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[導(dǎo)讀]中國上海,2025年10月23日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出適用于中等耐壓系統(tǒng)(12V~48V系統(tǒng))的采用“TriC3?”技術(shù)的三相無刷直流電機驅(qū)動器IC“BD67871MWV-Z”。通過配備ROHM自有的驅(qū)動邏輯,該電機驅(qū)動器IC成功地在降低FET發(fā)熱量的同時實現(xiàn)了低EMI*1特性,而這兩項之間存在此消彼長的關(guān)系,通常很難同時兼顧。

中國上海,2025年10月23日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出適用于中等耐壓系統(tǒng)(12V~48V系統(tǒng))的采用“TriC3?”技術(shù)的三相無刷直流電機驅(qū)動器IC“BD67871MWV-Z”。通過配備ROHM自有的驅(qū)動邏輯,該電機驅(qū)動器IC成功地在降低FET發(fā)熱量的同時實現(xiàn)了低EMI*1特性,而這兩項之間存在此消彼長的關(guān)系,通常很難同時兼顧。

電機的耗電量約占全球耗電量的60%,從能源效率的角度來看,進(jìn)一步提升其控制技術(shù)越來越重要。尤其是在12V~48V電壓等級的應(yīng)用產(chǎn)品中,電機驅(qū)動的主流方案通常采用通過MCU控制3個柵極驅(qū)動器的簡單架構(gòu)。然而近年來,對高效率控制且精密控制的需求日益高漲,MCU與一體化三相電機驅(qū)動器相結(jié)合的解決方案正在加速普及。另一方面,三相電機驅(qū)動器還存在技術(shù)課題—“抑制功耗”與“降低噪聲”之間存在著此消彼長的權(quán)衡關(guān)系,長期以來被認(rèn)為兩者很難同時兼顧。針對這些課題,ROHM充分利用其在電機驅(qū)動器等各種柵極驅(qū)動器IC開發(fā)過程中積累的先進(jìn)電路控制技術(shù),成功開發(fā)出可同時抑制“功耗”和“噪聲”的新技術(shù)“TriC3?”。

新產(chǎn)品采用ROHM自有的智能柵極驅(qū)動技術(shù)“TriC3?”,能夠高速感測來自FET的電壓信息,并實時進(jìn)行柵極控制。采用這種控制方式,不僅通過降低開關(guān)時的FET功耗減少了發(fā)熱量,同時還抑制了振鈴*2的產(chǎn)生,實現(xiàn)了低EMI特性。經(jīng)實際電機驗證,與ROHM以往的恒流驅(qū)動產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品在同等EMI水平下的FET發(fā)熱量可降低約35%。另外,新產(chǎn)品采用的是中等耐壓工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動器IC常用的封裝形式(UQFN28)和引腳排列,有助于減輕電路修改和新設(shè)計時的工作量。

新產(chǎn)品已于2025年9月開始量產(chǎn)(樣品價格800日元/個,不含稅)。此外,ROHM還提供可助力應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計的評估板(BD67871MWV-EVK-003)。本產(chǎn)品也已開通電商銷售路徑,通過電商平臺均可購買。

另外,ROHM還推出了與新產(chǎn)品采用相同封裝和引腳配置的恒壓驅(qū)動通用電機驅(qū)動器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。從通用型到此次采用TriC3?技術(shù)的高附加值型產(chǎn)品,ROHM可提供滿足客戶多樣化需求的豐富產(chǎn)品群,未來ROHM將繼續(xù)致力于提升電機效率、助力應(yīng)用產(chǎn)品增強功能、提升性能并降低能耗。

<產(chǎn)品陣容>

<應(yīng)用示例>

?工業(yè)設(shè)備:電動鉆頭、電動螺絲刀、工業(yè)風(fēng)扇等設(shè)備所用的各種電機

?消費電子:吸塵器、空氣凈化器、空調(diào)、換氣扇等設(shè)備所用的各種電機、

電助力自行車

<TRIC3?>

ROHM開發(fā)的適時細(xì)分恒流控制驅(qū)動技術(shù)。通過三段式精確設(shè)定控制柵極電流,實現(xiàn)高速且高效運行,同時抑制振鈴現(xiàn)象,有助于降低噪聲并實現(xiàn)穩(wěn)定工作。

“TriC3?”是ROHM Co., Ltd. 的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

<術(shù)語解說>

*1) EMI(Electromagnetic Interference:電磁干擾)

EMI是用來衡量對象產(chǎn)品的運行產(chǎn)生多少噪聲、是否給外圍IC和系統(tǒng)帶來問題的指標(biāo)?!暗虴MI特性”意味著產(chǎn)生的噪聲很少。

*2) 振鈴

開關(guān)時產(chǎn)生的高頻振蕩和過沖現(xiàn)象。這是由MOSFET在開、關(guān)動作時,電路中的寄生電感和寄生電容發(fā)生的諧振所導(dǎo)致的現(xiàn)象。

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