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東芝正式宣布將開(kāi)始建設(shè)NAND新車間Fab5

東芝正式宣布將開(kāi)始建設(shè)之前延期的NAND型閃存量產(chǎn)線。預(yù)定于2010年7月開(kāi)始建設(shè)四日市工廠的第五生產(chǎn)車間（Fab5），2011年春季竣工，最早將在2011年夏季投產(chǎn)?，F(xiàn)在，作為NAND量產(chǎn)線東芝已啟動(dòng)了四日市工廠的第四生產(chǎn)車

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2010-03-26

NAND 東芝 FAB SANDISK
美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND

在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國(guó)美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購(gòu)第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka

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2010-03-26

美光 NAND閃存 5NM NAND
英特爾大連芯片廠內(nèi)部任務(wù)確保投產(chǎn)疑似升級(jí)功能

一張掛在英特爾上海辦公室和英特爾中國(guó)執(zhí)行董事戈峻的一張PPT中的“圖紙”，“泄露”了英特爾大連芯片廠未來(lái)布局。昨日，CNET科技資訊網(wǎng)記者在英特爾大連芯片廠采訪了大連市副市長(zhǎng)戴玉林與英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必

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2010-03-26

芯片廠英特爾封裝測(cè)試 NET
產(chǎn)能緊張中芯國(guó)際應(yīng)當(dāng)優(yōu)先保證誰(shuí)的利益？

近期由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，多數(shù)晶圓廠產(chǎn)能吃緊，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道近期博通、阿爾特拉、高通、英偉達(dá)等公司高管，紛紛利用到臺(tái)灣參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟理事會(huì)之便拜訪臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀，希望臺(tái)積電能夠盡力提高產(chǎn)能滿足需

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2010-03-26

中芯國(guó)際微電子臺(tái)積電 65NM
供給有限、需求強(qiáng)勁DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智

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2010-03-26

DRAM LED MOBILE EXCHANGE
三星跳電存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

三星電子(SamsungElectronics)韓國(guó)器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量32GbNANDFlash芯片亦受影響，尤其目前包括MobileRAM、SDRAM和NORF

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2010-03-26

三星存儲(chǔ)器 NANDFLASH FAB
三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

道瓊社25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的

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2010-03-26

半導(dǎo)體三星電子斷電 GB
英特爾年內(nèi)在成都建全球第三座晶圓預(yù)處理工廠

英特爾成都工廠今天宣布正式投產(chǎn)最先進(jìn)的2010全新酷睿移動(dòng)處理器。此外，成都工廠將在今年下半年建設(shè)成為英特爾全球集中進(jìn)行晶圓預(yù)處理的三大工廠之一。晶圓預(yù)處理工廠主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓進(jìn)行第一次加工，將晶圓打磨、分

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2010-03-26

Intel 英特爾晶圓封裝測(cè)試
博世支持200mm晶圓的生產(chǎn)線已開(kāi)始投產(chǎn)

開(kāi)始投產(chǎn)的支持200mm晶圓的工廠。德國(guó)羅伯特·博世的數(shù)據(jù)。(點(diǎn)擊放大)前工序的一部分。德國(guó)羅伯特·博世的數(shù)據(jù)。(點(diǎn)擊放大)等離子蝕刻工序。德國(guó)羅伯特·博世的數(shù)據(jù)。(點(diǎn)擊放大) 德國(guó)羅伯特·博世（Robert Bosch Gmb

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2010-03-26

半導(dǎo)體晶圓博世 BOSCH
華碩主流PC生產(chǎn)線將部署USB 3.0接口

據(jù)報(bào)道，華碩今天宣布旗下主流筆記本、Eee PC上網(wǎng)本和Eee Box迷你機(jī)將全面部署USB 3.0接口。華碩表示，其主板上配備的PLX橋接芯片可進(jìn)一步提高帶寬，使得USB 3.0接口的傳輸速度比其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品提高了74.38%。其

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2010-03-26

USB 華碩接口 PC
傳Intel計(jì)劃推出一款獨(dú)立的USB3.0控制器芯片

幾個(gè)月前，Intel便已經(jīng)明確表態(tài)稱其下一代6系列芯片組不會(huì)內(nèi)含USB3.0支持功能，不過(guò)最近據(jù)悉他們似乎準(zhǔn)備推出一款獨(dú)立的USB3.0控制器產(chǎn) 品，以便彌補(bǔ)自己產(chǎn)品的不足。根據(jù)Xbit網(wǎng)站的報(bào)道，USB3.0控制器的廠商N(yùn)EC公司

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2010-03-26

Intel 控制器芯片 NEC USB3.0
傳中美晶獲美大單　擬于德州設(shè)模塊廠

市場(chǎng)傳出，半導(dǎo)體暨太陽(yáng)能硅晶圓廠中美硅晶轉(zhuǎn)投資的美國(guó)Globitech，近期將開(kāi)董事會(huì)，可望通過(guò)在美國(guó)德州設(shè)太陽(yáng)能模塊廠以利承接當(dāng)?shù)靥?yáng)能系統(tǒng)案，外傳中美硅晶正與德州政府洽談1筆30~50百萬(wàn)瓦(MWp)的太陽(yáng)能系統(tǒng)案，

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2010-03-26

半導(dǎo)體新能源太陽(yáng)能系統(tǒng) ITECH
佰鴻去年EPS達(dá)1.24元　今年2Q有望創(chuàng)新高

LED封裝廠佰鴻公布2009年財(cái)報(bào)，全年?duì)I收約新臺(tái)幣43.21億元，營(yíng)業(yè)毛利為7.23億元，毛利率約17%，稅后盈余為2.4億元，每股稅后盈余(EPS)為1.24元，展望2010年，佰鴻透過(guò)私募已陸續(xù)引進(jìn)臺(tái)達(dá)電、英業(yè)達(dá)認(rèn)購(gòu)，且在大尺寸L

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2010-03-26

LED封裝 LED背光 EPS LED路燈
博世支持200mm晶圓的生產(chǎn)線已開(kāi)始投產(chǎn)

德國(guó)羅伯特·博世（Robert Bosch GmbH）在該公司位于羅伊特林根的生產(chǎn)基地內(nèi)建設(shè)的支持200mm晶圓的工廠現(xiàn)已開(kāi)始投產(chǎn)。此次的200mm晶圓工廠的目標(biāo)是大幅擴(kuò)大汽車業(yè)務(wù)及消費(fèi)類產(chǎn)品業(yè)務(wù)，將其培育成新業(yè)務(wù)支柱。該

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2010-03-26

半導(dǎo)體晶圓博世 BOSCH
美光西安封測(cè)廠增建動(dòng)土估2011年建成投產(chǎn)

新民網(wǎng)報(bào)導(dǎo)，由美光科技(Micron Inc.)投資3億美元建設(shè)的半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)線近日在西安高新區(qū)開(kāi)工建設(shè)，是美光繼05年在西安高新區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)基地以來(lái)的又一重大項(xiàng)目，建成后將成為包括固態(tài)硬盤、發(fā)光二極

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2010-03-26

美光美光科技封裝測(cè)試半導(dǎo)體封裝

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東芝正式宣布將開(kāi)始建設(shè)NAND新車間Fab5

美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND

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傳中美晶獲美大單　擬于德州設(shè)模塊廠

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