旨在加快450mm晶圓廠的發(fā)展，InternationalSematech(國際半導體制造聯(lián)盟)和其它組織為450mm硅晶圓制定了一個初步標準。

但在目前IC產(chǎn)業(yè)蕭條和經(jīng)濟危機環(huán)境下，450mm晶圓時代的來臨可能被推遲。

其間，在經(jīng)歷幾個競爭的提議后，Sematech、SEMI和IC行業(yè)為450mm硅晶圓達成了一個925μm±25μm的晶圓厚度標準，它又被稱為“機械標準”。該“機械標準”是個早期和初步標準。相比而言，300mm晶圓的總厚是775μm。

標準是450mm晶圓的關(guān)鍵。這將促進450mm晶圓廠所用的初期晶圓處理和其它系統(tǒng)的發(fā)展，英特爾的首席材料工程師MichaelGoldstein說。英特爾是推動450mm晶圓的Sematech的成員之一。

業(yè)界計劃在11月采取下一步行動，屆時將投票表決一個用于450mm晶圓的“測試晶圓厚度”標準，但925μm似乎就是擬取值。在下一個提議時，“我們不希望與925μm這個標準出入太大?！盙oldstein說。

為躍進到450mm時代，Sematech去年發(fā)布了一個計劃，稱將研發(fā)一種稱為“工廠集成測試床”的設(shè)備以用于450mm晶圓廠工具的開發(fā)。

Sematech宣稱的這種設(shè)備將有助于促進芯片設(shè)備制造商開發(fā)最初的諸如運載系統(tǒng)、裝載端口和模塊等晶圓廠自動化設(shè)備。

提議的450mm工具間距規(guī)范是10mm。但本周，預計Sematech會提出9.2mm的間距規(guī)范和0.353的晶圓偏垂(deflectivesag)值。而Sematech去年提議的間距規(guī)范是9.4mm、晶圓偏垂值為0.613。

450mm晶圓重330克，該重量可能導致基板在晶圓處理系統(tǒng)中發(fā)生彎曲或下垂。解決關(guān)鍵是使基板和處理系統(tǒng)足夠強健以抵消下垂效應。

但450mm晶圓廠究竟何時問世仍有疑問。據(jù)報，英特爾、三星和臺積電(TSMC)都各自力推擬在2012年前后建成的450mm“原型”晶圓廠。但也有人認為450mm晶圓廠永遠不會實現(xiàn)，因為研發(fā)費用實在太高。

300mmPrime獲得了晶圓廠用工具社群的廣泛支持，300mmPrime看起來會提升現(xiàn)有300mm晶圓廠的效率、進而拉動對450mm晶圓廠的需求。

更新更有爭議的ISMI450mm計劃則呼吁某些芯片廠商更直接地從300mm轉(zhuǎn)移到更大的450mm晶圓尺寸。