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基于 SoPC 的震動(dòng)信號(hào)采集設(shè)備設(shè)計(jì)

本系統(tǒng)經(jīng)多次實(shí)驗(yàn)室測(cè)試，可以對(duì)多種不同輸出范圍的模擬震動(dòng)傳感器進(jìn)行信號(hào)采集，并且精度高、速度快。由于將采集得到的數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)發(fā)送到以太網(wǎng)上，故通過連接在網(wǎng)上的工作站可同時(shí)對(duì)多套信號(hào)采集設(shè)備進(jìn)行控制和記錄，大大提高了系統(tǒng)的可擴(kuò)展性。綜上可以看出，本系統(tǒng)非常適合在對(duì)采集速度和傳感器節(jié)點(diǎn)數(shù)量要求較高的測(cè)試領(lǐng)域應(yīng)用。

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2009-08-12

SOPC 信號(hào)采集 CPU NIOS
3A DC/DC uModule 轉(zhuǎn)換器（Linear）

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A 高壓 DC/DC 微型模塊 (uModule®) 穩(wěn)壓器系統(tǒng) LTM8025，該系統(tǒng)具高達(dá) 36V 輸入電壓和 24V 輸出電壓。24V 輸出電壓范圍非常適用于 12V 至 20V 中間總線系統(tǒng)

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2009-08-12

轉(zhuǎn)換器 Linear DC/DC MODULE
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：多種專利技術(shù)擴(kuò)展轉(zhuǎn)換之門

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器是模擬世界與數(shù)字世界之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的橋梁。近年來，隨著人們的生活設(shè)施不斷被數(shù)字化，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求量也越來越大。今天，在我們所使用的手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3、數(shù)字電視以及數(shù)字化儀表中，都有多個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)

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2009-08-12

低功耗數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 ADC ESD
提升MEMS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力　ADI雙管齊下

為提升于MEMS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，升全球MEMS供應(yīng)大廠亞德諾(ADI)近期傳出自9月起，將正式關(guān)閉位于英國劍橋MEMS生產(chǎn)線，同時(shí)將MESM生產(chǎn)火力集中到美國Wilmington生產(chǎn)線，不僅如此，以往由于MEMS測(cè)試成本占總制造成本過高，AD

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2009-08-12

MEMS ADI LM NATIONAL
GlobalFoundries：盡快著手Fab 3計(jì)劃

上個(gè)月，GlobalFoundries紐約州晶圓廠Fab 2正式破土動(dòng)工，相隔幾周后，GlobalFoundries宣布，他們將盡快著手Fab 3計(jì)劃。隨著紐約州晶圓廠的破土動(dòng)工，GlobalFoundries的信心也更加充足，GlobalFoundries主席Hector R

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2009-08-12

AMD 晶圓廠 GLOBALFOUNDRIES FAB
晶圓廠不太行　中國力推fabless可行？

——編者點(diǎn)評(píng)：這是個(gè)令人鼓舞的規(guī)劃，因?yàn)橹挥蠭C設(shè)計(jì)業(yè)搞上去，中國半導(dǎo)體業(yè)才有希望，也是作為中國半導(dǎo)體業(yè)的每一個(gè)從業(yè)者夢(mèng)寐以求的大事。但是懷疑者仍有。所以至少我們要能找出此次有什么做法不同于從前，否則很

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2009-08-12

晶圓廠 BLE AN FAB
單片機(jī)系統(tǒng)RAM的測(cè)試方法研究

在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對(duì)

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2009-08-12

RAM 單片機(jī)系統(tǒng) 測(cè)試方法 MARCH
2009電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國際會(huì)議在北京

電子封裝技術(shù)暨高密度封裝國際會(huì)議（ICEPT-HDP）是每年中國大陸最具代表性的IC電子封裝國際會(huì)議。本屆第十屆，由北京清華大學(xué)主辦，於2009年8月11日在北京擴(kuò)大召開，會(huì)議為期三天至8月13日結(jié)束，將為學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的

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2009-08-12

EMI ICE HD IPC
安捷倫針對(duì)USB測(cè)試推出協(xié)定分析方案與新示波器

安捷倫科技（Agilent）宣佈，將擴(kuò)展旗下的USB 2.0和3.0適用的測(cè)試解決方案組合。新推出的產(chǎn)品包括一款與Ellisys攜手開發(fā)的整合式USB 3.0協(xié)定分析解決方案，以及近期發(fā)表的Infiniium 9000系列MSO混合信號(hào)示波器，這款

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2009-08-12

USB 示波器安捷 AGILENT
日本將建國際性MEMS研發(fā)基地預(yù)定2015年之前正式投入運(yùn)營

　日本擬在經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立名為“JMEC”（暫稱）的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu)，與歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)比利時(shí)IMEC （Interuniversity Microelectronics Center）一樣，目標(biāo)是成為國際性的開放式產(chǎn)官學(xué)協(xié)作研發(fā)基地。為該機(jī)構(gòu)設(shè)立的

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2009-08-12

汽車 MEMS BSP JAPAN
美國IDT結(jié)盟臺(tái)積電變身無工廠半導(dǎo)體商

臺(tái)積電公司和美國老牌半導(dǎo)體公司IDT（Integrated Device Technology）公司今天共同宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，IDT目前在美國俄勒岡州Hillsboro市自有晶圓廠制造的所有產(chǎn)品將逐步移交給臺(tái)積電代工，IDT從此將轉(zhuǎn)型為無工

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2009-08-12

半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓廠 IDT
全新納米功率運(yùn)算放大器（NS）

美國國家半導(dǎo)體公司 (NS)宣布推出一款全新的納米功率運(yùn)算放大器，可提供業(yè)界最低功耗552nW，即使供電電壓低至1.6V，仍可保證正常操作。該款型號(hào)為LPV521的運(yùn)算放大器屬于美國國家半導(dǎo)體PowerWise® 系列，由于其功

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2009-08-11

芯片國家半導(dǎo)體運(yùn)算放大器 BSP
光纖模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長至4.92億美元

Strategy Analytics 近日發(fā)布最新研究報(bào)告“光纖模擬芯片市場(chǎng)機(jī)會(huì)：2008-2013”?；衔锇雽?dǎo)體正在越來越多地被應(yīng)用在更高價(jià)值、更高成長性的細(xì)分產(chǎn)品市場(chǎng)上。在不斷增長的光纖模擬芯片市場(chǎng)，硅 (Silicon)，硅化鍺 (

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2009-08-11

光纖芯片市場(chǎng) 模擬 GBPS
DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

臺(tái)系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次

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2009-08-11

DRAM 美光 40納米制程技術(shù)
NVIDIA：我們是40nm芯片的頭號(hào)客戶

NVIDIA宣稱，雖然自己不是第一家采納臺(tái)積電40nm工藝技術(shù)的客戶，但在產(chǎn)品規(guī)模上已經(jīng)最大，而且40nm工藝會(huì)在今后貢獻(xiàn)相當(dāng)大比例的收入。 NVIDIA總裁兼CEO黃仁勛在財(cái)務(wù)電話會(huì)議中對(duì)分析人士表示：“我想現(xiàn)在我們已經(jīng)成

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2009-08-11

NVIDIA 芯片臺(tái)積電 RADEON

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基于 SoPC 的震動(dòng)信號(hào)采集設(shè)備設(shè)計(jì)

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