安捷倫科技(Agilent)推出示波器與邏輯分析儀適用的低功率雙倍資料速率(LPDDR)球閘陣列(BGA)探棒解決方案。新款LPDDR BGA探棒可提供LPDDR和行動DDR同步動態(tài)隨機存取記憶體的信號存取點,以利於執(zhí)行電氣、時序和
日前,臺積電宣布將對研發(fā)人員進行擴招,擴招幅度達到目前的30%之多,這批擴招的員工中有15%將于今年底前走馬上任。臺積電負責全球營銷的副總裁陳俊圣稱臺 積電目前的研發(fā)人員總數(shù)約為1200名,他并稱:“在全球經(jīng)濟發(fā)
安森美半導體(ON Semiconductor)推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性,可在任何負載條件下,降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機控制和快
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件,諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
韓國《每日經(jīng)濟新聞》(Maeil Business Newspaper)援引一位行業(yè)消息人士的話報導,三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)和海力士半導體(Hynix Semiconductor Inc., 000660.SE)計劃在6月份下半月上調(diào)DRAM芯片
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出全新集成負載開關(guān)產(chǎn)品系列,該系列具有控制啟動與快速輸出放電功能,從而可簡化子系統(tǒng)負載管理。TPS229xx 系列產(chǎn)品不僅采用超小型 0.8 毫米 x 0.8 毫米晶圓級芯片封裝技術(shù) (WCSP) 封裝,
基于ZigBee無線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)構(gòu)建的煤礦無線監(jiān)測系統(tǒng)采用簇1樹網(wǎng)絡(luò)拓撲。系統(tǒng)設(shè)計中,無線傳感器節(jié)點以CC2430內(nèi)嵌的低功耗8051微控制器為核心,實現(xiàn)無線通信。
該系統(tǒng)克服了傳統(tǒng)有線抄表方式的弊端,傳輸數(shù)據(jù)量大、準確性高、通信費用低。其基于Proteus技術(shù),組網(wǎng)靈活、易于擴展,使設(shè)計與施工的難度和成本得以降低,具有良好的開放性、可靠性和可擴充性,有著重要的現(xiàn)實意義與廣闊的發(fā)展前景。
提出了一種基于ARM的CAN總線電力電纜溝道監(jiān)測系統(tǒng),給出系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)。詳細介紹了系統(tǒng)硬件設(shè)計方案,提出了一種基于高性能處理器ARM的CAN節(jié)點設(shè)計方法。最后詳細介紹了基于μC/OS-II的CAN通信的軟件實現(xiàn)過程。
臺積電研發(fā)副總裁Jack Sun在日本舉行的一次研討會上宣布,28nm低功耗生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)研發(fā)成功,將在2010年初作為全代(full node)工藝為客戶提供代工服務(wù),并可選高性能和低功耗兩種應(yīng)用類別。 臺積電表示,借助雙/三柵
NVIDIA CEO Jen-Hsun Huang于日前在接受采訪時表示,NVIDIA正在討論是否有可能將旗下的GPU以及芯片組產(chǎn)品交由AMD的芯片廠Globalfoundries代工生產(chǎn)。 Jen-Hsun Huang表示:“Globalfoundries擁有先進技術(shù),我們正在認
CBN昨日刊發(fā)的《龍芯無奈購美公司專利授權(quán)》一文,觸發(fā)了國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)對自主創(chuàng)新策略的反思。 文章被網(wǎng)媒轉(zhuǎn)載后引發(fā)上千條評論,半導體產(chǎn)業(yè)獨立觀察者王艷輝第一時間的表態(tài),也成業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點,他表示,龍芯購美
NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議,允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費者產(chǎn)品的28 納米半導體技術(shù)。 這三家公司18日表示,兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互
受惠于中國家電下鄉(xiāng)政策、山寨市場崛起,以及觸控產(chǎn)品、3G手機等新產(chǎn)品需求提升,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)預測臺灣地區(qū)IC產(chǎn)業(yè)2009年下半年表現(xiàn),將明顯優(yōu)于上半年,全年產(chǎn)值高點可望落在第三季,達3,406億元新臺幣。 而