語音指令是許多應(yīng)用中的一種流行功能,也是讓產(chǎn)品具備差異化市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的優(yōu)勢(shì)之一。麥克風(fēng)是任何基于語音或語音的系統(tǒng)不可缺少的主要組成部分,而駐極體麥克風(fēng)憑借體積小、低成本和高性能的特點(diǎn)成為了此類應(yīng)用的常見選擇。
今年,我國知名半導(dǎo)體元件分銷商世強(qiáng)動(dòng)作不斷,產(chǎn)品線快速拓展,今年先后簽約下世界先進(jìn)的精密微阻值電阻制造廠商ISA、鋁電解電容器的頂級(jí)制造商N(yùn)IPPON CHEMI-CON、全球最知名的半導(dǎo)體廠商之一ROHM、全球最大的電氣線纜線束系統(tǒng)制造商之一的LEONI等十余條產(chǎn)品線。
陳鈺林透露,國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展,100V、150V、650V三個(gè)GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn),2019年正式量產(chǎn)。目前,英諾賽科已有5個(gè)產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單,這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。
8吋半導(dǎo)體矽晶圓大廠合晶指出,8吋訂單依舊滿載,不過6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象,稼動(dòng)率有松動(dòng)的情況。據(jù)悉,8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢(shì),漲幅可望達(dá)到10%以上,而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個(gè)位數(shù)附近。
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)產(chǎn)品。
盡管貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火稍歇,但是現(xiàn)在已先行將其中1條產(chǎn)線移回臺(tái)灣,并讓客戶進(jìn)行廠區(qū)認(rèn)證,若是最后25%的關(guān)稅政策仍將實(shí)施,公司就會(huì)進(jìn)一步進(jìn)行產(chǎn)能調(diào)整。
有人問如何解決上海新昇第2、3期的投資支出,擔(dān)心上海新陽在上海新昇的股權(quán)比例會(huì)進(jìn)一步稀釋。對(duì)此,上海新陽表示,上海新昇第2、3期的投資采用什么方式、何時(shí)投資尚在討論溝通中,就上海新陽而言,任何的決定都會(huì)考慮有利于上海新昇的發(fā)展。
TDK株式會(huì)社近日宣布CeraCharge™和PowerHap™榮獲ASPENCORE 2018 年“年度高性能無源器件獎(jiǎng)”。這是TDK電子(前身EPCOS)在中國的公司首次獲得AspenCore全球電子成就獎(jiǎng) (WEAA)。WEAA旨在評(píng)選并表彰對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)。
復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系修發(fā)賢課題組在拓?fù)浒虢饘偕榛k納米片中觀測(cè)到了由外爾軌道形成的新型三維量子霍爾效應(yīng)的直接證據(jù),邁出了從二維到三維的關(guān)鍵一步。
據(jù)報(bào)道,金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)市場(chǎng)出現(xiàn)雜音,有晶圓代工廠透露,客戶需求轉(zhuǎn)趨觀望,12月訂單調(diào)整幅度比往年大,接單感受到壓力。
意法半導(dǎo)體推出MDmesh™系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對(duì)提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)。
雖然短期市場(chǎng)需求疲弱,前景不明,被動(dòng)器件業(yè)者預(yù)期,客戶端庫存消化一段時(shí)間后就會(huì)再拉貨,且中長(zhǎng)期的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)大致仍未改變,車用產(chǎn)品供需依然短缺。
晶門科技有限公司(「晶門科技」)最新推出的全球首顆用于PMOLED(被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)面板的觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成(TDDI)芯片SSD7317,榮獲今年的香港工商業(yè)獎(jiǎng) - 科技成就獎(jiǎng)。
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今天宣布,面向直流有刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)推出雙H橋[1]驅(qū)動(dòng)器IC系列的新產(chǎn)品“TC78H653FTG”,該新品可提供移動(dòng)設(shè)備、家用電子產(chǎn)品及USB驅(qū)動(dòng)器等干電池供電設(shè)備所需的低電壓(1.8V)和大電流(4.0A)[2]。
雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主,但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中,硅基器件有些捉襟見肘,而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場(chǎng)景。這主要是因?yàn)?,他們屬于寬禁帶半?dǎo)體材料,與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特,氮化鎵是3.4電子伏特。