英特爾：以開放的姿態(tài)迎接互聯(lián)網(wǎng)第四次浪潮”

英特爾堅(jiān)定地認(rèn)為2015年將有150億臺接入互聯(lián)網(wǎng)的嵌入式設(shè)備，并將之定義為互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的第四個(gè)階段。為此，英特爾正在努力地改變自己，以獲得這150億互聯(lián)嵌入式設(shè)備的最大市場份。改變中最明顯的變化則是英特爾將瘦身

三星：內(nèi)存芯片價(jià)格不受歐債危機(jī)影響

據(jù)報(bào)道，三星高層近日表示，目前愈演愈烈的歐洲債務(wù)危機(jī)對內(nèi)存芯片價(jià)格的影響將會非常有限。受到PC需求量保持強(qiáng)勁勢頭以及廠商因投資不足導(dǎo)致芯片產(chǎn)能降低影響，內(nèi)存芯片價(jià)格一直保持在一個(gè)高段位，而且維持了很長一

集成冷結(jié)補(bǔ)償?shù)木軣犭娕挤糯笃鳎ˋDI）

Analog Devices, Inc. 針對廣泛用于工業(yè)、商業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域溫度測量的 K 型和 J 型熱電偶，推出低成本精密熱電偶放大器系列產(chǎn)品。 熱電偶系統(tǒng)可提供精確而可靠的溫度測量和控制功能，經(jīng)濟(jì)有效，并且溫度測量范圍較

低功耗USB3.0單芯片閃存磁盤方案透露

IC設(shè)計(jì)公司Faraday科技和Innostor科技目前已經(jīng)聯(lián)合透露出單芯片USB 3.0存儲磁盤方案。這個(gè)控制器基于Faraday的USB 3.0 PHY和Innostor的閃存存儲技術(shù)，提供低功耗的SLC/MLC/TLC閃存方案，為用戶帶來高速高整合性應(yīng)用。

惠瑞捷為V101平臺再添混合信號測試能力

惠瑞捷半導(dǎo)體科技有限公司日前宣布，通過新增混合信號半導(dǎo)體設(shè)備測試能力，V101平臺的功能進(jìn)一步得到增強(qiáng)。通用V101平臺專為晶圓分類和最終測試生產(chǎn)階段的低成本、高容量測試而設(shè)計(jì)，如今又增添了針對音頻和視頻信號

京元電 獎(jiǎng)金擬加碼

半導(dǎo)體專業(yè)測試廠京元電（2449）受惠聯(lián)發(fā)科（2454）等大客戶下單強(qiáng)勁，近期接單狀況創(chuàng)近五年多來最佳，本季營運(yùn)持續(xù)攻高，朝單月營收歷史新高叩關(guān)，公司醞釀加碼發(fā)放業(yè)績獎(jiǎng)金，為歷來第二季傳統(tǒng)淡季罕見。 京

福懋科 切入LED封裝代工

福懋科技（8131）表示，為趕搭LED在TV背光源應(yīng)用的高速成長列車，將切入LED前制程晶粒及封裝代工業(yè)務(wù)，達(dá)到產(chǎn)品多元化及多層次目標(biāo)。據(jù)法人表示，福懋科在已打入晶電（2448）供應(yīng)鏈，可推升營運(yùn)成長。 福懋表

臺積電將DRC設(shè)計(jì)工具描述規(guī)格“iDRC”無償贈予標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)Si2

美國Silicon Integration Initiative（Si2）宣布，臺灣臺積電（TSMC）已將EDA工具用數(shù)據(jù)描述規(guī)格“iDRC”無償贈予Si2。Si2是實(shí)施EDA標(biāo)準(zhǔn)化的非盈利機(jī)構(gòu)之一。 iDRC是檢查LSI掩模版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的DRC（design rulec

新研發(fā)納米管噴墨印刷工藝簡化晶體管制造

目前有不少研究機(jī)構(gòu)都投注了大量資源，來改善對納米管(nanotubes)進(jìn)行分類的方法，如此就能為印刷電子工藝生產(chǎn)出導(dǎo)電、半導(dǎo)電或是絕緣的墨水材料；有了這些墨水，晶體管或是其他電路組件，就能夠輕易地用噴墨打印機(jī)在

可獲得大電感量的仿真電感電路

電路的功能數(shù)100MH以上的電感，重量重，體積大，不適合現(xiàn)在的使用要求，除特殊用途外，低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器，本電路用正反饋電路對電容器C的頻率-阻抗特性進(jìn)行倒相，形成等效的電感，線圈L的一端被

用可變電阻改變?nèi)萘康碾娙荼对銎麟娐?/a>

測量超低噪聲的OP放大器噪聲測量電路

電路的功能采用OP放大器的直流放大器，失調(diào)漂移固然重要，而低頻噪聲也必須小。不同種類的OP放大器基噪聲差別很大，必須進(jìn)行實(shí)測，以掌握具體參數(shù)。本電路是OP放大器的噪聲電壓測定電路，測量帶寬為0.1HZ~10HZ，側(cè)重

不用電感L的無調(diào)節(jié)石英晶體振蕩電路

電路的功能晶體管的集電極負(fù)載若采用LC諧振回路，為了使振蕩穩(wěn)定，皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調(diào)偏，如不用電感L，則可采用本電路這種無調(diào)節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L，則可將其

中芯國際和Virage Logic合作65納米低漏電工藝

Virage Logic 公司和中芯國際集成電路有限公司宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到包括65納米（nanometer）的低漏電（low-leakage）工藝技術(shù)。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級芯片（SoC）設(shè)計(jì)人員將能夠使用 Virage Logic 開發(fā)的，基

選擇高壓場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能

高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。