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大中：MOSFET缺貨會持續(xù)到明年

薛添福表示，產(chǎn)能滿足度與市場供給缺口達3成，且新投資產(chǎn)能還是很有限，新應(yīng)用占去的產(chǎn)能，對于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外，工業(yè)機器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能，至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過，薛添福也看好自家未來產(chǎn)能會比今年多。

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2018-12-11

MOSFET 功率元件電子產(chǎn)品
德州儀器推出四種微型高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

德州儀器(TI)今日推出四種微型高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，每種轉(zhuǎn)換器均具有業(yè)界同類產(chǎn)品中最小尺寸。新數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器可幫助設(shè)計人員在縮減系統(tǒng)板占用空間之余，增加更多智能及功能。DAC80508與DAC70508是八通道高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，分別提供真正的16位和14位分辨率。ADS122C04與ADS122U04是24位高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，分別提供雙線I2C兼容接口及雙線UART兼容接口。

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2018-12-04

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器德州儀器ti ads122c04
晶圓代工業(yè)掀起撤退潮，材料和封裝技術(shù)將成為下一波市場熱點

前段時間，晶圓代工業(yè)掀起了一場“撤退潮”。由于摩爾定律的每年工藝微縮愈發(fā)困難，導(dǎo)致研發(fā)投入與產(chǎn)出不均衡，聯(lián)電(UMC)、格芯(Globalfoundries)等行業(yè)巨頭紛紛表示暫停7納米以下先進工藝的研發(fā)，專注優(yōu)化現(xiàn)有技術(shù)和市場。行業(yè)分析師認為，隨著先進工藝陷入少數(shù)玩家的寡頭壟斷領(lǐng)域，半導(dǎo)體材料和封裝技術(shù)將成為下一波市場熱點。

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2018-12-04

晶圓代工封裝技術(shù) 格芯
MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價格調(diào)漲！

到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價格調(diào)漲。

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2018-12-03

晶圓長電科技 MOSFET
TDK推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的CeraLink電容器

TDK株式會社推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的CeraLink FA類型電容器，進一步拓展了成熟的CeraLink™電容器的產(chǎn)品陣容。新類型電容器采用節(jié)省空間的設(shè)計，在相同的端子上并聯(lián)了兩個、三個甚至十個完全相同的電容器來增加容值。

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2018-11-30

tdk 模塊化柔性裝配技術(shù) ceralink電容器
TDK推出緊湊型冷式等離子發(fā)生器CeraPlas HF

TDK株式會社推出緊湊型冷等離子發(fā)生器CeraPlas™HF。該元件采用PZT(鋯鈦酸鉛)陶瓷材料以及塑料封裝外殼，尺寸僅為47.3 mm x 20 mm x 20 mm，并配備可焊接引線。此外，它還具有重量輕、功耗低、輸入電壓低等諸多特點。

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2018-11-30

tdk 等離子發(fā)生器 ceraplas hf元件
TDK推出具有大電流能力的緊湊型單端引線式鋁電解電容器系列

TDK公司開發(fā)出新系列愛普科斯(EPCOS)單端引線式鋁電解電容器B41897*系列。該系列電容器尺寸非常緊湊，具有大CV(電容值)和高紋波電流能力，額定電壓范圍為25 V DC至75 V DC，電容范圍為270 μF至12,000 μF。根據(jù)電壓和電容值的不同，新元件的尺寸范圍為12.5 mm x 20 mm至18 mm x 40 mm(直徑x 長度)。

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2018-11-30

鋁電解電容器 tdk公司汽車電子控制單元
合晶上海廠遭遇病毒攻擊，目前已恢復(fù)正常

合晶表示，上海廠遭到電腦病毒感染的并非生產(chǎn)線，而是控制數(shù)據(jù)的后勤作業(yè)系統(tǒng)，生產(chǎn)線仍可以正常生產(chǎn)。不過，仍會影響料單領(lǐng)取等出貨作業(yè)。

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2018-11-28

晶圓廠半導(dǎo)體硅晶圓
受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，被動元件價格明年或繼續(xù)下滑！

業(yè)內(nèi)人士指出，中美貿(mào)易戰(zhàn)使大陸需求放緩，預(yù)計明年第1季被動元件市場需求未見起色，MLCC和芯片電阻報價下滑幅度估1成到2成。

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2018-11-27

被動元件 mlcc 芯片電阻
德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在正式發(fā)布之前，TI投入大量人力物力，累計進行了超過2000萬小時的設(shè)備可靠性測試，使得電源設(shè)計工程師可以更放心地在各種電源應(yīng)用中使用氮化鎵。

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2018-11-26

電源設(shè)計德州儀器ti 氮化鎵gan
安森美半導(dǎo)體的寬禁帶方案、技術(shù)及仿真工具優(yōu)化并加快您的設(shè)計

據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)IHS，從2016年到2027年SiC和GaN應(yīng)用將激增，包括電動/混動汽車及充電樁基礎(chǔ)設(shè)施、太陽能逆變器、電源、工業(yè)電機驅(qū)動、不間斷電源(UPS)、軍事/航空等應(yīng)用領(lǐng)域，其中電動/混動汽車、太陽能逆變器、電源將是主要的應(yīng)用市場。

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2018-11-26

安森美半導(dǎo)體寬禁帶方案 sic二極管
SK海力士增資無錫晶圓代工業(yè)務(wù)

盡管SK海力士在DARM領(lǐng)域僅次于龍頭廠商三星電子排名第二，但在晶圓代工領(lǐng)域的表現(xiàn)卻不盡如人意，去年年末，SK海力士在晶圓代工領(lǐng)域的市場份額僅為0.2%，排名全球第24位。

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2018-11-23

晶圓代工 sk海力士
直擊IC產(chǎn)業(yè) 中關(guān)村集成電路設(shè)計園今天正式開園

本次會議邀請了來自美國、韓國等國家外籍專家，ARM、GlobalFoundries、Synopsys、AMD、ANSYS等30余家國際企業(yè)及機構(gòu)出席了此次會議。核高基02專項總師、中科院微電子所所長葉甜春圍繞制造業(yè)與設(shè)計業(yè)的協(xié)同發(fā)展作了題為《中國集成電路制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》的主旨報告。

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2018-11-16

集成電路 ARM 中關(guān)村
Vishay推出斷態(tài)電壓800V光耦，滿足高穩(wěn)定性和噪聲隔離要求

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款光可控硅輸出光耦，兩款器件均采用緊湊型扁平SOP-4封裝，進一步擴展光電產(chǎn)品組合---VOT8024AM和VOT8121AM。Vishay Semiconductors VOT8024AM和VOT8121AM斷態(tài)電壓為800 V，dV/dt為1000 V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。

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2018-11-16

Vishay 光耦噪聲隔離
意法半導(dǎo)體的4A雙通道柵極驅(qū)動器集成電隔離和保護功能

STGAP2DM柵極驅(qū)動器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個電隔離輸出通道，可以驅(qū)動單極或雙極型晶體管的柵極。

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2018-11-16

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動器電隔離

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大中：MOSFET缺貨會持續(xù)到明年

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TDK推出緊湊型冷式等離子發(fā)生器CeraPlas HF

TDK推出具有大電流能力的緊湊型單端引線式鋁電解電容器系列

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