2025年11月20日至21日，全球居先的綜合電子元器件制造商村田中國(以下簡稱“村田”)將亮相于成都中國西部國際博覽城召開的“2025集成電路發(fā)展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設計業(yè)展覽會(ICCAD 2025)”，展位號：【D106】。此次大會，村田將重點關(guān)注未來高性能AI發(fā)展，著力為高速高頻設計挑戰(zhàn)提供更多小型化、高性能的元器件產(chǎn)品和解決方案，集中展示在集成電路領(lǐng)域的前沿技術(shù)和解決方案。

隨著人工智能技術(shù)的迅速發(fā)展和算力需求的持續(xù)攀升，AI芯片的市場規(guī)模正迅速擴大。根據(jù)德勤中國今年發(fā)布的《技術(shù)趨勢2025》*1報告，全球AI芯片市場增長迅猛，到2027年，預計市場規(guī)模將增長至4000億美元，保守預估也將達1100億美元。AI芯片的高速發(fā)展對集成電路設計也提出了更高的要求。如何優(yōu)化和創(chuàng)新芯片中的多類元器件，使其能夠滿足AI應用日益增長的計算、能效和穩(wěn)定性要求，正成為行業(yè)聚焦的重點。

*1來源：Deloitte, “Tech trend 2025”,2025,

本次展會，村田將帶來多款業(yè)內(nèi)居先的電子元器件產(chǎn)品及解決方案，持續(xù)助力行業(yè)解決因AI芯片性能提高而產(chǎn)生的多種設計挑戰(zhàn)，推動集成電路產(chǎn)業(yè)向更優(yōu)效、更小型化、更穩(wěn)定的方向發(fā)展。

? 低ESL(UESL)硅電容

村田低ESL硅電容，特別適用于封裝內(nèi)去除高頻反諧振點的去耦和PDN設計優(yōu)化，非常適合AI服務器HPC、用于前沿深度學習的加速發(fā)展高規(guī)格GPU等應用場景。該系列具有低ESL、ESR和多端子設計，能夠降低PDN在高頻下的阻抗，支持多電源域的去耦，3D結(jié)構(gòu)實現(xiàn)電容分布的靈活性。目前，該系列產(chǎn)品已成功應用于一些旗艦機的APU，以及HPC的部分PDN設計參考中。

? 多層陶瓷電容器(MLCC)

村田此次帶來多款MLCC產(chǎn)品，涵蓋長寬倒置電容(LLL)、三端子電容(NFM)，小型化大容量電容等產(chǎn)品，可應用于AI服務器、交換機、汽車等多種場景。村田的長寬倒置型低ESL MLCC不僅具有220μm以下的低厚度特點，而且低ESL特性對電路PDN 設計有著很大的幫助，因此非常適合芯片背貼使用。而3端子電容則能有效解決板級或芯片內(nèi)部空間問題，減少電容使用數(shù)量，提升電路性能。此外，村田的大容量化措施讓村田成功成為業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)0603(1.6x0.8mm)/X6/100μF產(chǎn)品量產(chǎn)的廠商。村田的MLCC以豐富的產(chǎn)品線和行業(yè)居先的技術(shù)實力助力多類設備向小型化、高性能、高穩(wěn)定性發(fā)展，從而有效解決行業(yè)痛點，推動行業(yè)飛躍式發(fā)展。

? 村田集成封裝解決方案*2

利用村田的專有技術(shù)，結(jié)合聚合物電容與多層基板技術(shù)生產(chǎn)工藝所研發(fā)，容值密度高，厚度薄，專有的通孔設計可實現(xiàn)芯片或電源模塊的垂直供電。同時，具備穩(wěn)定性高、無直流偏置和溫漂的特點。區(qū)別于傳統(tǒng)電容布局，村田的集成封裝解決方案在優(yōu)化PDN阻抗的同時，為高性能計算等領(lǐng)域應用的緊湊化設計提供更多可能性。非常適合服務器、GPU、AI加速卡等應用。

*2參考產(chǎn)品，產(chǎn)品規(guī)格和外觀如有變更，恕不另行通知

展會現(xiàn)場，村田還將展出包括多層LCP產(chǎn)品在內(nèi)的多樣化產(chǎn)品。除此之外，村田也將在展會期間參與“IC設計與創(chuàng)新應用”大會，并帶來主題演講——《AI與汽車電子領(lǐng)域的精良封裝IC(PDN)設計與解決方案》。屆時，村田中國產(chǎn)品工程師李丹鈺女士將分享村田在人工智能和車載電子領(lǐng)域的PDN優(yōu)化經(jīng)驗和前沿封裝設計思路，為與會者帶來關(guān)于PDN技術(shù)的專業(yè)洞察。

村田將持續(xù)通過技術(shù)積累及實踐，助力集成電路設計優(yōu)化，為行業(yè)提供多元解決方案。歡迎各界人士蒞臨村田展位，親身體驗前沿科技，共同探索行業(yè)新篇。