英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調制）級等能源轉換產品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術融合了現(xiàn)代超結結構及包括超低單位面積導通電阻（例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關損耗、更簡單的開關特性控制特性和更結實耐用的增強型體二極管。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS™金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。英飛凌在CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP等前代系列產品的基礎上，進一步提高了開關速度并降低了導通電阻。CoolMOS™ C3是一個應用非常廣泛的產品系列，而CP系列可滿足需要最高開關速度和最低導通電阻的各種專門應用的需求。

最新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP兩個產品系列的優(yōu)勢。例如，電源廠商可受益于超結CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導通電阻等，設計出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產品。與此同時，開關控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設計而言，CoolMOS™ C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS™ C6系列內，柵極電荷、電壓/電流斜率和內部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會產生過高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件。

英飛凌認為，前代產品CoolMOS™ C3的易用性和高能效特性，加上更高的輕載效率，將使CoolMOS™ C6系列成為硬開關應用的基準。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性，使該器件成為諧振開關產品的理想選擇。

CoolMOS™ C6器件可降低設計難度，非常適用于各種高能效應用，例如面向個人電腦、筆記本電腦、上網本或手機、照明（高壓氣體放電燈）產品以及電視機（液晶或等離子電視機）和游戲機等消費電子產品的電源或適配器。英飛凌的新一代功率半導體產品，能夠讓客戶開發(fā)出符合當今能效要求和政府法規(guī)的高度可靠的終端產品。

英飛凌科技股份公司副總裁兼工業(yè)及多元化電子市場業(yè)務部總經理Andreas Ur-schitz指出：“全新推出的CoolMOS™ C6系列彰顯了英飛凌在不犧牲系統(tǒng)設計簡易性的同時進一步提升諸多應用的能源效率的戰(zhàn)略。依托立足于系統(tǒng)優(yōu)化創(chuàng)新技術、具備更高能效和可靠性的CoolMOS™ C6系列功率半導體器件，英飛凌鞏固了自己在電源管理市場的領導地位。”
 

供貨情況與定價
英飛凌全新推出的CoolMOS C6系列包含電壓級別為600V、導通電阻從70mΩ直到3.3Ω的多種型號。目前，采用TO220全絕緣型封裝、電壓級別和導通電阻分別為600V和190mΩ的IPA60R190C6已開始提供樣品。該系列的首批產品將在2009年8月實現(xiàn)量產。

訂購量達到10,000顆的情況下，IPA60R190C6（600V CoolMOS™ C6、導通電阻190mΩ、TO220全絕緣封裝）的單價為0.88美元；IPD60R950C6（600V Cool-MOS™ C6、導通電阻950mΩ、Dpak封裝）的單價為0.30美元。