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中國(guó)傳感器市場(chǎng)增長(zhǎng)平穩(wěn)

根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，最近幾年中國(guó)的傳感器年度銷(xiāo)售平均增長(zhǎng)達(dá)到39%，這個(gè)數(shù)據(jù)對(duì)于業(yè)界而言意味著巨大的商業(yè)發(fā)展機(jī)遇。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)基礎(chǔ)元器件市場(chǎng)一直保持平穩(wěn)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，特別是今年，根據(jù)工信部1-9月數(shù)據(jù)

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2008-12-05

傳感器中國(guó)電子電子元件電子元器件
高性能鋁電容器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。 Vishay的EKX 器件采用 14

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2008-12-05

器件 Vishay 電容器 BSP
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。

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2008-12-04

開(kāi)關(guān) 電壓恒流 MOSFET
小數(shù)分頻與快鎖芯片ADF4193的原理與應(yīng)用

由ADF4193的配置時(shí)序可以看出，ADF4193是一款易配置和使用的芯片，使用它可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短項(xiàng)目調(diào)試周期。從測(cè)量的相位噪聲和鎖定時(shí)間的結(jié)果可以看出：ADF4193具有很好的性能指標(biāo)，而且穩(wěn)定性比較好。ADF4193的最主要的優(yōu)點(diǎn)是可以簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)跳頻，它不再需要使用\"乒乓切換\"電路，因而可縮短系統(tǒng)的切換時(shí)間，以在時(shí)隙的保護(hù)時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率切換。事實(shí)證明，ADF4193比\"乒乓切換\"電路更能簡(jiǎn)化電路，減少成本，同時(shí)可節(jié)省PCB的布板面積。很適合在通信系統(tǒng)中使用。

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2008-12-04

芯片帶寬定時(shí) ADF
海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動(dòng)DRAM

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術(shù)的2Gb移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，計(jì)劃從明年上半年開(kāi)始生產(chǎn)。該產(chǎn)品是世界上首個(gè)采用54納米超微工藝的2Gb高容量產(chǎn)品。目前用于多芯片封裝(Multi

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2008-12-04

半導(dǎo)體移動(dòng) DRAM 海力士
2008年晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能增長(zhǎng)5% 創(chuàng)02年以來(lái)新低

據(jù)SEMI近期發(fā)布的全球晶圓廠(chǎng)預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)報(bào)告，2008年全球晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能預(yù)計(jì)增長(zhǎng)5%，2009年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)4%至5%。 2003年至2007年，半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能年均增長(zhǎng)率幾乎均保持兩位數(shù)，然而在全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)極其不確定

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2008-12-04

存儲(chǔ)器 Flash 晶圓廠(chǎng) FOR
上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)向政府上報(bào)“本市集成電路產(chǎn)業(yè)面臨困境、持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展亟需采取有效措施”報(bào)告

“十五”期間，上海集成電路產(chǎn)業(yè)年均增長(zhǎng)46.85%，明顯高于全國(guó)年均32%的增幅。然而2006—2007年，出現(xiàn)了“二個(gè)下降”的局面:一是銷(xiāo)售增幅逐年下降。年銷(xiāo)售增長(zhǎng)率從2005年的31.22%，分別下降到25.41%和2.5%，遠(yuǎn)低于全

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2008-12-04

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 封裝測(cè)試集成電路產(chǎn)業(yè) 集成電路行業(yè)
上海集成電路產(chǎn)業(yè)第三季度業(yè)績(jī)向好

根據(jù)上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)上海133家主要集成電路企業(yè)第三季度銷(xiāo)售額的統(tǒng)計(jì)，上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)仍然看好。今年第三季度和前三季度設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝測(cè)試業(yè)和設(shè)備材料業(yè)的銷(xiāo)售額以及與去年同期比較分

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2008-12-04

集成電路產(chǎn)業(yè) WIDTH BORDER STYLE
我國(guó)首次實(shí)現(xiàn)原子芯片上的玻色-愛(ài)因斯坦凝聚體

原本大型磁場(chǎng)線(xiàn)圈才能“綁”住的原子，現(xiàn)在僅用100微米寬的光刻線(xiàn)圈，就能讓其“定身”。最近，記者從中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所獲悉，該所量子光學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一研究小組實(shí)現(xiàn)了我國(guó)第一個(gè)原子芯片上的玻色-愛(ài)因斯

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2008-12-04

芯片愛(ài)因斯坦線(xiàn)圈量子信息
全球三大晶圓代工巨頭進(jìn)行人事成本調(diào)整

全球最大的晶圓 (晶圓指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)晶圓)代工企業(yè)臺(tái)灣集成電路公司 (下稱(chēng)臺(tái)積電)和第二大企業(yè)聯(lián)華電子(下稱(chēng)聯(lián)電)為減少產(chǎn)業(yè)寒冬的沖擊，均開(kāi)始進(jìn)行大規(guī)模的人事成本調(diào)

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2008-12-04

中芯國(guó)際晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電
AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?guó)

AMD全球副總裁王正福稱(chēng)，“上?！睂㈤_(kāi)啟一個(gè)新的時(shí)代。冬日的寒意中，電腦處理器市場(chǎng)卻正“酣戰(zhàn)”。積蓄已久的AMD雄心勃勃地決心打出一場(chǎng)漂亮的“拐點(diǎn)戰(zhàn)”，戰(zhàn)役的名稱(chēng)及武器就叫“上?！薄? 昨天，在獨(dú)具意味的上

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2008-12-04

戴爾處理器 AMD 四核
表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

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2008-12-04

封裝 Vishay 功率MOSFET POLAR
采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45

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2008-12-04

Vishay 功率MOSFET BSP TURBO
FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

奧地利微電子公司推出具有嵌入式比特整形器的AS8224 FlexRay Active Star器件，適用于最受限的FlexRay系統(tǒng)參數(shù)解決方案。這款用于車(chē)載網(wǎng)絡(luò)的新型收發(fā)器是在德國(guó)斯圖加特附近Fellbach舉辦的FlexRay產(chǎn)品日首次亮相的

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2008-12-04

器件奧地利微電子 ACTIVE FLEXRAY
全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會(huì)議召開(kāi)

第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議于2008年11月30日在廣州召開(kāi)。會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和廣州市科協(xié)承辦。會(huì)議

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2008-12-03

國(guó)家半導(dǎo)體半導(dǎo)體照明半導(dǎo)體材料微波器件

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中國(guó)傳感器市場(chǎng)增長(zhǎng)平穩(wěn)

高性能鋁電容器（Vishay）

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

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2008年晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能增長(zhǎng)5% 創(chuàng)02年以來(lái)新低

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AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?guó)

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會(huì)議召開(kāi)

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