié)構(gòu)出現(xiàn)變化;

6、金屬離子遷移構(gòu)成導(dǎo)電溝道或邊緣飛弧放電。

電容失效也可能是開(kāi)路造成的,引出線與電容接觸點(diǎn)氧化導(dǎo)致低電平開(kāi)路,引出線與電極接觸不良,電解電容器陽(yáng)極引出金屬箔由于機(jī)械折斷等造成開(kāi)路故障。此為,電容也可能因?yàn)殡妳?shù)退化故障而導(dǎo)致失效,比如:電極材料金屬離子出現(xiàn)遷移、材料金屬化電極自愈效應(yīng)、電極的電解腐化與化學(xué)腐化、潮濕、表面污染等都可能造成電容的電參數(shù)退化。

電感類(lèi)元器件

電感類(lèi)元器件涉及到變壓器、電感、濾波線圈、震蕩線圈等。電感類(lèi)元器件的大部分故障是外界因素導(dǎo)致的,比如:變壓器的溫度升高、負(fù)載短路使線圈經(jīng)過(guò)的電流過(guò)大等,都會(huì)使線圈出現(xiàn)短路、短路以及擊穿等故障。

在集成電路中,不論哪一部分出現(xiàn)問(wèn)題,整體都無(wú)法正常運(yùn)行,比如:電極短路、開(kāi)路、機(jī)械磨損、可焊接性差等都會(huì)失效。失效主要分為徹底損壞和熱穩(wěn)定性不良等,熱穩(wěn)定性失效主要出現(xiàn)在高溫或者低溫,超出了器件的工作溫度范圍而失效。

解決方法

那如何有效的找到失效的電子元器件,并更換或者修復(fù)問(wèn)題呢?

在調(diào)試中,出現(xiàn)電路無(wú)法工作或工作不正常的問(wèn)題時(shí)。首先通過(guò)動(dòng)態(tài)觀察法,就是將線路設(shè)備通電的情況下,聽(tīng)、看、摸、聞等方法對(duì)電子元器件的故障進(jìn)行判斷。比如:聽(tīng)設(shè)備是不是有異常的聲音,仔細(xì)看電路內(nèi)有沒(méi)有冒煙、火花等情況;摸一摸元器件、電路有沒(méi)有發(fā)燙的情況;聞一聞?dòng)袥](méi)有焦糊等味道。

也可通過(guò)萬(wàn)用表測(cè)量電路中通斷情況,通過(guò)測(cè)量正常與不正常電路中各類(lèi)值來(lái)判斷。

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