設(shè)計(jì)了基于PIC18F6585單片機(jī)的智能型漏電繼電器;闡述了智能型漏電繼電器的硬件結(jié)構(gòu)和工作原理,同時(shí)對(duì)軟件設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和描述。該繼電器可靠性高,具有自診斷、數(shù)據(jù)通信、故障報(bào)警等多種功能。
Nvidia日前宣布,暫時(shí)停止為英特爾新處理器開發(fā)芯片組,直至雙方之間的授權(quán)糾紛得以解決。 Nvidia在一份聲明中稱:“英特爾面向消費(fèi)者和市場(chǎng)錯(cuò)誤地聲稱我們并未獲得新的DMI總線授權(quán),使我們無法繼續(xù)為英特爾未來的處
2009年NAND Flash缺貨缺翻天,三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余,不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀,還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗,到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相
分區(qū)存儲(chǔ)管理是滿足多道程序設(shè)計(jì)的最簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)管理方法。本文首先分析了嵌入式RTOS中動(dòng)態(tài)分區(qū)內(nèi)存管理機(jī)制的實(shí)現(xiàn)方法,并在此基礎(chǔ)上結(jié)合動(dòng)態(tài)分區(qū)機(jī)制提出了一種小塊內(nèi)存動(dòng)態(tài)緩存分配機(jī)制,有效地彌補(bǔ)了動(dòng)態(tài)分區(qū)內(nèi)存管理的不足之處,減少了內(nèi)存中外部碎片的數(shù)量并提高了內(nèi)存的利用率及分配的實(shí)時(shí)性,對(duì)嵌入式RTOS內(nèi)核的設(shè)計(jì)有一定指導(dǎo)意義。
1. 引言 本文設(shè)計(jì)的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進(jìn)行設(shè)計(jì)。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝形式上都進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),使之更適用于射頻功率放大器
科勝訊系統(tǒng)公司推出新型視頻“幀捕獲器”參考設(shè)計(jì),幫助用戶通過一個(gè)集成的通用串行總線接口(USB)捕捉和傳送來自攝像機(jī)和 VCR的采用舊技術(shù)的模擬視頻文件到個(gè)人電腦。這將有助于用戶在因特網(wǎng)上更輕松地?cái)?shù)字化、編輯
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封裝的快速采樣/保持電路DS1843。該器件可以通過其差分輸入在低于300ns時(shí)間內(nèi)采集信號(hào),并在輸出端保持長(zhǎng)達(dá)100µs。低輸入失調(diào)電壓(約5mV)保證了精確的測(cè)量。DS1843包含差分、
XE1201是XEMICS公司生產(chǎn)的RFIC,它集無線電發(fā)射與接收功能于一身,并具有外用元件少,功率損耗低等特點(diǎn),可使用3線總線接口來選擇發(fā)射、接收與待機(jī)三種傳輸狀態(tài)。文中介紹了XE1201的引腳功能、工作原理、外部元件的選擇及其相關(guān)的匹配網(wǎng)絡(luò)電路,最后給出了它的典型應(yīng)用電路。
高功率器件采用TO-277A封裝,具有6.8V~43V的擊穿電壓和10.5V~61.9V的鉗位能力 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列1500W表面貼裝車用瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS) --- TPC系列,器件的厚度為業(yè)界最薄
中國鐵路建設(shè)熱潮給半導(dǎo)體與元器件廠商帶來了千載難逢的發(fā)展機(jī)會(huì),除了DSP、電力電子器件等主要核心器件供應(yīng)商外,電量傳感器廠商也從中收益頗豐。“萊姆集團(tuán)(LEM)是全球電量傳感器行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,我們?cè)谌蜩F路
近期在美國亞特蘭大舉辦的CEDIA Expo 2009上,Diodes公司的多通道DAC及數(shù)字前置放大器Zetex ZXCZM800在世界首次THX "Big Room"音頻概念演示中起到了舉足輕重的作用。Big Room是THX公司全新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和經(jīng)過認(rèn)證的概念
據(jù)報(bào)道,聯(lián)電近日表示,他們?cè)谛录悠碌腇ab 12i晶圓廠已經(jīng)開始啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行45/40nm工藝生產(chǎn),聯(lián)電的此次擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也是為滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的需求。Fab 12i晶圓廠是聯(lián)電的首個(gè)300mm晶圓廠,于2002年4月完工,并
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),由于臺(tái)積電看好明年IDM(集成器件制造)廠擴(kuò)大委托代工,臺(tái)積電月底可能將再度調(diào)升今年資本支出預(yù)算至25億~30億美元以上。臺(tái)積電花錢擴(kuò)產(chǎn)不手軟,由于看好明年IDM廠擴(kuò)大委托代工,及65納
據(jù)報(bào)道,聯(lián)電近日公布了9月份的財(cái)政收入報(bào)告,聯(lián)電9月份總收入2.96億美元,創(chuàng)下了自2007年以來的月收入新高。與此同時(shí),聯(lián)電的季度收入也在逐步增加,并朝著同比增長(zhǎng)的趨勢(shì)發(fā)展。聯(lián)電9月份總收入同比去年增長(zhǎng)了18.41
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">德州儀器(TI)宣布啟用位于德州Richardson的晶圓制造廠,并預(yù)計(jì)于十月份將設(shè)備遷入廠內(nèi)。該晶圓廠為美國綠建筑協(xié)會(huì)(