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LMS自適應濾波器的仿真與實現(xiàn)

0 引言自適應濾波器可廣泛應用于系統(tǒng)識別、信號處理和數(shù)字通信等許多領域。而超大規(guī)模集成電路和FPGA的飛速發(fā)展，也促進了自適應濾波技術的進步。此外，由于其對干擾頻率不敏感，且其權(quán)值調(diào)整是基于對系統(tǒng)參

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2009-12-11

仿真 LMS自適應濾波器 BSP LMS算法
10bit 60MsPs 15mW流水線ADC的設計

0 引言模數(shù)轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代數(shù)字通信系統(tǒng)中十分重要的單元。與模擬信號相比，數(shù)字信號具有便于存儲、轉(zhuǎn)移、保真度和可靠性高等優(yōu)點。但是因為人們所處的世界是連續(xù)的模擬環(huán)境，其中所有(物理、化學、生物等)信號

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2009-12-11

運放 ADC PS BSP
WHDI正式發(fā)布無線家庭數(shù)字接口規(guī)范

WHDI LLC今天宣布WHDI™(無線家庭數(shù)字接口)規(guī)范正式起草完畢并投入使用。WHDI標準支持采用Deep Color(深色)技術的1080p/60Hz全高清顯示，有效傳輸距離為100英尺，并可透過墻壁。而其他無線標準均無法實現(xiàn)這一級

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2009-12-11

無線接口規(guī)范數(shù)字接口 HD
IMEC等利用振動發(fā)電的MEMS元件實現(xiàn)85μW電力

比利時研究機構(gòu)IMEC、荷蘭研究機構(gòu)Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）”上宣布，聯(lián)合開發(fā)出了將振動能量轉(zhuǎn)換為電力的MEMS元件，并獲得了最大85μW的電力。此前I

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2009-12-11

元件電力振動 MEMS
昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導體用SiC外延晶圓

昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（Epitaxial Wafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)

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2009-12-11

功率半導體晶圓逆變器 SIC
聯(lián)電公開最新混合型HK/MG 28nm制程方案

聯(lián)電(UMC)稍早前在2009國際電子組件會議(International Electron Device Meeting，IEDM)中，發(fā)表了其獨特的28奈米制程混合型高介電系數(shù)╱金屬閘極(HK/MG)技術。業(yè)界現(xiàn)有兩種不同的HK/MG整合方案同時并行，分別為

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2009-12-11

聯(lián)電 ST FIR RS
FormFactor推出12吋全晶圓測試解決方案

FormFactor公司宣布針對DRAM市場，推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡─SmartMatrix 100探針卡解決方案。該方案結(jié)合運用FormFactor MicroSpring微機電系統(tǒng)(MEMS)接觸技術的全新獨家探針卡架構(gòu)，能夠協(xié)助DRAM制造商克服

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2009-12-11

晶圓測試解決方案 FOR FACTOR
花旗：臺積電買茂迪劃算

外資對于臺積電（2330）參股茂迪20%，看法不一，花旗環(huán)球證券亞太半導體首席分析師陸行之認為，臺積電以折價逾4成的價格，買進茂迪，是樁劃算的交易，茂迪對臺積電獲利貢獻非常小。德意志證券、摩根士丹利證券等

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2009-12-11

半導體臺積電
聯(lián)電28奈米明年量產(chǎn)

聯(lián)電（2303）昨（10）日宣布在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議（IEDM），發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)／金屬閘極（HK/MG）技術，聯(lián)電預計明年下半年量產(chǎn)28奈米，與臺積電落差拉近在半年以內(nèi)。臺積電

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2009-12-11

晶體管聯(lián)電金屬臺積電
英特爾：“凌動”的未來在百億美元嵌入市場

英特爾高管DouglasDavis預計到2015年全球?qū)⒂谐^150億個智能設備連入互聯(lián)網(wǎng)，包括工業(yè)、醫(yī)療電子、車載信息娛樂系統(tǒng)、數(shù)字安全監(jiān)控等眾多領域的設備都在面向互聯(lián)需求發(fā)展?！吧暇W(wǎng)本只是‘凌動’處理器的小試牛刀，其

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2009-12-10

互聯(lián)網(wǎng) 英特爾 VI ASDA
Rambus下調(diào)內(nèi)存專利收費與歐盟和解專利糾紛

按照協(xié)議，Rambus公司同意在五年中對SDR及DDR芯片標準專利費用調(diào)整為零，并對最新一代JEDEC內(nèi)存標準（即DDR2和DDR3）收取最高為1。5%的專利費用。據(jù)國外媒體報道，Rambus公司周三同歐盟委員會達成一項和解協(xié)議，這

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2009-12-10

內(nèi)存 RAM SD DDR3
臺灣半導體產(chǎn)業(yè)復蘇聯(lián)電11月營收年增52％

據(jù)臺灣媒體報道，臺灣工業(yè)技術研究院表示，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)復蘇力高于全球。聯(lián)電今天公布，11月營收達新臺幣91。56億元（臺幣，下同），年增達52%，月減1。51%；累計前11月營收793。24億元，年減9。78%。聯(lián)電11月營

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2009-12-10

半導體產(chǎn)業(yè) 聯(lián)電臺積電
聯(lián)電11月銷售環(huán)比下降顯示芯片市場走弱

據(jù)媒體報道，臺灣芯片代工廠商聯(lián)電11月份的銷售業(yè)績顯示，芯片銷售在第三季度出現(xiàn)高峰后，增速已經(jīng)放緩，這一趨勢可能會延續(xù)至明年第一季度。聯(lián)電周二表示，11月份的銷售額為91。56元臺幣(約合2。84億美元)，較去年

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2009-12-10

芯片市場聯(lián)電電表芯片代工
同時滿足交流和直流性能的放大器特性分析

現(xiàn)代系統(tǒng)設計師正面對著許多設計挑戰(zhàn)，從實現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的接口到維持其系統(tǒng)與模擬系統(tǒng)接口時的信號保真度等，他們很自然地轉(zhuǎn)向使用運算放大器來解決這些難題。因此，當今的放大器需要滿足高難度的技術規(guī)范組合。例

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2009-12-10

直流放大器特性分析 BSP
Super Talent 本周發(fā)布首款USB3.0閃存驅(qū)動器

Super Talent本周將公布RAIDDrive USB 3.0閃存驅(qū)動器，與它的名字一樣，這種U盤可以并行傳輸數(shù)據(jù)，因此最快讀取速度可以達到200MB/s,而使用USB 3.0接口加上UAS協(xié)議驅(qū)動時，速度可高達320MB/s。這種U盤目前有32、64和

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2009-12-10

驅(qū)動器 USB3.0 SUPER TALENT

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